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捷捷微电的公司基本信息

公司全称
江苏捷捷微电子股份有限公司
上市日期
2017-03-14
成立日期
1995-03-29
所属地区
江苏省
董事长
黄善兵
法人代表
黄善兵
总经理
黄健
董事会秘书
张家铨
控股股东
江苏捷捷投资有限公司
实际控制人
黄善兵、黄健、李燕
板块(三级)
分立器件
会计师事务所
容诚会计师事务所(特殊普通合伙)
法律顾问
上海申浩(南通)律师事务所
组织形式
大型民企
币种
CNY
注册资本(万元)
83,207.9919
员工人数
3,219
联系电话
0513-83228813
公司网址
www.jjwdz.com
办公地址
江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号
注册地址
江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号
公司简介
专注半导体与电力电子元器件研发,行业内规模大,地位显著。
主营业务
功率半导体芯片和器件的研发,设计,生产和销售

捷捷微电的经营评述

报告期 报告名称
2025-12-31 2025年报

2025-12-31 · 经营评述

根据《国民经济行业分类与代码》(GB/T4754-2017)公司所处行业为计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)和电气机械和器材制造业(C38),属于《产业结构调整指导目录》鼓励类范畴,同时,隶属于国家鼓励的战略性新兴产业范畴。

公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,具备以先进的芯片技术和封装设计、制程及测试为核心竞争力的业务体系,业务模式以IDM模式为主。

公司是集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率(电力)半导体器件制造商和品牌运营商。

公司主营产品为各类电力电子器件和芯片,分别为:晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片(包括:TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等)、二极管器件和芯片(包括:整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等)、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件、光耦、模块及组件、碳化硅器件等。

公司所处的行业是功率半导体分立器件行业,分立器件是电力电子产品的基础之一,也是构成电力电子变化装置的核心器件之一,主要用于电力电子设备的变频、变相、变压、逆变、整流、稳压、开关、增幅、保护等,具有应用范围广、用量大等特点,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网等众多国民经济领域均有广泛的应用。

公司通过了IATF16949汽车行业质量体系认证、ISO9001质量体系认证、ISO14001环境体系认证、ISO45001职业健康体系认证、QC080000有害物质过程管理体系认证、UL安全认证、SGS环保标准鉴定认证、知识产权管理体系认证、两化融合管理体系等规定,公司产品应符合UL电气绝缘性要求、RoHS环保要求、REACH化学品注册、评估、许可和限制要求、无卤化等。

一、目前公司主要经营模式:公司晶闸管系列产品、二极管及防护系列产品采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式,即集功率半导体芯片设计、制造、器件设计、封装、测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体。

公司MOSFET及IGBT系列产品采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和少部分产品的委外流片相结合的业务模式,目前,部分芯片为委外流片,部分器件封测代工。

目前,公司具体经营模式如下:1、采购模式公司物资管理部负责原材料、辅助生产材料的采购,具体采购程序如下:(1)根据采购计划对采购产品进行分类(2)采购信息的编制和确定物资管理部根据《采购计划单》编制《采购合同》,主要原材料采购文件应包括拟采购产品必要的信息。

如有必要,物资采购部应请相关技术、品质管理部参与采购要求和规范的制定,或与供方共同制定采购要求和规范,以便利用供方专业人员的知识使公司获益。

(3)采购的执行物资管理部根据经批准的《采购合同》,在《合格供方名录》的供方范围内进行采购。

采购通常以与供方签订供货合同的方式进行,以明确采购产品的价格、交货期限、技术标准、验收条件、质量要求、违约责任等相关内容;对于长年供货的供方,物资管理部在以合同的方式向供方明确采购产品的技术标准、验收条件、质量要求、违约责任等相关内容后,可以采用传真购货或口头通知的方式进行具体的采购;物资管理部应及时跟踪采购进度,反馈给相关部门。

(4)采购产品的验证物资管理部应协调采购产品的验证活动;当公司或公司客户提出在供方的现场实施验证时,物资管理部应在采购信息中对需要在供应商现场开展验证的安排作出规定;采购产品到达公司后,材料仓库进行登记并存放于待检区,报相关技术、品质管理部进行检验;与供应商签订的技术协议应交品质管理部进行审核,品质管理部负责技术协议文件的管理和发放,确保公司使用的技术协议是现行有效的。

2、生产模式(1)晶闸管和防护器件公司根据销售订单要求,制定生产计划,由技术管理部制定工艺卡、作业指导书和检验规程,交给生产人员在生产中参照执行。

公司生产部门分为芯片制造部和封装制造部,生产模式如下:①生产计划和任务单芯片制造部/封装制造部根据产品要求评审的结果,考虑库存情况,并结合公司的生产能力,制定《生产计划单》;芯片制造部/封装制造部根据《生产计划单》,组织下达《随工单》安排生产;②动力设备部负责按《设备管理控制程序》的规定做好生产设备的管理、维护和保养工作。

③生产过程控制A.技术管理部负责编制适宜让生产员工清楚理解的工艺卡、作业指导书和检验规程;B.芯片制造部/封装制造部组织和监督操作者严格依据文件的要求进行操作,做好自检和互检要求的记录;C.品质管理部根据《产品的监视和测量控制程序》的要求进行产品检验,按《纠正措施控制程序》和《预防措施控制程序》的要求对异常现象进行整改和预防。

(2)MOSFET公司MOSFET采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务模式。

公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,由于产能紧张及发挥产业内的协同创新作用,芯片一部分用于公司自主封装,另一部分委托外部封测厂进行封测。

除部分产品的芯片制造由代工厂代工生产外,公司MOSFET产品与晶闸管和防护器件产品生产模式一致。

以下为部分芯片委外流片的模式图:标准按照质量部编制规范检验。

①工程部门在线WIP跟踪,运营部负责协助处理。

②封测委外A.运营部接到销售或者工程部门计划后,经过运营负责人审批后,制定封装计划下发供应商。

B.物资管理部根据运营订单,安排对应的芯片发货。

C.供应商按照订单进行加工,产出后供应商需要以邮件形式给出正式出货邮件,出货邮件需要包含型号、数量、订单号,同时及时上传数据到FTP。

D.运营部负责产品收货,根据封装厂商出货清单核实后发货。

E.质量部根据检验规范进行入库检验,检验不合格由相关人员进行检验处理。

(3)IGBT公司IGBT采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务模式。

公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,由于产能紧张及发挥产业内的协同创新作用,芯片一部分用于公司自主封装,另一部分委托外部封测厂进行封测(主要为消费领域类器件)。

除部分产品的芯片制造由代工厂代工生产外,公司IGBT产品与晶闸管和防护器件产品生产模式一致。

以下为部分芯片委外流片的模式图:标准按照质量部编制规范检验。

①工程部门在线WIP跟踪,运营部负责协助处理。

②封测委外。

A.运营部接到销售或者工程部门计划后,经过运营负责人审批后,制定封装计划下发供应商。

B.物资管理部根据运营订单,安排对应的芯片发货。

C.供应商按照订单进行加工,产出后供应商需要以邮件形式给出正式出货邮件,出货邮件需要包含型号,数量,订单号,同时及时上传数据到FTP。

D.运营部负责产品收货,根据封装厂商出货清单核实后发货。

E.质量部根据检验规范进行入库检验,检验不合格时进行相应处理。

(4)光电耦合器公司光电耦合器采用分公司+总部垂直整合(IDM)一体化的经营模式相结合的业务模式。

公司部分产品的接收芯片采购其他外部公司产品,所有LED芯片均采购其他公司产品,由于产能紧张及发挥产业内的协同创新作用,一部分产品委托外部封测厂进行封测。

除部分产品的芯片采购其他公司产品外,公司光电耦合器产品与晶闸管和防护器件产品生产模式一致。

公司根据销售订单要求,制定生产计划,由光耦产品线技术部制定工艺卡、作业指导书和检验规程,交给生产人员在生产中参照执行。

公司生产部门主要为封装制造部,生产模式如下:①生产计划和任务单生产计划部根据产品要求评审的结果,考虑库存情况,并结合公司的生产能力,制定《生产计划单》;封装制造部根据《生产计划单》,组织下达《随工单》安排生产;②动力设备部负责按《设备管理控制程序》的规定做好生产设备的管理、维护和保养工作。

③生产过程控制A.技术管理部负责编制适宜让生产员工清楚理解的工艺卡、作业指导书和检验规程;B.封装制造部组织和监督操作者严格依据文件的要求进行操作,做好自检和互检要求的记录;C.品质管理部根据《产品的监视和测量控制程序》的要求进行产品检验,按《纠正措施控制程序》和《预防措施控制程序》的要求对异常现象进行整改和预防。

(5)模块公司根据销售订单要求,制定生产计划,由技术部制定工艺卡、作业指导书和检验规程,生产部门按照标准进行生产作业,生产模式如下:①生产计划模块计划部根据产品要求评审的结果,考虑库存情况,并结合公司的生产能力,制定《生产计划单》;模块制造部根据《生产计划单》,组织下达《随工单》安排生产。

②模块设备科负责按《设备管理控制程序》的规定做好生产设备的管理、维护和保养工作。

③生产过程控制A.技术管理部负责编制工艺卡、作业指导书和测试规范和检验规范;B.模块制造部组织和监督操作者严格依据文件的要求进行操作,做好自检和互检要求的记录;C.品质管理部根据《产品的监视和测量控制程序》的要求进行产品检验,按《纠正措施控制程序》和《预防措施控制程序》的要求对异常现象进行整改和预防。

