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斯达半导的公司基本信息

公司全称
斯达半导体股份有限公司
上市日期
2020-02-04
成立日期
2005-04-27
所属地区
浙江省
董事长
沈华
法人代表
沈华
总经理
沈华
董事会秘书
张哲
控股股东
香港斯达控股有限公司
实际控制人
沈华、胡畏
板块(三级)
分立器件
会计师事务所
立信会计师事务所(特殊普通合伙)
法律顾问
北京海润天睿律师事务所
组织形式
外资企业
币种
CNY
注册资本(万元)
23,947.3466
员工人数
3,301
联系电话
0573-82586699
公司网址
www.powersemi.com
办公地址
浙江嘉兴市南湖区科兴路988号
注册地址
浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号
公司简介
专业从事功率半导体元器件研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业,是国内IGBT领域的领军企业。
主营业务
以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售

斯达半导的经营评述

报告期 报告名称
2025-12-31 2025年报

2025-12-31 · 经营评述

2025年,公司依托深厚技术积淀与行业领先地位,聚焦核心业务,充分发挥“Fabless+IDM双轮驱动”业务模式优势,同步推动驱动IC、工业级及车规级MCU芯片与现有功率半导体业务深度协同融合,持续提升核心竞争力与长期发展潜力。

报告期内,公司实现营业收入401,239.53万元,创历史新高。

新能源汽车、新能源发电及储能、变频白色家电行业快速增长,为公司营业收入增长提供核心支撑。

同时,公司积极开拓AI服务器电源、数据中心、工业机器人、低空/高空飞行器等新兴应用领域,持续拓展产品应用边界,为公司业务增长开辟全新空间。

1.新能源行业2025年,公司新能源板块业务实现快速增长,报告期内,公司该板块实现营业收入255,232.73万元,较去年同期上升27.05%。

其中,新能源汽车行业营业收入较2024年同期增长22.14%;新能源发电及储能行业营业收入较2024年同期增长55.68%。

1)在新能源汽车行业2025年,公司搭载自主第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V、1200VIGBT模块持续放量,其Plus版芯片已在多款主流800V高压双电控平台实现大批量交付。

该芯片通过优化损耗、提升效率、拓宽额定工作结温区间,有效适配新能源汽车高压平台高负载、长周期的严苛运行需求,产品性能与质量获得下游客户广泛认可。

2025年,公司车规级SiCMOSFET模块新增多个量产车型并实现大批量配套上车,公司自主研发的第二代车规级SiCMOSFET芯片实现大批量出货,可配套800V/1000V及以上电压电驱平台需求。

同时,公司自建6英寸SiC芯片产线迅速爬坡,芯片及模块良率均达到国际领先水平。

2025年,公司车规级IGBT模块持续向欧洲一线品牌Tier1大批量交付,通过国内外Tier1配套海外多个国家和地区的OEM厂商,海外市场份额快速增长,且新增多个IGBT及SiCMOSFET主电机控制器项目平台定点,将为2026-2030年新能源汽车领域销售增长提供持续支撑。

2025年,公司车规级GaNHEMT模块获得了主电机控制器平台定点,预计2026年逐步进入装车应用阶段。

2025年,公司应用于主电机控制器的主频320MHz车规级MCU产品进展顺利,该芯片集成多个高性能锁步内核与高算力功能内核、国密一级标准安全HSM,可全面适配新能源汽车双电机主驱控制及动力总成多合一域控场景,满足ISO26262ASIL-D产品认证要求,整体性能与安全指标对标国际一线主流产品,预计于2026年底实现小批量供货。

2025年,公司面向车载主电机控制器开发的PCB嵌入式功率模块研发进展顺利,已完成多轮车规级可靠性验证。

PCB嵌入式封装相较传统封装方案具备更优异的电气性能、散热能力与电磁兼容表现,有效提升产品运行稳定性与带载能力,同时有助于缩减电控系统体积、优化整体综合成本。

目前项目产业化进展顺利,预计2026年底在头部车企实现量产交付。

公司稳居新能源汽车主电机控制器核心供应商行列,报告期内获得了行业主管机构、头部整车厂及核心零部件企业的广泛认可与高度赞誉:2025年,公司荣获“中国汽车芯片产业创新战略联盟突出贡献单位”;2025年,公司荣获采埃孚颁发的“战略合作伙伴奖”;2025年,公司荣获大洋电机颁发的“30周年特别贡献奖”;2025年,公司荣获长安汽车颁发的“香格里拉贡献奖”;2025年,公司荣获青山集团颁发的“卓越质量奖”;2025年,公司荣获阳光电动颁发的“优秀伙伴奖”。

