扬杰科技 300373

1、公司主要业务情况公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。

公司主营产品主要分为三大板块,具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列）。

产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域,为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。

报告期内,公司不断加大MOSFET、IGBT、SiC等产品在汽车电子、人工智能、工业、清洁能源等市场的推广力度,整体订单和出货量较去年同期快速提升,2025年度营收同比增长18.18%。

随着经营规模的持续扩大,公司正加速向集团化、国际化迈进。

目前,公司在全球50多个国家/地区设立了在地化研发、制造与销售网络,其中研发中心7个,能够紧扣本土客户的定制化需求,将全球最佳实践经验融入本土化产品开发。

公司持续聚焦在功率半导体赛道深耕发展,强力推进项目落地、创新转型、外拓内引协同发展,公司首个海外封装基地MCC(越南)工厂已量产,专注功率器件和小信号半导体封装产品的研发制造,当前月产能达12亿只,产品远销全球。

为了进一步完善海外IDM供应链,公司在越南基地投资建设首座海外车规级6吋晶圆工厂,设计年产能240万片,预计2027年一季度实现量产。

该晶圆厂建成后,将进一步完善公司海外IDM制造体系,提升公司海外生产效率与盈利水平。

此外,公司首条SiC芯片产线顺利实现量产爬坡,关键参数指标和工艺质量均达到国内领先水平,首条SiC车规级功率半导体模块封装项目建成投产,获得多家国际、国内主流Tier1客户订单。

公司实行“双品牌”+“双循环”及品牌产品差异化相结合的业务模式,“YJ”品牌产品主攻国内和亚太市场,“MCC”品牌产品主打欧美市场,通过差异化品牌布局,实现了不同品牌产品的全球市场渠道覆盖。

公司不断扩大国内外销售和技术网络的辐射范围,为各大终端客户提供直达式、专业化的产品方案与技术支持,依托全球供应链能力确保按时保质保量交付,持续提升公司的国际化服务水平。

凭借优质的市场服务、完善的营销网络布局以及高性能的产品质量,公司已在全球树立了良好的市场品牌形象。

2.公司经营模式公司采用垂直整合（IDM）一体化、Fabless并行的经营模式,集半导体单晶硅片制造、功率半导体芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体。

目前,公司具体经营模式如下：（1）供应链模式公司供应链围绕数字化升级、精细化管控、供应链双循环三大核心方向布局,推动供应链从“被动响应”向“主动预判、精准管控”升级,构建高效、稳定、低成本、抗风险的供应链生态。

第一、深化数字化供应链建设,以技术赋能提效提质。

公司以数字化升级为核心,全方位优化供应链各流程效率。

在交付管理方面,依托数字化协同体系,实时联动供需双方,精准把控各交付节点,显著提升交付及时率,保障订单履约质量；在数据管控方面,运用AI实现物料信息的自动抓取与智能推送,重点针对大宗金属等关键物料价格数据,实现实时抓取、分析、监测及异常预警推送,构建动态调优的采购策略,精准监控、实时查看价格波动情况。

第二、强化供应商精细化管控,筑牢供应链合作基础。

公司严格施行供应商准入机制,建立多维度、高标准的准入审核体系,从技术实力、产能规模、品质管控、合规资质、履约能力等方面进行全面严格筛选,从源头把控供应商质量,筑牢供应链协同根基。

同时,推行科学的采购配额管理模式,基于供应商准入审核结果、常态化绩效考评表现及产能匹配度,动态分配采购配额,实现资源优化配置,驱动供应商提升合作质量。

此外,将供应品质、交付响应速度等核心指标纳入考评,形成“准入-管控-考评-优化”的闭环管理体系,有效保障供应链协同稳定,推动达交率持续提升。

第三、构建“海外+国内”双循环供应商机制,提升供应链韧性。

面对复杂的地缘政治环境及市场波动风险,公司战略布局“海外+国内”双循环供应商体系。

一方面深耕国内优质供应商资源,依托集团化规模优势深化合作,保障核心物料的稳定供应；另一方面加速拓展海外多枢纽供应网络,开拓海外工厂本地化供应渠道,完善关键物料战略储备,搭配供应链韧性应急机制,通过国内与海外供应商的互补联动、协同发力,全方位降低单一区域供应风险,保障供应链连续稳定运营,提升供应链整体抗波动能力,为公司业务持续稳健发展提供支撑。

（2）运营模式公司构建了以“零缺陷质量体系”和“扬杰精益运营体系（YBS）”为核心的卓越运营模式。

通过深度优化运营管理七大流程,升级内部质量管理评审体系,打造行业一流的质量管理模式,实现卓越质量管理,持续降低不良率与客诉率,并同步改善供应链成本与内部运营效率。