3、研发模式公司主要采用自主研发模式,公司设有工程技术研究中心,主导新技术、新产品的研究和开发。

为提高研发人员的积极性,公司建立了鼓励发明创造的奖励制度。

该奖励制度不仅提高了研发人员的工作积极性,还可以激励全体员工参与技术革新活动,取得了较为明显的成效。

公司研发活动按照以下流程开展:(1)项目来源公司研发项目主要来源于以下三个方面:一是工程技术研究中心基于对行业发展趋势的深入调研并结合公司发展战略和发展目标,选择新技术、新工艺、新产品进行研发;二是公司市场部/销售部通过对市场需求进行综合调研后,对前景广阔且市场需求大的新产品、新技术、新工艺提出立项申请;三是来源于客户定制化产品的研发需求。

(2)项目立项工程技术研究中心接到新产品需求信息后对产品需求信息进行初步论证,如初步论证可行,则召开项目立项会议,确定项目研发内容和项目负责人并组建项目组,正式启动项目研发工作。

(3)设计和开发项目组根据设计和开发的相关要求,开展设计和开发工作。

设计和开发完成后,将召开评审会议,对项目是否已经完成设计和开发工作并取得相应的研发成果予以评定。

(4)反馈和纠正项目组根据会议评审结果,对项目设计和开发方案予以进一步完善,并将修改和完善的内容及时反馈给工程技术研究中心主任。

(5)产品试制项目组在品质、生产等相关部门的配合下,依据评审确定的设计和开发方案进行打样,样品质量及性能由质量管理部负责检验和认定。

如样品经检验并经客户验证合格,则召开项目评审会,对样品的性能参数予以全面评估,如评估认定样品的性能参数通过项目验收,则进入批量试生产阶段。

(6)小批量试生产产品试制通过后,进入小批量试生产环节。

项目组指定具体研发人员全程跟踪小批量试生产的作业状况和产品品质,如小批量试生产产品符合相关要求,项目组提交批量投产申请,批量投产申请获得批准后,项目组将设计和开发成果移交生产部门进行大批量生产,项目研发工作结束。

4、销售模式(1)营销理念公司的营销理念为:建立售前、售中、售后一体的市场营销团队,发展知名品牌客户和优质渠道商,与客户形成战略性合作,树立公司国际品牌形象,提高市场占有率。

(2)营销方式公司产品应用的市场领域较多,产品规格多,且对产品性能要求各异。

公司既销售公司通用规格的产品,也可以根据客户的诉求为其设计、生产定制化产品,并可对客户提供全方位的技术服务。

具体销售流程如下:A.公司销售人员与客户进行初步沟通,了解客户的产品用途、需求、用量、付款条件等信息,及已有产品不足之处或预期产品需要达到的最佳效果,为客户提供选型服务或建议,与客户建立初步合作关系;B.如客户有特殊要求,销售人员应与应用工程师或其他部门工程师共同评估公司产品是否满足客户的要求,并选择合适的产品型号;C.销售人员和区域销售经理评估客户信誉状况,选择合作模式,后续按照此模式逐步推进合作;D.销售人员提供给客户相应产品的规格书,向客户介绍公司产品特点、性能指标,帮助客户认识、了解公司的产品及性能,并听取客户进一步的意见;E.根据进度安排,销售人员准备好选型的样品提供给客户,及时跟进客户的试验情况,与客户沟通解决试验中遇到的问题,最终达到客户要求的理想效果;F.针对有特殊要求的客户,如其用量较大或其应用具有领域代表性,公司可为其设计、生产定制化产品,定制化产品销售流程如下:a.销售人员了解客户的产品特殊要求、产品应用领域、时间进度表、需求量、目标价格、付款条件等信息,填写《定制产品需求单》,交由区域经理或市场部、营销部正/副部长审核评估;b.市场营销部将《定制产品需求单》送交相关技术部门和质量中心,品质管理部组织各部门对定制产品的市场潜力、产品性能以及公司的生产能力、物料物资、资金情况等进行评估,将评估结果向总经理汇报,由总经理做出最终批示;c.根据总经理同意生产定制产品的批示,市场营销部与客户签订定制产品加工合同;各部门按照分工开始生产样品,样品完成后,由相关技术部门完成产品的考核和试验;d.样品达到预期的性能指标后将该样品的试验结果和样品提供给客户进行产品试验,及时跟进客户的试验情况,改善产品性能并重新送样,最终满足客户要求的理想效果;e.根据客户定制产品的试验、生产情况,公司各部门对定制产品进行总结,确定是否将定制产品纳入公司标准产品的量产计划中。

5、质量管理模式(1)质量管理目标根据IATF16949汽车行业质量体系认证、ISO9001质量体系认证、ISO14001环境体系认证、ISO45001职业健康体系认证、QC080000有害物质过程管理体系认证、UL安全认证、SGS环保标准鉴定认证、知识产权管理体系认证、两化融合管理体系等规定,公司产品应符合UL电气绝缘性要求、RoHS环保要求、REACH化学品注册、评估、许可和限制要求、无卤化等要求,明确各级人员的质量管理职责与权限,以保证公司质量体系持续有效运行,并最终获得顾客满意。

(2)质量管理体系由公司质量中心负责构建公司质量体系、有害物质减免管理体系、环境及职业健康安全管理体系相关的规章制度,确保公司产品质量符合品质标准、公司运营活动符合相关政策法规要求;同时,公司坚持持续改进及全员参与质量管理的理念,鼓励所有员工参与质量管理工作,建立TQM管理模式,通过8D方法、QCC等活动体现全员参与和持续改进的质量管理模式,通过建立《数据分析与持续改进控制程序》、《纠正预防措施控制程序》、《QCC活动管理办法》、《8D控制程序》等程序来确保质量管理体系持续改进的要求。

(3)质量过程控制A.满足顾客要求过程中的质量控制:确保顾客要求得到评审并传达到相关部门执行,顾客抱怨采用8D的方法并在客户要求的时间内提供相应改善报告,FA实验室的建设满足顾客对失效品的原因分析从而制定有效地改善措施;B.研发过程质量控制:设定产品研发项目质量负责人,参与整个项目的质量管理,建立项目质量计划,确保研发过程中采用过程方法、FMEA/APQP/PPAP/MSA/SPC/DOE等质量工具,其中Fabless+封测业务模式需要外协供应商参与整个研发过程尤其是产品的工艺研发由供应商负责开发,本公司研发人员确认;C.生产过程质量控制:在生产过程中都需要应用CP/MSA/SPC/DOE等质量工具,同时需要建立首末件检验,过程检验、入库及出库检验机制。

IDM模式在公司内部由本公司质量中心直接监控或者执行,委外代工的业务模式由供应商质量部直接负责,公司对其从体系上进行保证,重点在于供应商的管理。

公司成立独立的SQE部门从供应商的选择开始进行控制,通过使用IATF16949/VDA6.3等审核工具对其进行年度现场稽核,通过产品质量的月度、年度绩效考核来监控供应商的交付质量绩效,对其变更控制作为重点进行管控;D.管理过程质量控制:质量中心组织各公司进行交叉内审工作,对发现的问题进行改进,各公司取长补短共同发展,实现资源的共享和体系的一体化,最高管理者组织季度、年度管理评审根据评审结果制定公司战略、产品战略,通过问题改进确保质量管理体系持续的适宜性、充分性、有效性。

IDM模式质量管理体系流程图:委外代工业务质量管理体系流程图:6、盈利模式功率半导体芯片的设计制造能力是公司的核心竞争力,是公司可持续盈利及发展的基础。

公司多项功率半导体芯片和封装器件的先进技术不仅保证公司生产工艺领先、标准产品质量可靠,还能够按照客户提出的个性化需求设计、调整功率半导体芯片和封装器件的生产工艺,生产定制产品,及时满足终端产品在电能转换与控制、保护高端电子产品昂贵电路等方面的技术升级需求。

同时,公司参与到客户的生产经营中,通过分析整理客户在产品结构调整、品质提升过程中的技术瓶颈,有针对性地研发新技术,改进生产工艺,并根据下游行业的发展趋势调整自身产品结构,经公司技术、市场、生产、财务、管理各部门共同严格论证后,将确定未来有广泛市场需求的定制产品转化为公司常规产品生产,最大程度地确保公司产品响应客户和行业发展的需要。

公司为客户定制产品不仅体现了公司研发创新的技术实力,也表现出公司与客户实现双赢的市场营销能力,因此,公司产品深受下游客户认可,品牌知名度和美誉度不断提升,客户结构正向大型化、国际化方向发展,同时,产品市场结构不断延伸,在保持传统家电市场、工业类市场优势地位的同时,正逐步进入航天、汽车电子、IT产品等新兴市场。

7、管理模式在长期经营发展中,公司建立了符合公司自身经营特点和发展方式的管理模式,设置合理的职能部门,在公司董事会制定的经营路线下,坚持公开、透明地执行各项公司制度和发展计划,协调各部门之间有效配合,形成了较高的管理效率。

半导体行业是技术密集型行业,公司重视研发管理,根据公司现有和未来产品系列分别设立研发项目组,有针对性地研发新产品和新技术,最大程度地保证公司的研发效率和研发成果转化率,不断提高市场竞争力和盈利能力。

同时,公司不断吸收引进先进人才,通过激励措施和实践培养,为公司未来发展储备技术、营销、采购等方面的管理人才。

二、公司主要产品系列及用途:从产品构造划分,公司主要产品是功率半导体芯片和封装器件。

功率半导体芯片是决定功率半导体分立器件性能的核心,在经过后道工序封装后,成为功率半导体分立器件成品。

1、晶闸管系列:晶闸管(又称:可控硅)耐压高、电流大,主要用于电力变换与控制,可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控制和变换,具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、效率高、控制灵敏、使用寿命长等优点。