2)在新能源发电及储能行业2025年,公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术、面向地面电站组串式光伏320KW逆变器模块,持续向多家头部光伏逆变器客户稳定大批量交付;公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的面向工商业光伏150KW逆变器模块,持续向多家头部光伏逆变器客户稳定大批量交付。

2025年,公司成功研发了国际领先的1.2μmPitch的第八代微沟槽IGBT芯片。

基于该IGBT芯片核心技术,结合公司第二代1400VSiCMOSFET芯片平台,发布了全球首个光伏地面电站组串式2000V系统的500KW逆变器功率模块解决方案。

该解决方案是目前全球组串式光伏逆变器领域最大功率产品,引领行业技术方向。

根据当前客户项目进度,预计于2026年实现大批量交付。

2025年,公司推出了新一代构网型大型储能PCS的IGBT模块,并在全球储能头部企业测试通过并开始小批量交付,预计2026年开始大批量交付。

2025年,公司应用于400KW以上组串式储能系统的三电平混合SiC模块方案开始在行业头部客户大批量交付。

2025年,公司应用于光伏逆变器、储能等行业的新一代750V、1200VSiCMOSFET分立器件(单管)产品开始批量交付。

2025年,公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT分立器件(单管)产品在户用式光储与工商业光储市场持续大批量装机,与公司组串式模块方案系列、集中式模块方案系列一起为客户提供一站式全套解决方案,继续巩固公司在光储行业的领先优势。

2025年公司1700VIGBT模块在风电变流器行业中持续稳定大批量交付,同时,公司基于第七代微沟槽技术的下一代1700V、2300V电压平台芯片将匹配客户下一代大功率风电变流器产品,开展批量导入工作。

公司已成为全球新能源发电及储能行业的核心供应商,多个产品方案引领行业技术方向,与多家行业头部客户达成长期战略合作关系。

2025年,公司连续三年荣获阳光电源“战略伙伴奖”,充分彰显了行业与客户对公司技术实力、产品品质及服务水平的高度认可。

2.工业控制和电源行业2025年,国内工业自动化市场整体保持温和增长态势,行业结构性分化凸显,部分下游细分赛道需求偏弱、市场竞争较为激烈。

报告期内,公司该板块实现营业收入103,005.73万元,同比下降6.38%,降幅较上半年收窄,业务呈现边际改善态势。

2025年,应用于主控制电路的工业级MCU芯片流片成功,并在国内多家工控头部客户开展试用,客户反馈良好,预计2026年开始批量销售。

2025年,公司在工业控制和电源行业持续开展新产品和新技术的推进,公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在国内外多家工控客户测试通过并开始批量使用。

公司作为国内工业控制和电源行业的核心供应商,凭借成熟的技术积累、完善的产品矩阵及优质的服务,已在行业内树立起良好的品牌口碑与市场地位,获得了国内外头部客户的高度认可。

报告期内,公司获得了汇川技术颁发的“战略供应商奖”、施耐德(Schneider)颁发的“GrowthMindsetExcellence”和“最佳项目支持奖”等奖项。

3.变频白色家电及其他行业2025年,公司变频白色家电及其他行业继续保持快速增长态势,报告期内,公司该板块实现营业收入42,447.53万元,较去年同期增长56.03%,变频白色家电用IPM销售数量超过500万颗。

2025年,公司加大对白色家电行业的资源投入,不断丰富产品矩阵,产品覆盖IGBT模块、分立器件、压缩机/风机/洗衣机IPM、MCU、栅极驱动芯片等核心品类,为家电客户提供全功率段全套电控解决方案,全面赋能家电市场。

同时,公司推出高集成度IPM产品,相较于传统方案,可大幅缩减系统体积,降低环路寄生参数,减少客户生产工序及成本,提升产品长期运行可靠性。

目前该集成化产品已获得头部空调、热泵干衣机客户定点,预计2026年将持续放量。

2025年,公司推出适配特种空调的碳化硅(SiC)及混合碳化硅模块产品,聚焦数据中心、机房等终端应用场景,满足其对空调系统超高能效、高可靠性、高密度散热的严苛需求。