公司持续推进零缺陷质量管理体系,深化运用QCC、6sigma等质量工具,从研发、制造、供应链、数字化等多方位、多举措协同互补,显著降低失败成本,提高生产质量稳定性及客户满意度；稳步推进精益运营体系,强化精益化、数字化、智能化转型的赋能作用,实现生产关键工艺参数设置自动化、关键质量过程管理自主管控、关键生产全域集成,推动各项管理绩效指标（PQDCS）可视化及穿透式管理,达成从点到线再到面的生产绩效管理全覆盖。

（3）营销模式公司实行“双品牌”+“双循环”及品牌产品差异化的业务模式。

在欧美市场,公司主推“MCC”品牌产品,对标国际第一梯队公司。

在中国和亚太市场,重点布局“YJ”品牌产品,通过持续拓宽直销渠道网点,设立多个销售和技术服务中心,与各行业TOP大客户达成战略合作伙伴关系。

与此同时,公司积极响应国家“国内国际双循环相互促进发展”的号召,积极拓展国际业务,持续优化海外网点布局,加速海外研发中心等创新平台和载体建设,公司的行业地位、品牌价值和全球影响力持续提升。

1、概述1.报告期内公司主要经营情况(1)研发技术方面①公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入,加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度,以进一步满足公司后续战略发展需求。

报告期内,发挥公司与东南大学集成电路学院签约共同建设的“扬杰东大宽禁带半导体联合研发中心”作用,进一步夯实第三代半导体的研发能力。

报告期内,公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式实现650V/1200V/1700V的SiCMOS产品从第二代升级到第三代,所有SiCMOS型号实现覆盖650V/1200V/1700V13mΩ-500mΩ,其中第三代SiCMOS平台的比导通电阻（RSP）已做到2.47mΩ.cm2以下,FOM值达到2700mΩ.nC以下,可对标国际水平。

SiC模块方面,增加C2A、Y-DPAK、HPDmini等系列SiC模块产品。

报告期内公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加,当前各类产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

车载模块方面,针对新能源汽车控制器应用,升级了全自动化车规功率模块产线,可年产三相桥HPD模块22.5万只,按照AQG324标准完成了全套可靠性验证；重点完成了芯片银烧结、Pin针超声焊接、铜线互连等先进工艺DOE验证；针对OBC应用开发了满足1000V电气安全距离的顶部散热Y-DPAK模块,具备体积小型化、功率密度高,表贴型结构、工艺难度低,爬电距离大、电气安全性高,寄生电感低、支持高压工作,热阻低、散热效率高等特点。

针对主驱SIC模块,开发了HPDmini激光焊接模块,具备低电感、低热阻、高可靠性等特点。

②IGBT产品方面,基于Fabless+自主IDM模式,在8吋、12吋平台完成了1.6/2.2µmpitch微沟槽650V30A-160A,1200V15A-200AIGBT芯片全系列的开发和优化迭代,并在客户端已实现全系列批量出货。

新能源的光储充应用方面,通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺,显著降低了器件饱和压降和关断损耗,已经有6个型号（其中新增N3,N4两个型号）应用于60KW-320KW功率段,涵盖电压650/1000/1200V、电流160-600A的I型和T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架。

车规单管方面,公司利用自身具备的车规级功率器件封装线,在PTC、压缩机控制器应用领域,大批量交付车企及Tier1客户。

报告期内公司IGBT产品重点布局新能源汽车、储能、工控、光伏逆变等应用领域,销售额不断增长,市场份额逐步提升,已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。

③在MOSFET产品战略布局方面,公司围绕汽车电子与高端电源两大核心增长赛道,构建覆盖中低压至高压的完整技术平台体系。

基于Fabless模式,公司在深耕成熟8吋工艺平台、持续提升良率与成本效率的同时,前瞻性推进12吋平台开发,优化产能结构与单位成本曲线,为未来车规级与高端电源市场规模放量奠定坚实基础。

在汽车电子领域,公司已实现从产品验证到规模量产的跨越式突破。

车规NMOS产品通过多家头部终端汽车电子客户测试并进入量产阶段,性能处于行业领先区间。

围绕汽车电机驱动、电源管理等高功率应用,公司持续完善系列平台布局,并逐步导入重点客户实现规模应用。

同时,PMOS车规产品已完成芯片开发并通过车规级可靠性验证,同时也达到头部终端汽车电子客户测试要求,形成覆盖电池防反接、负载开关、电源管理等核心场景的系统化产品矩阵,进一步增强公司在车规功率器件领域的渗透能力。