晶闸管的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电流,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等作用。

晶闸管的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面广泛采用的电子元器件。

2、防护器件系列:半导体防护器件种类较多,主要有半导体放电管(TSS)、瞬态抑制二极管(TVS)、静电防护元器件(ESD)、集成防护器件、Y电容、压敏电阻等,可应用于仪器仪表、工业控制、汽车电子、手持终端设备、户外安防、电脑主机等各类需要防浪涌冲击、防静电的电子产品内部,保护内部昂贵的电子电路。

由于使用场合广泛,市场需求量较大,半导体防护器件市场规模较为稳定。

3、二极管系列:二极管是最常用的电子器件之一,二极管的单向导电特性可以把正弦波的交流电转变为脉动的直流电。

用途广泛,几乎所有的电路中都有使用到。

公司二极管芯片采用SIPOS+GPP钝化工艺,具有高可靠性,三种金属组合供客户选择,主要产品有高耐压整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、整流二极管模块组件等,用于民用电器电源整流、工业设备电源整流、漏电断路器、电表、通讯电源、变频器等应用领域。

4、MOSFET系列:MOSFET,金属-氧化物半导体场效应晶体管,一种全控制型半导体功率分立器件,通过栅极电压的变化来控制输出电流的大小,并实现开通和关断,输入阻抗大、导通电阻小、功耗低、漏电小、工作频率高,工艺基本成熟,是市场规模最大的功率分立器件。

应用极其广泛,主要包括电源类和驱动控制类两大类应用。

公司MOSFET系列产品主要包括中低压沟槽MOSFET产品、中低压分离栅MOSFET产品、中高压平面VDMOS产品以及超结MOS等产品,广泛用于消费电子、通信、工业控制、汽车电子等领域。

5、IGBT系列:IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极结型晶体管)和MOS(金属-氧化物场效应晶体管)组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件,融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,BJT饱和压降低及载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,被称为是电力电子装置的“CPU”,高效节能减排的主力军。

6、碳化硅器件:碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一,具有超快的开关速度,超低的开关损耗,正向压降(Vf)为温度特性,易于并联,可承受更高耐压和更大的浪涌电流,用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等领域,主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。

7、光电耦合器:光电耦合器,简称光耦,英文opticalcoupler,是由LED发射管芯片(简称IR)+光电敏感接收芯片(简称PT),或由LED发射管芯片(简称IR)+光电敏感接收芯片(简称PT)+功率可控硅(Powertriac),或由LED发射管芯片(简称IR)+光电敏感接收芯片(简称PT)+MOS(金属-氧化物场效应晶体管)组成的复合型光电隔离器件,具有低电压-高电压隔离、信号隔离以消除初级干扰信号等优点,可以承受高达8000V的隔离电压,广泛应用于风光储、通讯、汽车、逆变器、家电、电源等行业。

8、模块:模块系列产品采用模块集成封装,把SCR、Diodes、MOSFET、IGBT、FRD、SBD等芯片组合成不同的电路拓扑结构;在模块基础上集成控制线路,衍生出了固态继电器、智能模块及IPM等功能模块,主要应用于调温系统、调光系统、调速等系统;产品应用覆盖工业传动、新能源发电、储能、特种电源等全场景。

9、其他:功率型开关晶体管及达林顿晶体管,应用于点火器、磁电机等领域,具有良好的可靠性和质量。

功率分立器件:从石英砂到终端产品:公司主要产品类别图示:三、上下游行业及发展情况1、与上下游行业间的关系:公司所处半导体分立器件制造业的上游行业主要为单晶硅、金属材料、化学试剂行业,下游行业主要为家用电器、漏电断路器等民用领域,无功补偿装置、电力模块等工业领域,及通讯网络、IT产品等的防雷击和防静电保护领域。

由于电力电子技术的广泛渗透性,在绝大多数的用电场合,都可能应用电力电子技术进行电能控制和优化。

2、上下游行业的发展情况①上游行业上游行业单晶硅的价格对半导体分立器件制造行业的生产成本有直接影响。

目前单晶硅片市场趋于饱和,供需基本平衡;引线框架等金属材料和硼源等化学试剂的市场供应充足,价格比较稳定。

②下游行业功率半导体分立器件的下游行业分布面极为广阔,终端产品的更新换代及科技进步引导的新产品面世,都为功率半导体分立器件带来不断增长的市场空间。

功率半导体分立器件是连接弱电和强电的桥梁,无处不在,为了合理高效地利用电能,现在发达国家电能的75%需要经过功率半导体分立器件变换或控制后使用。

目前我国经过变换或控制后使用的电能仅占30%,70%电能仍采用传统的传输方式,远远达不到应用电力电子技术才能实现的效果。

随着我国在民用和工业各个领域对能源节约政策的深入落实,新技术、新工艺、新产品将陆续被研发和推广应用,满足市场需求的扩展和转变。

半导体芯片的分类:2个大类,7个小类:半导体各功率分立器件的特性及其应用:资料来源:芯谋研究1、概述1、报告期内,实现营业收入349413.45万元,较上年同期增加22.83%,实现归属于母公司所有者的净利润47668.91万元,较上年同期增加0.77%。

营业利润53799.08万元,较上年同期减少11.81%。

2、报告期内,营业成本为241340.58万元,较上年同期增加33.27%,主要原因系销售增加营业成本相应上升所致。

3、报告期内,管理费用为19096.32万元,较上年同期增加48.09%,主要原因系上年度母公司回购注销已获授但尚未解除限售的限制性股票,冲减计提的股权激励费用所致。

4、报告期内,财务费用为-411.87万元,较上年同期增加45.74%,主要原因系公司收到政府贷款贴息较上年减少所致。

5、报告期内,信用减值损失为952.54万元,较上年同比增加74.60%,主要原因系随着应收账款的增加同步计提的信用减值损失增加所致。

6、报告期内,投资收益为69.48万元,较上年同比减少78.55%,主要原因系公司购买结构性存款取得的收益较上年同期减少所致。

7、报告期内,资产处置收益为32.55万元,较上年同期减少99.07%,主要原因系公司上年同期出售厂房利得所致。

8、报告期内,其他收益为4437.41万元,较上年同期减少53.42%,主要原因系公司收到与日常经营活动相关的政府补助较上年同期减少所致。

9、报告期内,公允价值变动收益为1.96万元,变动比例为101.04%,主要原因系公司购买结构性存款取得的收益较上年同期增加所致。

10、报告期内,营业外支出为641.38万元,较上年同期增加137.50%,主要原因系公司质量赔款较上年同期增加所致。

11、报告期内,所得税费用为5704.57万元,较上年同期减少48.31%,主要原因系公司需要缴纳的企业所得税减少所致。

12、报告期内,投资活动产生的现金流量净额较上年同期减少55421.23万元,变动比例为142.27%,主要原因系公司购买的结构性存款到期较上年同期减少所致。

13、报告期内,筹资活动产生的现金净额较上年同期减少18257.31万元,变动比例为-7525.76%,主要原因系上期公司收到发行股份购买子公司捷捷微电(南通)科技有限公司少数股东股权并募集的配套资金所致。

14.报告期内,现金及现金等价物净增加额较上年同期减少68468.44万元,变动比例为-206.17%,主要原因系公司购买结构性存款的净支出较上年同期增加所致。

2025-12-31 · 未来展望

半导体行业是国民经济支柱性行业之一,是信息技术产业的重要组成部分,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业,其发展程度是衡量一个国家科技发展水平的核心指标之一,属于国家高度重视和鼓励发展的行业。

近年来,国家相关部委出台了一系列的关于支持半导体制造行业结构调整、产业升级、促进下游应用市场消费、规范行业管理以及促进区域经济发展的政策法规。

行业主要的法律、法规和产业政策如下:时间部门政策名称相关内容明确提出加快5G网络建设部署、丰富5G技术应用场景、持《关于推动5G加快发展的通2020工信部续加大5G技术研发力度、着力构建5G安全保障体系、加强知》组织实施等五方面18项措施。

信息技术产业是关系国民经济安全和发展的战略性、基础性、先导性产业,全力布局竞争高地。

电子元器件是支撑信《基础电子元器件产业发展行2021工信部息技术产业发展的基石,也是保障产业链供应链安全稳定的动计划(2021-2023)》关键。

持续提升保障能力和产业化水平,支持电子元器件领域关键短板及技术攻关。

加强原创性引领性科技攻关。

集成电路设计工具、重点装备中华人民共和国国民经济和社和高纯靶材等关键材料研发,集成电路先进工艺和绝缘栅双2021国务院会发展第十四个五年规划和极型晶体管(IGBT)、微电机系统(MEMS)等特色工艺突2035年远景目标纲要破,先进存储技术升级,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

第十三届全国《中华人民共和国国民经济和瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、2021人大第四次会社会发展第十四个五年规划和生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域,实施一批具有议2035年远景目标纲要》前瞻性、战略性的国家重大科技项目加大基础电子产业研发创新支持力度。

统筹有关政策资源,《国务院办公厅关于深化电子加大对基础电子产业(电子材料、电子元器件、电子专用设2022国务院电器行业管理制度改革的意备、电子测量仪器等制造业)升级及关键技术突破的支持力见》度。

着力提升芯片供给能力,积极协调芯片企业与应用企业的对接交流。

面向数字经济等发展需求,优化集成电路、新型显工信部、财政《电子信息制造业2023—2024示等产业布局并提升高端供给水平,增强材料、设备及零配2023部年稳增长行动方案》件等配套能力。