在SGTMOSFET方向,公司持续加大研发投入,加速平台迭代与电压等级拓展。

新一代P40V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200VSGT工艺平台全面建立,核心性能指标FOM（RDS(ON)*QG）较市面主流水平领先20%以上,展现出显著的技术代际优势,该平台的构建不仅提升了产品功率密度与系统效率,也强化了公司在汽车与工业电源领域的技术壁垒。

面向数据中心与服务器电源等高成长市场,开发超低阻产品,进一步提升能效、功率密度与优化器件设计,有效降低单位面积导通电阻,在相同封装体积下显著提升电流承载能力与功率密度。

同时,优化的开关特性为系统EMC设计预留更大余量,全面提升产品综合性能,增强在高端电源、工业及新能源领域的竞争力。

针对低空经济,聚焦12V/48V电源管理系统(BMS),在导通电阻RDS(on)和开关速度间寻求最佳平衡。

面向具身智能,针对中小功率应用聚焦12V、48V系統的产品开发,为提升转换效率开发极低的Qoss和Qrr产品,推动倒装芯片、集成化等先进封装的落地。

总体而言,已形成多电压平台协同推进、车规认证持续落地、核心性能指标领先市场的技术驱动型成长路径。

随着汽车电子、电源管理及数据中心等高景气度市场持续扩张,公司在产品迭代、平台规模化、同时按照与市场渗透率提升方面具备清晰且可持续的长期成长空间。

报告期内,公司研发费用率为6.61%；报告期内,公司合计申请知识产权114件（其中国内发明专利40件,实用新型71件）,获授128件（其中国内发明专利20件,实用新型97件,集成电路布图设计7件,外观设计4件）。

(2)市场营销方面①行业与客户深耕。

公司持续完善技术营销协同机制,紧抓全球能源转型与智能化升级机遇,聚焦新能源汽车电子（含800V高压平台/智能驾驶）、具身智能、光伏储能、工业自动化、5G通信、低空经济等领域,实现了行业TOP大客户全覆盖,报告期内汽车电子行业业绩大幅增长。

公司构建了"客户需求-技术响应-闭环改进”的敏捷服务体系,每年以提升客户满意度为重点工作,根据客户反馈内容列出改善计划,形成改善报告,为客户反馈提供窗口并积极响应,增强了客户粘性,巩固已有客户群体为新的合作带来更多机会,客户满意度已连续三年稳步提升。

②重点产品矩阵突破,构建战略好产品行销的能力,设立专职战略好产品行销经理,重点推广MOSFET、IGBT、SiC系列产品,进行战略好产品的销售和推广赋能,形成团队作战模式,帮助销售获得产品承认机会,加速商机转化率,提高重点产品销售占比。

构建功率器件MOSFET,IGBT,SiC解决方案类型的技术销售能力,为战略客户提供技术解决方案。

③全球化渠道布局,公司持续推进国际化战略布局,加强海外市场与国内市场的双向联动,加强国内国外“双品牌”+“双循环”推广管理,“YJ”品牌产品主攻国内和亚太市场,“MCC”品牌产品主打欧美市场,实现多元化产品的全球市场渠道覆盖；持续推进国内外电商业务模式,线下和线上相结合,进一步强化品牌建设,提升品牌国际影响力；全球化渠道布局,不断拓展海外业务。

美微科（越南）有限公司车规级封装及晶圆的量产标志着公司从产品出海到制造/技术出海的战略升级落地,国内国际供应链双循环战略构建成功,为公司在积极开拓国际市场、加速全球化进程上迈出了坚实的一步。

(3)运营管理方面①公司始终坚持“质量至上”的发展宗旨。

报告期内系统推进质量管理体系升级工程,持续完善DPPB/DPPM指标体系,对标国际一流公司的质量管理水平。

公司持续深化落实零缺陷管理、严进严出及三化一稳定等品质提升活动,精准查找质量管理短板,构建全流程质量管理控制体系。

通过打造熟练运用工程品质工具、具备全面质量管理能力的专业人才队伍,搭建质量信息沟通与数据共享机制,跟踪客户端产品实际使用表现,多维度降低产品潜在风险,为公司高质量发展筑牢坚实基础。

②公司深耕精益运营管理,持续推动各事业部实现精细化运营。

基于市场供需动态分析,公司围绕QDC（质量、交付、成本）三大核心运营目标,运用科学方法优化生产策略,持续优化柔性制造体系,有效提升客户交付满意度。

公司聚焦“成本领先”战略,系统性开展成本优化专项活动：研发端运用VAVE价值分析与价值工程推动技术创新与设计降本；制造端通过VSM价值流分析及精益改善工具,实现精益化转型与工艺持续优化；运营端将日常管理（DM）与数字化赋能深度融合,多维度协同推进增效降本与管理革新。

同时公司大力推进智能化改造升级,重点落地IoT工业物联网、EAP等技术在制造过程与自动化设备管理中的应用,持续扩大数据采集覆盖范围,顺利通过国家卓越级智能化工厂/车间评审,以点带面提升整体数智制造水平。

生产工艺环节,依托数字化与AI工具持续优化关键制造参数；生产运营端通过生产数据采集与精益日常管理相结合,推动制造体系向数字化、网络化、智能化方向全面演进。

2.报告期内业绩变动原因说明报告期内,全球半导体行业延续向好态势,新能源汽车、AI、低空经济等新兴应用领域需求旺盛。

公司精准聚焦市场需求,积极落实产品领先战略,通过持续加大研发投入,推动高附加值产品矩阵不断完善升级。

公司持续深化全球产业链布局,加快海外产能建设,海外销售收入快速增长,全球化发展势头强劲。

同时,公司深耕精益生产,推进全流程精细化管控,降本增效成效显著,实现了经营质量与效益的稳步提升。

1.行业格局和趋势半导体作为现代信息产业的发展基石,是智能电气化时代的核心驱动力。

全球半导体产业在近几十年来发展迅速,在材料体系、制程工艺及场景应用等维度持续突破,形成了庞大的产业规模。

集成电路、分立器件、光电器件与传感器等共同构建了现代半导体产业的版图,并且逐步从第一代的硅、锗等单元素半导体向以碳化硅SiC、氮化镓GaN等宽禁带化合物为代表的第三代半导体发展,应用领域延展至人工智能、新能源汽车、光伏发电、航空航天等战略产业领域,成为现代工业领域的“明珠”。

围绕着半导体领域的技术竞争、贸易壁垒、国际争端不断深化,世界各国也加强构建自主可控半导体技术体系。

在全球人工智能、AI数据中心、汽车电气化和智能化等需求的持续带动下,未来全球半导体行业发展将迎来增长浪潮。

据WSTS统计,2025年全球半导体行业市场规模（以销售额口径统计）7722亿美元,同比增长预计达到22.5%。

2026年预计达9755亿美元,同比增长26.3%。

分立器件作为半导体产业的重要分支,在电力电子的各个领域有着广泛应用,如果将集成电路比喻为人体的大脑,分立器件就是人体的血管,其长期稳定的运行保证了电子器件的安全及寿命,关系到现代电气及电子工业的安全。

根据WSTS机构统计,2025年全球分立器件市场规模（以销售额口径统计）309亿美元,2026年将达334.4亿美元,同比增长8.2%,预计未来均将继续保持温和增长态势。

针对中国市场,国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。

产业链高附加值环节的国产替代尤为重要,全球贸易争端将持续加速中高端功率器件国产化进程,替代逻辑由资本驱动转向内循环市场驱动,更多国内新基建、新能源、数字经济、信息消费场景的整机系统厂商将加速推进国产芯片及器件的验证和采购。

国家“十五五”规划和2035年远景目标纲要提出要加快发展现代产业体系,坚持自主可控、安全高效,加快补齐基础元器件的瓶颈短板。

半导体产业的国产替代和海外替代将持续加速进行,因此从中长期来看,中国本土企业仍将有着较好的市场发展机会。

随着汽车电子、清洁能源、AI数据中心等产业的发展,以及世界各国对碳排放管理愈加严格（如中国政府制定的“碳达峰、碳中和”政策）,带来了大功率充电、节能元器件的需求,以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件,因其优秀的高效能特性,正在逐步替代硅基半导体功率器件的市场空间,越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列,受到车用、工业与AI需求的助力,2025年第三代半导体也呈现出较高增长态势。

据Yole最新预测,碳化硅功率器件市场2024年至2030年期间将以20%的复合年增长率（CAGR）增长,到2030年市场规模将突破百亿美元。

作为新一代半导体,第三代半导体必定是支撑起新能源汽车、AI数据中心等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。

2025年,具身智能行业正加速迈进量产阶段,迈入了规模化商业应用的快速增长通道。

根据市场机构Omdia统计,2025年全球人形机器人总出货量超1.4万台,市场进入快速增长阶段。

在这一进程中,功率器件发挥着至关重要的作用,它们在电机驱动、电源管理以及感知系统等模块部件中扮演着关键角色。

根据TrendForce集邦咨询的预估,2025年全球AI服务器的出货量年增长率达24.1%,2026年预计同比增长20.9%,在整体服务器的出货占比达到17.2%。

功率器件在其中同样发挥着不可或缺的作用,它们被广泛应用于电源转换、功率放大与开关、线路保护以及不间断电源等重要环节：MOSFET碳化硅因其极小的反向恢复损耗可被广泛应用于AI数据中心；MOSFET和IGBT等功率半导体器件则作为功率放大器和开关,实现了对电源的高效管理和分配；二极管和ESD保护器件等则有效防止了电路因过电压、过电流以及静电放电等问题而遭受损坏。