统筹资源加大锂电、钠电、储能等产业支持力度,加快关键材料设备、工艺薄弱环节突破,保障高质量锂电、储能产品供给。

工业和信息化到2030年,我国视听电子产业整体实力进入全球前列。

到部、教育部、2027年,我国视听电子产业全球竞争力显著增强,关键技术商务部、文化创新持续突破,产业基础不断筑牢,产业生态持续完善,基和旅游部、国《关于加快推进视听电子产业本形成创新能力优、产业韧性强、开放程度高、品牌影响大2023家广播电视总高质量发展的指导意见》的发展格局。

培育若干千亿级细分新市场,形成一批视听系局、国家知识统典型案例,培育一批专精特新“小巨人”企业和制造业单产权局、中央项冠军,打造一批国际知名品牌,建设一批具有区域影响广播电视总台力、引领生态发展的公共服务平台和产业集聚区。

推动产业链上下游协同联动,推进5GRedcap芯片、模块、《工业和信息化部办公厅关于工业和信息化终端、网络、仪表等产品研发和产业化,加快RedCap与网络2023推进5G轻量化(RedCap)技术部办公厅切片、高精度定位、5GLAN(局域网)等5G增强功能结合,满演进和应用创新发展的通知》足不同行业场景应用需求。

发挥标准在技术创新、成果转化、整体竞争力提升等方面的引导作用,以产业创新发展需求为导向,充分融合汽车和集工业和信息化《国家汽车芯片标准体系建设2023成电路行业在技术研发、产业化发展和市场推广等方面优部办公厅指南》势,加强行业统筹协调,推动汽车芯片产业健康可持续发展。

2024工业和信息化《关于推动未来产业创新发展突破脑机融合、类脑芯片、大脑计算神经模型等关键技术和部教育部科技的实施意见》核心器件,研制一批易用安全的脑机接口产品,鼓励探索在部交通运输部医疗康复、无人驾驶、虚拟现实等典型领域的应用,加快突文化和旅游国破GPU芯片、集群低时延互连网络、异构资源管理等技术,务院国资委中建设超大规模智算中心,满足大模型迭代训练和应用推理需国科学院求。

聚焦集成电路等领域,挖掘培育新型数字职业序列,强化产《关于推动技能强企工作的指业人才供给。

要提升功率半导体器件供给能力,重点推动硅2025工信部导意见》基功率器件、第三代半导体功率器件在光伏、储能、新能源汽车等领域的创新应用。

国家“十五五”规划和2035年远景目标纲要明确提出,要加快发展现代产业体系,坚持自主可控、安全高效的原则,着力补齐基础元器件等关键领域的短板。

在这一战略指引下,半导体产业的国产化替代进程将持续加速,海外供应链的多元化布局也将同步推进。

从中长期视角来看,中国本土企业凭借政策支持、市场需求和技术积累,仍将面临广阔的发展机遇。

国家半导体产业政策的技术导向和扶持对公司经营形成了良好的发展环境,鼓励本土企业在拥有自主知识产权的基础上,与国际产品形成良性竞争,实施重点产品高端提升、重点市场应用推广、智能制造、绿色制造,并提升产业创新能力、强化市场应用推广、夯实配套产业基础、引导产业转型升级、促进行业质量提升,加快提升产业链供应链现代化水平,降低我国对进口功率半导体分立器件的依赖性。

在国家政策强有力的支持下,中长期来看,我国必然会出现若干家跻身国际一线梯队的功率半导体企业,公司将会在国家政策强有力的支持下,把握功率半导体作为“中国芯”的突破口,继续朝上述目标而努力。

2、半导体分立器件行业的概况半导体产业的发展始于分立器件,半导体分立器件作为半导体产业的一个重要分支,具有广泛的应用范围和不可替代性。

半导体分立器件种类繁多,包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品;其中,MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件,具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。

公司所处的是功率半导体分立器件行业,分立器件是电力电子产品的基础之一,也是构成电力电子变化装置的核心器件之一,主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等,具有应用范围广、用量大等特点,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。

当前,行业发展呈现三大核心趋势:一是国产化替代加速,在全球供应链调整和政策支持下,国内企业从低端向中高端渗透,在二极管、MOSFET等领域已实现部分替代;二是第三代半导体材料应用拓展,碳化硅、氮化镓等材料凭借高耐压、低能耗特性,成为新能源汽车、5G通信等领域的核心器件;三是下游新兴需求驱动,新能源汽车、智能电网、人工智能等领域的快速发展,为行业带来持续增长动力。

不过,国内企业仍面临高端技术瓶颈、人才短缺等挑战,需持续加大研发投入,实现产业链自主可控。

随着整体半导体行业的发展,我国半导体分立器件行业通过行业周期低点区域,在消费类电子复苏、新能源领域产能释放和低压车规级器件替代加速、AI服务器爆发等因素的带动下,继续保持平稳增长。

未来,全球半导体封装测试技术将继续向小型化、集成化、低功耗方向发展,在新兴市场和半导体技术进步的共同带动下,附加值更高的先进封装将得到越来越多的应用,封装测试业市场有望持续向好。

2026年全球封测市场规模将有望达961亿美元,先进封装市场规模将达522亿美元,占比提高至54%。

3、半导体分立器件行业市场规模(1)行业产销规模随着计算机、消费电子、汽车电子、工业电子等众多下游行业呈现爆发式增长,国内半导体分立器件行业也呈现蓬勃发展的态势,半导体分立器件的产销规模保持增长趋势。

2017年,我国半导体分立器件行业的整体销售规模为2473.9亿元,至2024年销售规模已达4138.7亿元,2017年至2024年,我国半导体分立器件的销售规模年均复合增长率达到7.63%,具体销售情况如下图所示:数据来源:中国半导体行业协会《中国半导体产业发展状况报告(2025年版)》近年来,凭借长期的技术积累和自主创新,我国半导体分立器件企业不断增加,分立器件的产量随之攀升;2017年,我国半导体分立器件的整体生产规模为7301.5亿只,至2024年增长至16946.1亿只;2017年至2024年,我国半导体分立器件的整体生产规模年均复合增长率达到12.78%。

数据来源:中国半导体行业协会《中国半导体产业发展状况报告(2025年版)》(2)行业市场需求规模近年来,新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴应用领域将成为国内半导体分立器件产业的持续增长点,我国分立器件市场各应用领域均保持着较高的增长速度行业呈现良好的发展态势。

在国家产业支持和下游行业需求的拉动下,国内半导体分立器件行业内企业在技术研发、先进设备方面进行了大量投资,紧跟国际先进企业的技术发展,并向中高端产品领域渗透。

从市场需求来看,2017年至2024年国内半导体分立器件市场需求保持了6.05%的年均复合增长,2024年国内半导体分立器件市场需求达到3707.8亿元。

其中,半导体功率器件仍是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。

数据来源:中国半导体行业协会《中国半导体产业发展状况报告(2025年版)》技术水平的提升使得分立器件应用领域逐步拓展,国产替代空间巨大,推动了国内半导体分立器件需求的高速增长。

根据中国半导体行业协会预测,到2026年分立器件的市场需求将达到4311亿元。

整体来看,我国半导体分立器件市场需求在经历短期调整后,已重回增长轨道,且未来两年增速有望持续提升,展现出强劲的发展韧性与广阔的市场潜力,这主要得益于功率半导体国产替代进程加速、新能源等下游应用场景持续拓展等因素的推动。

数据来源:中国半导体行业协会《中国半导体产业发展状况报告(2025年版)》(3)半导体分立器件进口规模据中国半导体行业协会统计,2017-2024年我国半导体分立器件进口额整体呈波动变化态势,2017-2021年:进口额从281.8亿美元逐步攀升至333.6亿美元,其中2021年同比增长24.8%,为期间最高增速,进口规模实现显著增长。

2022-2024年:进口额连续三年下滑,2022年为325.1亿美元,2023年降至263.8亿美元,2024年进一步回落至235.5亿美元,2023年、2024年同比分别下降18.9%、10.7%。

从趋势来看,2021年之后我国半导体分立器件进口规模收缩明显。

数据来源:中国半导体行业协会《中国半导体产业发展状况报告(2025年版)》近年来,我国半导体分立器件行业的产销规模不断扩大,对国外产品的进口替代效应不断凸显。

在国际贸易摩擦增多的情况下,国内越来越多的电子产品企业为保证供应链安全以及降低产品成本,开始向国内优秀的半导体分立器件企业采购技术水平和性价比较高的半导体分立器件产品。

国内企业在晶闸管等基础功率半导体器件上实现技术突破,逐步替代部分进口需求。

未来,随着国内半导体分立器件行业逐步突破高端产品的技术瓶颈,我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱,进口替代效应将显著增加。

4、半导体分立器件产业未来发展趋势随着整体半导体行业的发展,我国半导体分立器件行业通过行业周期低点区域,在消费类电子复苏、新能源领域产能释放和低压车规级器件替代加速、AI服务器爆发等因素的带动下,继续保持平稳增长。