2.公司发展战略（1）公司肩负“成为世界信赖的功率半导体伙伴”的使命,秉持“客户第一、敬业专业、诚信正直、创新卓越”的核心价值理念,紧紧围绕电力电子元器件产业方向,持续推进“产品领先、卓越运营、全球发展”三大发展战略。

（2）在产品方面,公司将坚定不移地在功率半导体领域深耕,并借助于市场和产品等优势逐步向横向和纵向产品矩阵拓展。

在功率半导体方面：形成由商用器件向车规器件,小功率器件向大功率器件,硅基器件向SiC器件拓展的三大产品组合,分别是：以商用标准器件、保护器件、光伏二极管、整流模块、晶圆、硅片等产品线为主的H1（核心业务）业务,以MOSFET、汽车电子等产品线为主的H2（成长业务）业务,以SiC、IGBT、逻辑IC产品线为主的H3（新兴业务）业务,构建更加全面立体的一站式、全品类解决方案能力。

坚持“产品全、价格好、质量优、交付快”的价值主张,通过不断的研发投入提升产品性能和品类,为战略客户提供技术解决方案。

坚持以“IDM+Fabless”相结合的业务模式,强化从硅材料到晶圆设计制造再到封装测试的传统一体化优势,不断强化在第三代半导体等新产品领域的能力构建和产品开发,同时积极与优秀的外部平台开展战略合作,持续保持公司在行业中的领先地位。

（3）在运营方面,面对全球产业链重构与跨行业竞争加剧带来的品质升级及成本管控双重挑战,公司立足企业使命与长期发展战略,确立卓越运营管理理念。

公司以行业视角统筹产业链资源整合,以精益运营与零缺陷质量管理体系为双核心,构建IDM模式下的精益运营能力,锻造公司持续品质提升与成本优化的核心竞争力。

（4）在全球化方面,公司坚持全球化经营发展的战略,瞄准全球科技和经济发展的重点领域和重点区域,逐步构建起包括品牌、渠道、研发、生产为一体的全球化解决方案能力。

在品牌建设方面,深化“双品牌”+“双循环”及品牌产品差异化的业务模式,以把握全球发展机遇,快速扩大海外销售占比,充分发挥海外品牌优势,利用渠道商的产品Design-In能力,开拓全球化大客户,提升公司及产品的品牌价值与国际知名度。

在市场拓展方面,继续保持和提升公司在传统领域的优势,积极扩展进入Ai数据中心、具身智能、汽车电子、清洁能源等高端市场；持续推进大客户战略,重点布局全球范围重点行业Top10客户,以最优质的产品质量和服务满足客户的核心诉求,建立坚固的客户伙伴关系。

在研发布局方面,继续加大全球研发中心的投资布局,加大海外研发中心的投资。

在生产制造方面,继续加大越南工厂的投资力度,扩大产能和产品品类,由车规级封装拓展到车规级晶圆制造,为全球客户提供一站式供应服务。

（5）可持续发展方面,公司坚持创新可持续、制度可持续、核心竞争力可持续的发展战略,不断完善安全生产管理体系,持续创新。

同时,响应国家2030年前实现碳达峰,2060年碳中和的号召,建立能源管理系统,优化环保体系,投资升级自动化生产线,技术改造优化生产工艺,降低碳排放；制定全面碳排改善清单,并由单一生产基地推广至全部基地,不断付诸实际行动助力脱碳发展,以实际行动践行绿色高质量发展。

3.2026年度经营计划（1）产品领先方面①2026年,公司将继续以客户和市场需求为导向,进一步加大新产品的研发投入,尤其针对车用标准器件、MOSFET、IGBT、SiC等相关产品,持续加大在汽车电子、清洁能源、AI数据中心和具身智能等细分市场的研发投入,推动产品上市,进一步加强日本、德国、英国等海外研发中心的建设,扩充海外研发人员的规模和产品线覆盖,从产品设计、技术改进、工艺提升等各个领域加大研发力度,攻坚克难持续提高产品质量,丰富产品类型。

积极响应国家通过科技创新实现高质量发展的号召,持续优化研发人员激励机制,促进全体研发部门不断优化产品设计,取得技术工艺新突破,降低生产成本,实现资源利用率与生产效率的双提高。

②公司将积极推进重点研发项目的管理实施,通过研发项目不断提升公司产品的技术附加值,扩展产品的广度和深度。

汽车电子领域：SiC方面,基于扬杰自制fab.平台推出15mΩ1200V主驱使用芯片,30、40、60mΩ1200VOBC和DCDC使用芯片；IGBT方面,进一步推出G2/G3平台微沟槽系列40A、80A1200V车规系列产品做深PTC、压缩机控制器市场,开发750V及1100V、1400V新平台产品；MOSFET方面,进一步丰富SGT主流N管车规平台系列开发及逐步迭代至Gen4.0代提升成本竞争力,以及40V-100VP管系列开发全面推向市场,同时针对48V系统应用的80V,100V系列产品进行系列化开发并全面推向市场；车用标准器件方面全面对标国际一线品牌上市更多的产品系列,提升汽车电子客户BOM的匹配率；与Tier1/终端车企合作,开发超低寄生电感、更高功率密度的SiC模块,以及汽车电子功率分立器件系列先进封装上市上量。

AI数据中心、工业及清洁能源领域：SiC方面：推出针对AI数据中心市场G3M平台系列产品,实现在AI数据中心的应用突破；IGBT方面,G2/G3微沟槽平台系列产品持续上市上量,公司650V1200V及1700V平台产品在传统工控、光储充持续深耕突破；MOSFET方面,针对DCFan,微逆变,AIServer,机器人等领域推出175℃高可靠性及宽SOA30V,80V,100V和150V系列产品；标准器件方面,推出WettableFlankDFN系列产品,现有产品向更小封装及更高封装密度去迭代升级。

③公司将持续完善研发体系,贯彻IPD体系落地,引入业界最优研发流程PLM（产品全生命周期管理系统）优化落地执行,加速产品研发周期、研发成功率。

完善研发基础数据库的构建,研发专业知识的管理平台搭建；为持续高效的研发产出做好系统基础。

（2）卓越运营方面①2026年,公司将进一步强化销售战区和事业部经营双利润中心机制,持续升级扬杰精益运营体系（YBS）建设,确保严格遵循IATF16949及VDA6.3质量管理体系,深化与外部战略供应商协同合作,以自动化、数字化、智能化为抓手,全面提升运营效能,降低生产成本。

②公司将全面推进卓越运营管理,深入落地三五二战略,以精益转型为核心抓手,全面提升经营质效。

由管理团队牵头,聚焦销售增长、精益生产、供应链优化三大关键维度,系统推进精益变革。

1）销售增长方面,导入DBS运营体系,以标准化、体系化方法驱动高质量增长；2）精益生产方面,深化精益工具应用,融合数字化与AI技术,加速精益成果转化与价值释放,同步培育公司精益专业人才梯队。

加快构建数字化精益管理体系,以数字化手段贯通绩效管理全流程,开展多维度“比学赶帮超”竞赛,提炼形成可推广、可复制、可传承的优秀实践与管理模式,持续激发组织活力。

以改善周为常态化载体,紧盯经营改善目标,推动各部门高效协同,持续提升产品质量、运营效率与成本管控水平,不断夯实并强化公司核心竞争优势。

3）供应链优化方面,2026年公司将持续推动ISC集成供应链流程优化,深化SAP-IBP信息化项目应用,系统导入数字化排产工具RTD在制造现场排产的应用,打通供应链至制造端机台的全链路数据与流程,通过流程梳理与IT系统固化双重落地,全面提升供应效率与生产运营稳定性,全力提升客户交付满意度,有效应对市场需求波动与外部供应链挑战。

通过构建端到端快速响应的产销协同机制,精准识别交付风险、降低交付成本、提升交付能力,为抢抓市场份额提供坚实保障。

（4）全球发展方面①公司将持续推进国际化战略布局,加大国际市场的资源投入,加强海外市场与国内市场的双向联动,实现产品认证与批量合作的无缝对接；同时深化“双品牌”+“双循环”及品牌产品差异化的业务模式,实现全球市场渠道覆盖。

2026年,继续扩大汽车电子、清洁能源、工业自动化、AI数据中心、具身智能等领域的销售份额,确保核心业务的市场地位的同时,使用销售铁三角的模式不断提高重点新兴领域头部客户的功器半导体器件销售占比。

②2026年进一步加大全球研发布局,进一步在海外进行资源投入,开设多个研发办公室,形成国内和海外研发产品差异化的布局。

③2026年,为落实公司国内、国外双循环的战略,为了进一步健全海外IDM供应链,在越南基地投资了首座车规级6吋晶圆工厂,年产240万片,预计2027年一季度量产。

美微科（越南）有限公司车规级封装及晶圆的量产标志着公司从产品出海到制造、技术出海的战略升级落地,为公司积极开拓国际市场、加速全球化进程上迈出了坚实的一步。

（4）外延发展方面2026年,公司将继续完善和拓宽外延式增长路径,积极与半导体产业内具有技术或渠道优势、具有较强竞争实力及盈利能力的优质海外公司、本土公司深度交流合作,不断丰富公司的半导体产业质态,实现公司整体规模和综合实力的快速提升。