据WSTS统计,2025年全球半导体行业市场规模(以销售额口径统计)7722亿美元,同比增长预计达到22.5%。

2026年预计达9755亿美元,同比增长26.3%。

(1)市场结构:高端领域成增长主力,国产替代持续深化全球半导体分立器件市场正呈现“传统领域稳中有升、新兴领域爆发式扩张”的二元结构。

传统消费电子领域虽仍占据基础份额,但增长动能逐渐向新能源汽车、工业控制、智能电网等高端赛道转移。

在市场竞争格局上,国际巨头如英飞凌、安森美、意法半导体凭借技术与规模优势占据高端市场主导地位,但本土企业通过技术突破和产能扩张正加速追赶。

目前,国产功率分立器件在中低端市场(如MOSFET、IGBT)的替代率已超60%,实现了自主可控。

在高端领域,国内企业也在不断突破技术壁垒,部分车规级SiC模块产品已实现量产和商用,预计未来高端市场国产替代进程将持续深化,形成“高端突破+中低端巩固”的产业新格局。

(2)新兴场景驱动需求多元化随着5G通信、物联网、人工智能、工业自动化等新兴技术的快速发展,半导体分立器件的应用场景不断拓展,需求呈现多元化态势。

在新能源汽车领域,除了电机控制器、车载充电器等核心部件对功率器件的需求外,自动驾驶系统中的传感器、毫米波雷达等也需要大量的半导体分立器件;在光伏储能领域,逆变器、储能变流器等设备对高性能功率器件的需求持续增长;在工业自动化领域,工业机器人、数控机床等设备的智能化升级,也为半导体分立器件带来了新的市场空间。

同时,传统应用领域也在不断升级,智能家电、消费电子的高端化、智能化发展,对半导体分立器件的性能提出了更高要求,如更快的响应速度、更低的功耗、更高的可靠性等,进一步推动了行业技术的迭代与产品的升级。

(3)产业链重构:自主可控与全球化布局并行全球半导体产业格局的加速重构,使得半导体分立器件行业的产业链安全问题备受关注。

一方面,国内企业通过加大研发投入、加强产业链上下游协同合作,不断提升产业链自主可控能力。

在原材料方面,国内硅片、光刻胶等关键材料的产能与技术水平不断提升,逐步摆脱对进口的依赖;在设备方面,本土半导体设备企业也在不断突破技术瓶颈,部分设备已实现国产化替代。

另一方面,行业头部企业也在积极推进全球化布局,通过在海外设立研发中心、生产基地等方式,整合全球资源,提升国际竞争力。

同时,全球产业链的区域化特征也日益明显,亚太地区凭借完整的产业链布局与庞大的终端需求,已成为全球分立器件产能的核心聚集地,中国、日本、韩国等国家在封装测试环节占据全球领先地位,共同推动着行业的发展。

(二)公司发展战略与规划1、提升产品的优势地位,紧随科技进步扩展产业链(1)行业定位:专注于功率半导体领域、努力将捷捷微电建成一个具有国际竞争力的功率(电力)半导体器件制造商(IDM)和品牌运营商。

(2)经营方针:坚持以客户为中心、坚持以市场为导向、坚持奋斗者为本、坚持创新驱动、坚持质量第一,夯实推进“规模、品牌、人才”三大优势,充分发挥出色的技术能力与供应链能力双引擎,进一步提升产品矩阵、快速交付能力和市场竞争能力,促进收入、利润、现金流及ROE等核心指标高质量可持续增长。

(3)经营目标:塑封晶闸管器件和模块、“方片式”晶闸管芯片及半导体防护器件、MOSFET、IGBT、光耦、模块和第三代功率半导体器件等多元细分行业领域内成为国内龙头,打造捷捷微电成为国内领先且具备国际影响力的知名功率半导体品牌。

(4)发展规划:公司以产品为中心,以市场为导向,坚持创新,积极投入研发,追求卓越。

在晶闸管、VDMOS、TRENCHMOS、TVS、FRD等取得高速成长的基础上,对SGTMOS、SJMOS、先进整流器、先进TVS、专用功率集成电路等推进与研发,持续拓宽产品结构、应用领域和客户结构,逐步扩大市场份额,且不断掌握核心技术,以创新来驱动符合产业发展的产业链升级。

1)坚持以市场为导向,以平台和品牌为引擎,技术立足,创新引领,细分、优化、拓展业务板块,打造优秀团队和高效的组织架构与营运机制,提升产品应用领域与转型升级,提高创造现金流的能力,保证可持续的现金流。

2)加强产品、产线与产能的规划,可控硅(IDM)、二极管芯片及器件和FRD(IDM、ODM)、MOSFET(Fabless、封测、IDM)、IGBT(Fabless、封测、IDM)、光电耦合器件(Fabless、封测、IDM)、汽车用半导体功率器件(IDM)等以及碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件和专用功率集成电路的研发和推广。

3)创新并逐步完善经营理念与经营模式,着力提升市场维度与格局,实现人才与平台,市场与品牌的有机结合,以“产线、产品、市场”和“市场、产品、产线”的双驱动,全面融合深圳、上海、成都、西安、杭州、南通、新加坡、印度等地的人才、资源和市场为中心的深度布局,拓展与拓宽产业链,放眼未来,未来可期。

4)公司以推动高质量发展为主题,面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车、风光伏发电及储能等重点市场,推动基础电子元器件产业实现突破。

实施重点产品高端提升、重点市场应用推广、智能制造、绿色制造等行动。

坚持奋斗者本色、坚持创新驱动、坚持国产替代进口,着力提升企业的核心竞争力和市场占有率。

5)完善公司治理结构,服从市场原则,紧紧围绕主业,通过产业基金与并购基金等方式,围绕技术与业务协同实现产业整合与并购重组,预期明确,风险可控。

严守每股收益和净资产收益率的双底线,提高公司核心竞争力,提升公司价值与股东价值。

2、增强公司综合竞争力,提升公司的行业地位(1)行业及市场定位与规划:1)致力于功率半导体器件的设计、制造和销售,聚焦进口替代和应用创新,打造具有国际竞争力的一流产品,不断提升国内国际市场影响力。

2)在现有基础上进行升级优化,保持并进一步拓展晶闸管器件在家用电器、低压电器、工业设备等领域的市场份额,确保细分领域国内领先、世界一流,努力提升在国际市场的知名度。

3)积极拓展车规级功率半导体防护器件的产品系列,进一步扩大功率半导体防护器件在通讯设备、智能家居、安防、工业控制、仪器仪表、照明、移动终端设备、防雷模块等领域的应用,力争国内领先。

4)积极布局有特色的FRD、高端整流器产品线,拓展在新能源汽车、光伏、风电、电焊机、各类变频电源等领域的应用。

5)加快功率MOSFET、IGBT、碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件的研发和推广,从先进封装、芯片设计等多方面同步切入,快速进入新能源汽车电子(如电机马达和车载电子)、5G核心通信电源模块、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网、工业控制和消费类电子等领域。

6)积极推进研发投入,加大研发投入与技术创新,研发投入与成果转化保持正相关增长。

7)先进制造,持续精益制造技术和制造工艺,持续提升产品在温度、特征电学特性参数的一致性;夯实质量控制和管理,在优化制造成本的同时,进一步提升产品的良率。

8)面向人工智能、先进计算、物联网、新能源、新基建等新兴需求,开发重点应用领域急需的小型化、高性能、高效率、高可靠电子元器件,推动整机企业积极应用创新型产品,加速元器件产品迭代升级。

优化生产工艺及质量管控系统,开展智能工厂建设,提升智能制造水平,打造功率半导体IDM全产业链。

9)通过兼并重组、资本运作等方式整合资源、扩大生产规模、增强核心竞争力、提高合规履责和抗风险能力。

努力打造具有自主知识产权、产品附加值高、有核心竞争力的功率半导体产业单项冠军。

(2)产品矩阵中长期定位与规划:1)半导体晶闸管器件:250A/2600V以下的“方片式”单、双向可控硅芯片及器件;2)半导体防护器件:低结电容、高电流密度半导体放电管芯片及器件(TSS),瞬态抑制二极管芯片及器件(TVS),高压触发二极管芯片及器件(SIDAC),静电防护芯片及器件(ESD),稳压二极管芯片及器件,集成式保护电路(器件);3)半导体整流器件:16A/1600V以上的IPM、PIM模块用高电压、大电流整流器件芯片及器件,无铅钝化的整流器件芯片及器件,普通快恢复二极管芯片及器件,与IGBT配套的快速软恢复二极管芯片及器件,汽车电子用高结温雪崩二极管芯片及器件,肖特基二极管芯片及器件;4)智能模块与厚膜集成电路:工业用功率模块,家用固态继电器,IPM、PIM模块,混合集成电路;5)新型片式元件:片式压敏电阻,片式Y电容,其他片式元件;6)功率MOSFET:把低功耗、节能环保和高频高效功率器件作为技术创新的突破目标,着力攻克Trench、SGT、SuperJunction、超高压PlanarMOSFET等关键核心技术,助力整个捷捷微电平台的技术和产业创新发展。

产品应用端将努力抓住替代进口存量市场,并深入5G、汽车电子、光伏、物联网、工业控制和智能电子化等新需求产业化建设;7)平面技术的小信号器件:静电防护器件ESD,小信号开关二极管,小信号开关三极管NPN/PNP,小信号稳压二极管;8)光电耦合器件:光耦可控硅,光交流继电器;9)车规级半导体功率器件:以车规级要求生产的器件的封装形式重点聚焦于DFN、LFPACK、TOLL等车规级大功率器件。

车规级半导体功率器件采用的封装形式更为先进,重点聚焦于车规级大功率器件,与传统的TO等封装形式相比,进一步实现轻薄小、更大电流、更高功率密度和更低功耗等性能,应用领域更加广阔。

10)IGBT:以技术研发为核心,带动上、下游资源精准产业化,聚焦优质资源、以点带面、逐步做强、做大,着力攻克IGBT在白色家电、光伏逆变、新能源汽车等方面的运用及模块用IGBT芯片研发;11)碳化硅、氮化镓器件的研究开发;12)模拟器件:模拟传感器,ACDC,工业传感器MEMS。