梁勤,女,1971年10月出生,大专学历,高级经济师,全国工商联第十二届、十三届执行委员会委员,江苏省总商会副会长,扬州市人大常委会委员,扬州市女企业家协会会长,多次入选福布斯中国杰出商界女性100榜单。

曾荣获全国关爱员工优秀民营企业家、全国电子信息行业优秀企业家、全国三八红旗手、全国巾帼建功标兵、江苏省劳动模范、江苏省优秀青年企业家、江苏省优秀民营女企业家、江苏省第五届优秀中国特色社会主义事业建设者、江苏省妇联“爱心捐助先进个人”、江苏省三八红旗手、扬州市十大经济新闻人物、扬州市十大功臣、扬州英才培育计划第一期中青年优秀企业家等荣誉称号。

曾任江苏扬杰投资有限公司执行董事、总经理,扬州扬杰电子科技股份有限公司总经理,扬州杰利半导体有限公司董事长,江苏扬杰半导体有限公司董事长、总经理,成都青洋电子材料有限公司董事长,湖南杰楚微半导体科技有限公司总经理、董事长,杭州怡嘉半导体技术有限公司执行董事等。

现任江苏扬杰投资有限公司董事长,建水县杰杰企业管理有限公司执行董事,扬州扬杰电子科技股份有限公司董事长,扬州杰利半导体有限公司董事、总经理,江苏扬杰半导体有限公司执行董事,香港美微科半导体有限公司董事,Micro Commercial Components Corporation董事长,Caswell Industries Limited董事,扬杰电子韩国株式会社理事,成都青洋电子材料有限公司董事,宜兴杰芯半导体有限公司董事,四川雅吉芯电子科技有限公司董事,扬州杰冠微电子有限公司董事长,MCC SINGAPORE PTE. LTD董事,雅迪集团控股有限公司独立董事。

沈颖,女,1973年6月出生,本科学历。

扬州市邗江区妇女联合会第十一届执行委员会兼职副主席,扬州市维扬经济开发区妇女联合会第二届执行委员会兼职副主席,扬州市维扬经济开发区总工会名誉副主席。

曾荣获扬州市优秀工会工作者、扬州市三八红旗手、扬州市五一巾帼标兵称号、五一劳动奖章、扬州市五星工会主席称号等。

曾任扬州市金属材料总公司财务部总账会计,江苏扬杰投资有限公司财务经理、人事经理,建水县杰杰企业管理有限公司监事等。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司副总裁。

刘从宁,男,1975年10月出生,本科学历。

曾任江苏扬杰投资有限公司广州办事处经理、副总经理,扬州扬杰电子科技股份有限公司常务副总经理、总经理,成都青洋电子材料有限公司董事,江苏扬杰润奥半导体有限公司董事长、扬州国宇电子有限公司董事等。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司副董事长、副总裁,扬州杰利半导体有限公司董事,江苏美微科半导体有限公司执行董事、总经理,深圳市美微科半导体有限公司执行董事、总经理,成都青洋电子材料有限公司董事长,建水县杰杰企业管理有限公司监事,四川雅吉芯电子科技有限公司董事长,MCC SINGAPORE PTE. LTD董事,扬州良茂投资有限公司监事,扬州东兴扬杰研发有限公司董事,日本扬杰科技有限公司董事。

徐小兵,男,1970年4月出生,大专学历。

曾任职扬州市港务总公司,江苏扬杰投资有限公司宁波办事处经理、闽浙区经理、光伏项目经理,扬州扬杰电子科技股份有限公司董事,宜兴杰芯半导体有限公司董事长等。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司职工代表董事、副总裁,上海芯扬杰电子有限公司执行董事,扬杰科技(无锡)有限公司执行董事、总经理,宜兴杰芯半导体有限公司董事。

梁瑶,男,1975年10月出生,高级经济师,研究生学历,扬州大学硕士、清华大学硕士,扬州市智能产业协会理事长,南京邮电大学校友理事会名誉理事,中国管理思想与商业伦理专业委员会副秘书长,扬州市APEC商务旅游卡协会会长。

曾荣获“新财富金牌董秘”、“邗江区科技创新工作先进个人”、“扬州市优秀共产党员”、“江苏省新兴领域特级党务工作者”称号等。

曾任南京邮电大学辅导员、助教,江苏扬杰投资有限公司监事,中国人寿保险股份有限公司扬州市分公司办公室主任,江苏扬杰半导体有限公司董事,扬州扬杰电子科技股份有限公司副总经理、董事会秘书,杭州之壹投资管理合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人等。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司副董事长,扬州良茂投资管理合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人,深圳之一投资有限公司监事,扬州良茂企业管理合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人,扬州杰晟投资管理合伙企业(有限合伙)执行事务合伙人,扬州良茂投资有限公司执行董事,扬州东兴扬杰研发有限公司董事长、总经理,扬州长水智能科技有限公司董事。