(3)知识产权与品牌保护:1)进一步强化企业的知识产权意识体系、开发(创新)体系、知识产权运用体系、知识产权管理体系、知识产权防护体系,将知识产权思维贯穿到企业发展和企业运营的全过程中。

2)专利:建立专利数据库,实时掌握竞争对手专利状态,“创新性技术包括新机理技术等先申请、后开发”,保护企业的专有技术;建立专利管理机制、专利奖励机制。

每年取得≥5件发明专利授权、≥30件实用新型专利授权,以业务板块为单位的“产学研”项目每年不少于1项等。

3)商业秘密:通过教育、培训等多种方式强化企业领导和员工的商业秘密意识;制定企业商业秘密保护方案和规章制度;明确商业秘密内容和等级;与员工签订商业秘密协议;建立网络环境下的商业秘密保护制度和措施。

4)商标:制定和规范企业商标管理制度,统一化商标使用;配合市场拓展目标,提前注册国际商标;提高产品宣传中的商标显著度。

5)优化产品设计、改造技术设备、完善检验检测,推广先进质量文化与技术。

建立健全以质量为基础的品牌发展战略,丰富品牌内涵,提升品牌形象和影响力。

(4)人才引育机制:1)加强人才梯队建设,培养一大批专业型基层优秀员工队伍。

辅助各类激励政策,鼓励员工拓展技能的广度与深度,理论与实践结合并进,高效率高产出一体化,促进人才专业化多元化,进一步夯实人才核心竞争力。

2)从优秀员工中选拔管理人才,根据岗位重点定向培养,逐步建立一支充足的高素质基层管理队伍和中层管理后备力量。

3)高质量引进、选拔和培养一批事业心强、一专多能的综合型复合型技术和管理人才(包括资本运作人才),打造核心高效团队,进一步增添企业活力,与企业共生共赢共长。

4)弘扬“捷捷”理念和文化,打造优秀团队,着力通过平台、品牌双引擎驱动,积极引进和培养一批公平公正、事业心强、团队意识强、综合能力高、与本企业的发展和管理相匹配的杰出中高层管理队伍,和企业共同发展,利益共享。

5)多渠道引进高端人才和青年人才,培育和引进掌握关键技术的科技领军人才和团队,形成具有国际领先水平优秀的产业团队,为产业发展提供智力支持。

(三)公司2026年度经营计划1.积极跟进项目进展,建设高质量发展根据公司战略规划和经营发展需要,进一步提高企业核心竞争力,落实公司的战略发展规划,为建设高质量的发展打好基础建设。

公司主要项目“功率半导体‘车规级’封测产业化项目”、南通“高端功率半导体器件产业化项目”(二期)、“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线”等项目都已建设完成,目前处于产能爬坡期。

主要项目的高质量完成有助于推动高端功率半导体发展,满足下游市场需求,扩大市场占有率,缓解MOSFET产能紧张的问题等,进一步提升了公司市场竞争力、综合实力与治理能力,完善公司核心“功率半导体器件IDM”供应链的战略布局。

2.实施高端人才计划,储备技术管理人才半导体行业是技术密集型行业,公司重视研发管理,在现有和未来产品系列分别设立研发项目组,公司有针对性地研发新产品和新技术的同时,不断吸收引进先进人才,将人员管理与培养围绕公司战略规划展开。

通过激励措施和实践培养,继续推行科学的、有吸引力的薪酬制度和激励机制,建设一支在研发、信息化、数字化水平处于同行前列且企业运营管理有自己优势和特色的核心队伍,以高端人才为支撑推动公司高质量发展,为公司未来发展储备技术、营销、采购等方面的管理人才。

3.加强投资者关系管理,提升信息披露质量公司将严格按照新修订的法律法规、规范性文件及监管部门的有关规定,继续规范信息披露工作,提升信息披露工作的整体质量,保证信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性。

同时,公司也将继续完善投资者关系管理的工作机制,高度重视投资者关系管理,保持与中小投资者的日常沟通与交流,积极通过业绩说明会、接待调研、互动易平台、投资者咨询热线、公司邮箱等多种途径,增强投资者对企业的了解。

此外,公司通过可视化定期报告、ESG报告等多种宣传手段,全方位展示公司经营成果。

4.强化生产计划,优化产品工序公司将提高精益生产的组织能力,合理调配人力,严控能源消耗,减少工艺损耗,提高效率,降低成本。

尤其是在原材料价格存在波动的情况下,更加重视提升生产环节中各工序生产效率,提升并稳定中间产品出成率,节能减耗,对冲制造成本畸高风险,同时科学安排生产,制定应急预案,以应对限电限产等特殊情况。

5.优化财务管理体系,降低运营成本在生产运营精益求精的同时,公司将提高资金使用效率,也将对自身财务资金管理体系进行优化升级,以捷捷微电总部为核心,深入统筹、充分前瞻各子公司的融资计划和营运资金,采取措施积极提高资金运转效率和使用效率,降低营运资本的占用,在存量资源中为股东挖掘更多价值。

6.持续打造全球市场营销中心,突出营销地位公司将突出全球市场营销中心的作用,整合公司相关业务的市场营销资源,在资源集中的优势下,更有效的汇集客户需求,提升客户的满意度及沟通对接效率,帮助公司产品线提升面向更大客户群体的产品开发能力。

此外公司还将进一步加强芯片研发能力和定制化设计能力,根据终端产品需求多样化和升级换代快的特点,以及我国市场的实际情况,公司依托于芯片研发设计技术优势,目前已经研发并生产多种型号和规格的标准产品,并通过对客户需求的评估生产个性化产品。

公司为客户定制产品,需要结合生产工艺的调整和关键技术的协调匹配,是公司芯片研发能力的重要体现,也是公司差异化发展的重要标志。

7.加快产品结构的优化,拓展下游重点领域公司保证晶闸管业务的稳定增长的同时,提升防护器件、MOSFET、IGBT、光耦、模块及第三代半导体等产品的占比,2025年各下游领域占比情况为:工业40.32%;消费领域40.17%;汽车15.08%;通信1.75%,其他2.69%。

未来公司将重点拓展三大市场:汽车电子、电源类及工业类,逐步使公司产品结构和行业结构相匹配。

近几年,汽车电子、5G通信、光伏、AI服务器、机器人及储能行业的迅速发展,市场空间巨大。

公司将大力开发匹配下游重点领域的相关产品,保证产品的可靠性、稳定性及一致性来满足市场需求,与海外厂商的产品相比性能参数一致甚至超过它们,为公司产品的国产替代进口形成竞争优势。

与此同时,公司将整合产业链上下游和相关资源作为另一发力点,积极考虑投资和并购。

计划通过有机生长和外延扩展,完善产业布局,为公司未来创造新的利润增长点,实现公司的可持续发展。

8.完善公司治理,进一步提高上市公司质量公司严格按照《公司法》、《证券法》、《深圳证券交易所创业板股票上市规则》等法律、法规及规章的要求,努力履行岗位职责,进一步完善公司内部治理结构,全面加强内部管理,完善制度建设,规范程序,深入开展精细化管理,强化内部控制体系建设与执行。

按照证监会和深交所关于上市公司规范运作的要求,加强内部控制培训及制度学习,继续积极参与监管部门组织的学习培训,将努力成为一家治理规范、运作高效、质量卓越的上市公司。

捷捷微电的前五大客户与供应商

报告期 报告名称 类别 名称 交易金额(亿元) 占营业收入比例(%) 合计金额(亿元)
2025-12-31 2025年报 供应商 供应商1 2.52 8.51 29.66
2025-12-31 2025年报 供应商 供应商2 1.18 3.98 29.66
2025-12-31 2025年报 供应商 供应商3 1.11 3.76 29.66
2025-12-31 2025年报 供应商 供应商4 0.99 3.32 29.66
2025-12-31 2025年报 供应商 供应商5 0.98 3.29 29.66
2025-12-31 2025年报 供应商 其余供应商 22.88 77.14 29.66
2025-12-31 2025年报 客户 客户1 1.33 3.8 34.92
2025-12-31 2025年报 客户 客户2 1.14 3.28 34.92
2025-12-31 2025年报 客户 客户3 1.11 3.17 34.92
2025-12-31 2025年报 客户 客户4 1.09 3.11 34.92
2025-12-31 2025年报 客户 客户5 0.78 2.23 34.92
2025-12-31 2025年报 客户 其余客户 29.48 84.41 34.92

捷捷微电的对外投资

序号 企业名称 持股类型 注册资本 持股比例(%) 实际投资金额 净利润 主营产品 报告期
1 捷捷微电(南通)科技有限公司 全资子公司 26.80亿元 100 33.30亿元 1.62亿元
技术进出口;货物进出口(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以审批结果为准)一般项目:电力电子元器件销售;光电子器件销售;光电子器件制造;电子元器件制造;电子元器件零售;电子专用材料研发;集成电路设计;半导体分立器件销售;电力电子元器件制造;集成电路芯片设计及服务;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;半导体分立器件制造;电子专用材料制造;集成电路制造;集成电路芯片及产品制造;集成电路芯片及产品销售(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
2025-12-31