戴娟,女,1978年11月出生,大专学历。

曾任江苏扬杰投资有限公司信用部经理,盐城杰明光伏电力有限公司监事,江苏环鑫半导体有限公司董事等。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司副总裁、财务总监,扬州杰利半导体有限公司董事,江苏扬杰半导体有限公司监事,深圳市美微科半导体有限公司监事,湖南杰楚微半导体科技有限公司董事,杭州怡嘉半导体技术有限公司执行董事,扬州杰嘉电子材料有限公司监事。

陈润生,男,1979年1月出生,本科学历。

曾任精成电子科技集团公司品质工程师,上海海湾电子科技有限公司品质工程师、品质部经理、品质部协理,扬州扬杰电子科技股份有限公司品质部副总经理,制造运营副总经理,江苏环鑫半导体有限公司董事、总经理。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司董事、总裁,江苏美微科半导体有限公司监事,扬州杰冠微电子有限公司董事,湖南杰楚微半导体科技有限公司董事长,香港东森半导体有限公司董事长。

王金雄先生,男,1973年1月出生,博士学位。

曾任敦南科技股份有限公司业务副总经理,达尔科技股份有限公司资深协理,节能元件股份有限公司资深副总裁,MCC亚洲区营销总经理。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司副总裁。

黄治国,男,1977年2月生,研究生学历,中山大学硕士,工商管理专业。

曾任美的集团股份有限公司董事长秘书室经理,美的学院创办院长,美的小家电管委会成员兼运营与人力资源总监,长沙远大住宅工业集团有限公司历任高级副总裁兼华南事业部总经理、企管部总监,上海相宜本草化妆品股份有限公司董事,崇达技术股份有限公司独立董事等。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司董事,长沙市玉台塾管理咨询有限公司执行董事、总经理,湖南职闯网络科技有限公司执行董事、总经理,华勤技术股份有限公司独立董事。

秦楠,女,1987年5月出生,本科学历。

具有深圳证券交易所董事会秘书资格证书。

2011年2月至今就职于扬州扬杰电子科技股份有限公司,历任财务部职员、证券部主管、证券高级主管、证券事务代表。

现任扬州扬杰电子科技股份有限公司董事会秘书。

GUO QIANG,男,1965年11月生,南京大学物理系硕士,新加坡国立大学物理系博士,IEEE高级会员,曾荣获“上海市海外高端人才”、“上海市临港英才”等多项荣誉称号。

曾任南南高科技研究开发有限公司研发部门项目经理,新加坡特许半导体主任工程师,新加坡微电子研究院部门主管、首席研究员、硕士及博士联合导师,上海宏力半导体制造有限公司部门经理、博士后导师,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司总监,武汉新芯集成电路制造有限公司副总裁、资深副总裁,长江存储科技有限责任公司资深副总裁,上海先进半导体制造有限公司首席运营官,上海积塔半导体有限公司首席运营官、首席执行官,芯盟科技有限公司资深副总裁,上海集成电路材料研究院首席运营官等。

现就职于上海新微技术研发中心有限公司,任扬州扬杰电子科技股份有限公司独立董事。

刘志弘,男,1959年11月生,清华大学本科毕业,高级工程师。

曾任北京半导体器件五厂工程师,清华大学微电子学研究所集成电路试验线主任高级工程师、集成室高级工程师,清华大学实验室主任高级工程师,中电华清微电子工程中心有限公司总经理,复旦大学宁波研究院技术顾问等。

现任泰科天润半导体科技(北京)有限公司技术顾问,湖州炎弘电子有限公司监事,深圳飞骧科技股份有限公司独立董事,北京凯德石英股份有限公司独立董事,北京领峰金诚科技有限公司监事,高频(北京)科技股份有限公司独立董事,扬州扬杰电子科技股份有限公司独立董事。

于平,男,1967年7月生,研究生学历,高级审计师。

曾任扬州市审计局审计事务所主任,扬州海昌新材股份有限公司独立董事,江苏新扬新材料股份有限公司独立董事,江苏奥力威传感高科股份有限公司独立董事,扬州东升汽车零部件股份有限公司独立董事等。

现就职于扬州汇诚联合会计师事务所(普通合伙),任扬州汇诚税务师事务所有限公司总经理,江苏辰诚工程咨询有限公司执行董事,扬州扬杰电子科技股份有限公司独立董事。