捷捷微电的十大股东

报告期 股东名称 持股数量(万股) 持股比例(%) 持股数变动(股) 较上期变化 总股本(亿股) 持股市值(亿元)
2026-03-31
江苏捷捷投资有限公司
20,520.00 24.66 不变 不变 8.32 54.62
2026-03-31
黄善兵
6,192.94 7.44 不变 不变 8.32 16.49
2026-03-31
南通中创投资管理有限公司
4,651.20 5.59 不变 不变 8.32 12.38
2026-03-31
张祖蕾
2,102.53 2.53 不变 不变 8.32 5.60
2026-03-31 1,830.01 2.2 不变 不变 8.32 4.87
2026-03-31
沈欣欣
1,767.97 2.12 +4,400 不变 8.32 4.71
2026-03-31
南通蓉俊投资管理有限公司
1,641.60 1.97 不变 不变 8.32 4.37
2026-03-31 913.15 1.1 新进 新进 8.32 2.43
2026-03-31 797.75 0.96 不变 不变 8.32 2.12
2026-03-31
南通投资管理有限公司
732.62 0.88 不变 不变 8.32 1.95

捷捷微电的十大流通股股东

报告期 股东名称 持股数量(万股) 占流通股比例(%) 持股比例(%) 持股数变动(万股) 持股市值(亿元) 更新日期
2026-03-31
江苏捷捷投资有限公司
20,520.00 26.7411 24.6611 不变 54.62 2026-04-22
2026-03-31
南通中创投资管理有限公司
4,651.20 6.0613 5.5898 不变 12.38 2026-04-22
2026-03-31 1,830.01 2.3848 2.1993 不变 4.87 2026-04-22
2026-03-31
沈欣欣
1,767.97 2.304 2.1248 +0.44 4.71 2026-04-22
2026-03-31
南通蓉俊投资管理有限公司
1,641.60 2.1393 1.9729 不变 4.37 2026-04-22
2026-03-31
黄善兵
1,548.24 2.0176 1.8607 不变 4.12 2026-04-22
2026-03-31 913.15 1.19 1.0974 新进 2.43 2026-04-22
2026-03-31 797.75 1.0396 0.9587 不变 2.12 2026-04-22
2026-03-31
南通投资管理有限公司
732.62 0.9547 0.8805 不变 1.95 2026-04-22
2026-03-31 620.02 0.808 0.7451 -7.97 1.65 2026-04-22

捷捷微电的公司高管

姓名 职务 简历 薪酬(万元) 年龄 学历 国籍 就任日期 报告期 持股数量(万股) 持股比例(%)
黄善兵 董事长,法定代表人,董事
黄善兵先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1956年生,高级经济师,南通市劳动模范,南通优秀民营企业家。黄善兵先生系公司创始人之一,其职业生涯专注于功率半导体分立器件行业。黄善兵先生于1974年10月至1995年2月在启东市晶体管厂工作,先后担任工人、科长、副厂长。1995年3月,黄善兵先生创立捷捷微电的前身启东市捷捷微电子有限公司,自设立之日起历任公司法定代表人、董事长和总经理,主要负责公司的经营、管理和市场营销。现任公司董事长、法定代表人,公司控股股东捷捷投资董事长,捷捷南通科技法定代表人、董事长、捷捷半导体董事长等职。
154.38 70 高中 中国 2011-08-25 2025-12-31 6,192.94 7.4427
黄健 总经理,副董事长,董事
黄健先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,中共党员。1981年生,本科,黄健先生自2005年9月至2007年12月在无锡华润安盛科技有限公司担任设备工程师,负责设备日常管理工作;2008年1月至今在公司处工作,曾任设备工程部副部长、部长,芯片制造部部长、人力资源部部长、常务副总经理,现任公司副董事长、总经理,捷捷微电(深圳)法定代表人、执行董事,江苏捷捷半导体技术研究院有限公司法定代表人、江苏易矽科技有限公司董事长、捷捷投资董事等职。
180.34 45 本科 中国 2020-09-25 2025-12-31
张家铨 副总经理,董事会秘书
张家铨先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1984年生,EMBA研究生,中共党员。2007年6月至2009年8月在南京熊猫爱立信电子有限公司就职,工作内容为设备的安装和测试。2009年8月至今在公司工作,曾担任南通中创投资管理有限公司总经理、公司证券投资部部长、证券事务代表;现任公司副总经理、董事会秘书、工会主席等职。
116.77 42 硕士 中国 2017-09-11 2025-12-31
沈卫群 副总经理
沈卫群女士:女,1960年生,中国国籍,无永久境外居留权,高中,高级经济师、南通市劳动模范。沈卫群女士于1977年7月至1995年2月在启东晶体管厂工作,担任生产部副部长;1995年3月至今在公司处工作,主管公司生产工作,为公司发明专利“门极灵敏触发单向可控硅芯片及其生产方法”发明人之一,曾任公司芯片制造部部长、物资管理部部长、副总经理、运营总监。现任公司副总经理、并兼任南通中创投资管理有限公司董事长。
129.09 66 高中 中国 2017-09-11 2025-12-31
朱瑛 副总经理,财务总监
朱瑛女士:女,中国国籍,无永久境外居留权,1979年生,本科,EMBA研究生,会计师,中共党员。2002年起至今在公司就职,曾担任公司财务中心主任、财务部长等职。现任公司财务总监、工会副主席、捷捷微电(无锡)科技有限公司财务负责人、捷捷微电(深圳)有限公司财务负责人等职。
127.11 47 硕士 中国 2023-09-25 2025-12-31 109.38 0.1314
徐洋 副总经理
徐洋先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1979年生,大专学历。于2009年加入捷捷微电公司,曾就职于江苏吉莱电子股份有限公司、启东市圣博电子科技有限公司担任副总经理一职,现任公司副总经理。
127.44 47 大专 中国 2023-09-25 2025-12-31 8.56 0.0103
孙家训 副总经理
孙家训先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1981年生,专科学历。孙家训先生于2006年2月至2010年6月,在环洲微电子有限公司担任车间主任,负责生产管理及质量异常处理;2010年7月至今,在公司处从事功率半导体芯片及封装的制造工作,曾担任封装制造部后工段工段长、副部长,公司职工代表监事,现任公司副总经理,兼任捷捷半导体有限公司副总经理。
126.67 45 大专 中国 2023-09-25 2025-12-31 12.17 0.0146
黎重林 副总经理,董事
黎重林先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1983年生,本科。黎重林先生于2004年7月至2005年7月工作于南京东大微电子有限公司,担任蒸发工艺员及生产车间副主任,从事半导体过压保护器件方面的工艺与产品试验;2005年7月至今在公司处工作,历任技术质量部副部长,防护器件业务部部长,主要负责芯片生产线质量管理,产品工艺技术改进以及新产品开发试验,同时攻关了半导体放电管产品,通过杂质调制效应,开发出的放电管产品电压一致性优良,捷捷半导体副总经理,分管市场与销售工作。现任公司董事、副总经理、捷捷半导体法定代表人、董事、总经理。
242.22 43 本科 中国 2023-09-25 2025-12-31 63.11 0.0758
刘启星 副总经理,董事
刘启星先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1975年生,本科学历,曾在华虹半导体担任工程师,上海先进半导体担任公司厂长,现任公司董事、副总经理、捷捷微电(南通)科技有限公司董事、总经理。
331.41 51 本科 中国 2023-09-25 2025-12-31
颜呈祥 董事
颜呈祥先生:男,1982年生,中国国籍,无永久境外居留权,本科。颜呈祥先生自2005年11月至今在捷捷微电处工作,曾任芯片工艺主管、客户服务部副部长、市场部部长、销售总监等。作为主要技术研发人员,颜呈祥先生研究开发了离子注入机工艺的导入、LPCVD工艺的导入、酸腐和碱腐抛光单晶硅工艺、多晶硅沉积工艺和离子注入法形成负温度系数的薄膜电阻的方法等技术项目,为公司多项专利技术如“门极灵敏触发单向可控硅芯片及其生产方法”、“门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法”和“一种低结电容过压保护晶闸管器件芯片的生产方法”以及实用新型专利“一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置”的发明人之一。现任公司董事、市场营销总监,捷捷微电(深圳)总经理、捷捷成都科技法定代表人。
141.47 44 本科 中国 2023-09-25 2025-12-31 82.35 0.099
张祖蕾 职工代表董事
张祖蕾先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1961年生。张祖蕾先生系公司创始人之一。张祖蕾先生于1980年1月至1989年12月在启东市汇龙电管站工作,任机电组组长;1990年1月至1996年12月在启东市再生资源总公司工作,任营销部经理;1997年1月至今在捷捷微电就职,历任公司副总经理,主管公司销售工作,曾任公司监事会主席,现任公司职工代表董事,中创投资董事等职。
106.46 65 高中 中国 2025-10-10 2025-12-31 2,102.53 2.5268
刘志耕 独立董事
刘志耕先生:男,中国国籍。1963年生,知名财税审专家、资深注册会计师、高级会计师、高级审计师。先后担任过东土科技、综艺股份、通光线缆、通富微电、文峰股份、南通锻压等上市公司独立董事。现任永大化工机械的独立董事。
12.00 63 中国 2023-09-25 2025-12-31
袁秀国 独立董事
袁秀国先生:男,1955年生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,法学士。曾任钢运股份(600676/现更名为"交运股份")董秘兼新闻发言人。1995年调入上海证券交易所后,先后任发展研究中心研究员、市场发展部经理、国际发展部高级经理、投资者教育中心负责人、市场发展委员会首席代表(江苏)、资本市场研究所和发行上市部执行经理等职。期间曾被外派至国泰君安等该所会员公司挂职两年,任投行总部副总经理。2015年退休后取得独立董事任职资格,曾任宏和科技(603256)独立董事、昆山科森科技(603626)的独立董事。
12.00 71 本科 中国 2023-09-25 2025-12-31
万里扬 独立董事
万里扬先生:男,中国国籍,无永久境外居留权,1976年生,研究生,经济学硕士、工商管理硕士,中国注册金融分析师。曾任无锡市工商行政管理局科员,中产经投资有限公司经理助理,远东电缆股份公司战略投资总监、董事会秘书,无锡买卖宝信息技术有限公司高级副总裁。
12.00 50 硕士 中国 2023-09-25 2025-12-31

捷捷微电的核心题材与板块归属

板块名称 入选原因
通信技术
2020年3月17日回复称公司的TVS防护器件产品用于配套5G基站电源,主要功能为防雷保护。
IGBT概念
2021年半年报显示公司将把握行业发展机遇,逐步布局MOSFET、IGBT器件以及SiC等第三代宽禁带半导体材料,积极开拓市场份额。
碳化硅
2025年9月8日回复称,公司有碳化硅产品。碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一,具有超快的开关速度,超低的开关损耗,正向压降(Vf)为温度特性,易于并联,可承受更高耐压和更大的浪涌电流,用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等领域,主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。
汽车芯片
2024年10月30日投资者关系管理信息显示,公司已量产百余款车规级MOSFETS,其中JMSHO40SAGQ凭借捷捷微电自有知识产权的JSFET芯片、全铜框架和跳线封装工艺,性能突出,符合汽车行业的严苛标准,在长期可靠性、封装尺寸、功率及性能方面均获得业内认可,已广泛应用于国内tier-1汽车零部件供应商的转向、燃油、润滑、冷却等系统。
第三代半导体
2020年8月25日回复称公司目前与中国科学院微电子研究所合作共建“宽禁带电力电子工程技术研究中心”,主要是以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件,其中“新型氮化镓电力电子元件技术开发”等目前仍处在研发过程中,进展稳定。
中芯概念
2020年6月5日回复称公司与中芯国际达成战略合作后的进展稳定。
半导体概念
公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售。公司产品已具备替代进口同类产品的实力。自主研发的“超级247晶闸管器件”,“门极灵敏触发单向晶闸管”和“内绝缘型塑封半导体器件”项目被中华人民共和国科学技术部批准认定为《国家火炬计划产业化示范项目》。公司产品正在逐步实现以国产替代进口,降低我国晶闸管市场对进口的依赖。
氮化镓
公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件。
国产芯片
公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售。公司产品已具备替代进口同类产品的实力。自主研发的“超级247晶闸管器件”,“门极灵敏触发单向晶闸管”和“内绝缘型塑封半导体器件”项目被中华人民共和国科学技术部批准认定为《国家火炬计划产业化示范项目》。公司产品正在逐步实现以国产替代进口,降低我国晶闸管市场对进口的依赖。
5G概念
2020年3月17日回复称公司的TVS防护器件产品用于配套5G基站电源,主要功能为防雷保护。
充电桩
公司在投资者互动平台表示,新能源汽车领域是未来的一个趋势,目前公司有少部分产品已经应用在汽车充电桩上。
蓝宝石
2021年3月1日回复称公司控股子公司江苏捷捷半导体新材料有限公司是专业从事半导体CMP抛光材料及金刚线硅片切割、手机盖板、蓝宝石等各种光电及电子材料表面加工材料的研发、生产、销售的高科技创新型企业。

捷捷微电的个股研报

标题 研究机构 分析师 评级 评级变动 东财评级 机构评级 报告类型 发布日期
毛利率短期承压,看好8寸线产能爬坡带来的业绩弹性 国金证券 樊志远, 戴宗廷 A 3 买入 买入 0 2026-04-16
车规MOS持续新高 中邮证券 万玮, 吴文吉 CCC 3 买入 买入 0 2025-10-29
1H25扣非归母净利润同比增长46.57%,汽车电子加速布局 国信证券 胡剑, 胡慧, 叶子, 张大为, 李书颖, 詹浏洋, 连欣然 AA 3 增持 优于大市 0 2025-09-11
公司2025年半年报业绩点评:业绩持续增长,6英寸项目持续满产 东兴证券 刘航, 李科融 A 3 增持 推荐 0 2025-09-08
重点布局汽车电子,MOS占比持续提升 中邮证券 万玮, 吴文吉 CCC 3 买入 买入 0 2025-08-26
高端功率半导体产业化项目持续推进 中邮证券 万玮, 吴文吉 CCC 3 买入 买入 0 2025-05-20
公司2024年报业绩点评:产销两旺,高端制造打造新增长点 东兴证券 刘航, 李科融 A 3 增持 推荐 0 2025-05-09
2024年归母净利润同比翻倍,看好8寸线产能扩充带动业绩成长 国金证券 樊志远, 戴宗廷 A 3 买入 买入 0 2025-04-17
车规级产品放量 中邮证券 吴文吉, 万玮 CCC 3 买入 买入 0 2024-11-21
公司2024年第三季度报业绩点评:业绩持续增长,布局汽车核心器件 东兴证券 刘航, 李科融 A 3 增持 推荐 0 2024-10-29
毛利率同环比提升,规模效应渐体现 国信证券 胡剑, 胡慧, 叶子, 詹浏洋, 李书颖 AA 3 增持 优于大市 0 2024-10-29
公司信息更新报告:2024Q3业绩高成长,车规级封测助力公司成长 开源证券 罗通, 周勃宇 A 3 买入 买入(Buy) 0 2024-10-26
Q3扣非归母净利润同比大幅改善,需求复苏带动产能利用率提升 国金证券 樊志远 A 3 买入 买入 0 2024-10-25
产能利用率饱满,车规级封测年底试生产 中邮证券 吴文吉, 万玮 CCC 3 买入 买入 0 2024-10-25
Q3业绩预期大幅增长,产能利用率爬升 太平洋 张世杰, 李珏晗 CCC 买入 买入 0 2024-10-22
公司事件点评报告:并购重组落地,前三季度净利润表现超预期 华鑫证券 毛正, 张璐 A 3 买入 买入 0 2024-10-18
在手订单饱满,产能持续爬坡 中邮证券 吴文吉, 万玮 CCC 3 买入 买入 0 2024-08-27
公司信息更新报告:2024Q2业绩显著修复,未来成长动力充足 开源证券 罗通, 周勃宇 A 3 买入 买入(Buy) 0 2024-08-19
公司事件点评报告:进一步收购子公司完善布局,Q2利润大幅高增 华鑫证券 毛正, 张璐 A 3 买入 买入 0 2024-08-19
公司2024年半年报业绩点评:归母净利润增长122.76%,IDM模式再进一步 东兴证券 刘航 A 3 增持 推荐 0 2024-08-19
公司信息更新报告:稼动率持续提升,2024Q2公司业绩表现超预期 开源证券 罗通, 王宇泽 A 3 买入 买入(Buy) 0 2024-07-17
公司事件点评报告:子公司南通科技实现盈利,多项目持续推进完善IDM供应链 华鑫证券 毛正, 张璐 A 3 买入 买入 0 2024-04-30
1Q24毛利率环比增加4.8pct,业绩步入改善区间 国信证券 胡剑, 胡慧, 周靖翔, 叶子 AA 3 买入 0 2024-04-28
公司2024年一季报业绩点评:一季度业绩超预期,积极布局特色产品线 东兴证券 刘航 A 3 增持 推荐 0 2024-04-26

捷捷微电的涨停记录

交易日 首次涨停 涨停原因 涨跌幅(%) 换手率(%) 所属板块
2024-10-18 2024-10-18 14:07:15
公司主营功率半导体芯片和器件
0.1999 0.2239 国产芯片
2024-10-09 2024-10-09 09:40:21
公司主营功率半导体芯片和器件,14日发布涨价函,旗下Trench MOS涨价5%-10%。
0.2001 0.1822 国产芯片
2024-10-08 2024-10-08 10:40:30
公司主营功率半导体芯片和器件,14日发布涨价函,旗下Trench MOS涨价5%-10%。
0.2 0.0185 国产芯片
2024-09-30 2024-09-30 10:45:39
公司主营功率半导体芯片和器件,14日发布涨价函,旗下Trench MOS涨价5%-10%。
0.2 0.1017 国产芯片
2020-11-09 2020-11-09 10:33:03
公司是国内晶闸管细分领域龙头,与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件;前三季度净利润同比增长42.8%
0.2 0.1281 国产芯片
2020-06-22 2020-06-22 10:47:24
公司专业从事功率半导体芯片和器件,年报拟10转6派2元,除权除息日为5月26日
0.0999 0.0711 国产芯片, 高送转
2020-04-16 2020-04-16 09:49:06
19年净利同比增14.5%,拟10转6派2元;公司专业从事功率半导体芯片和器件
0.1001 0.0588 国产芯片, 高送转
2020-02-07 2020-02-07 13:49:15
公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,目前拥有200多个品种的功率半导体芯片和器件产品
0.1001 0.2196 国产芯片
2020-01-22 2020-01-22 11:05:00
机构大买;公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,目前拥有200多个品种的功率半导体芯片和器件产品
0.1001 0.1342 国产芯片
2020-01-14 2020-01-14 10:20:00
机构大买;公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,目前拥有200多个品种的功率半导体芯片和器件产品
0.0999 0.1844 国产芯片
2020-01-13 2020-01-13 10:27:39
公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,目前拥有200多个品种的功率半导体芯片和器件产品
0.1 0.1583 国产芯片
2019-11-14 2019-11-14 10:35:03
公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,目前拥有200多个品种的功率半导体芯片和器件产品
0.1001 0.1093 国产芯片

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