2025年,公司完成了美垦半导体股权交割,交割完成后,公司持有美垦半导体80%股权,美的集团持有20%股权。

通过此次战略控股,将有助于公司加速拓展变频白色家电市场,为公司后续业绩快速增长提供有力保障。

4.新兴行业2025年,公司持续在AI服务器电源、数据中心、机器人、低空/高空飞行器等新兴行业开展产品研发和产业化,依托自身技术和品牌优势,持续推出符合市场需求、具有核心竞争力的高附加值新产品,已在部分领域取得突破性进展。

2025年,公司车规级IGBT和SiCMOSFET模块获得多个低空飞行器项目定点,并且多个项目开始批量装机;公司车规级SiCMOSFET模块获得载人电动商用飞行器定点,公司产品首次进入商业航空领域,预计2026年开始批量销售。

2025年,公司自主研发并生产的面向高频工况的第三代SiCMOSFET芯片研发成功,该产品具备超低开关损耗、优异高频动态特性与高温稳定性,可有效支撑公司在AI数据中心800V高压直流架构、固态变压器(SST)、大功率充电桩等高端新兴领域的产品布局与产业化落地。

2025年,公司加大研发投入,重点开发适配AI相关应用高功率密度和高能效需求的产品,产品系列包含100V/650VGaNHEMT、25V-150V低压MOS、DrMOS等芯片,下游覆盖PSU(电源供应器)、IBC(板载充电器)、Hotswap(热插拔)、VRM(电压调节模块)等应用场景,预计2026年开始可以陆续给客户送样测试。

该系列产品将进一步完善公司在AI服务器电源、数据中心等新兴领域的产品矩阵,助力公司紧抓AI产业发展机遇,为公司业务增长拓展新的核心增长极。

公司将继续坚持以市场为导向,以创新为驱动,以成为全球领先的、为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案提供商为目标,为客户创造更大价值,致力于成为世界顶尖的半导体制造企业。

2025-12-31 · 未来展望

(一)行业格局和趋势1.行业格局和发展趋势2025年,全球半导体产业实现高速增长。

根据美国半导体协会(SIA)统计,2025年全球半导体市场规模达7,917亿美元,同比增长25.6%,创下历史新高。

人工智能已成为驱动半导体行业迭代升级的核心动力,据WSTS预测,2026年全球半导体市场规模将进一步提升至9,750亿美元。

行业普遍共识,AI的尽头是能源,生成式AI的爆发式发展,不仅带动算力、存储类芯片需求持续高增,同时推动了全球算力基础设施加速建设,设备高压化、高效化、低能耗升级诉求凸显,能源高效管理与电能转换需求大幅提升为功率半导体开辟全新应用赛道,成为驱动功率半导体产业持续扩容的核心新增量。

a)功率半导体市场前景广阔功率半导体是支撑新能源、高端制造、数字经济发展的核心基础器件,也是拉动全球半导体行业稳步增长的关键力量。

根据Omida数据及预测,2023年全球功率半导体市场规模503亿美元,预计2027年将达到596亿美元。

中国为全球核心功率半导体消费市场,根据中研普华产业研究院相关报告,2024年国内功率半导体市场规模1,752.55亿元,同比增长15.3%,近五年复合增长率12%,显著高于全球6.9%的平均增速。

IGBT是其中成长性突出的核心品类,根据QYResearch(2025年10月)的数据,2024年全球IGBT市场规模94.99亿美元,预计2031年将达到146.7亿美元,2025至2031年复合增速为7.4%。

伴随全球双碳战略落地与能效标准持续升级,功率半导体产品应用边界不断拓展。

过去十年间,功率半导体已经传统工业控制、4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域快速拓展至新能源汽车、风光储、轨道交通、智能电网、变频家电等领域。

我们可以预见,以AI数据中心、工业机器人、低空飞行器等新兴高端场景的爆发性增长将为功率半导体行业开辟新的增长曲线。

b)IGBT需求增长迅速IGBT作为能源变换和传输的核心器件,下游应用非常广泛。

国家七大战略新兴产业中,IGBT是新能源汽车产业、新能源产业、节能环保产业、高端装备制造产业不可缺少的半导体器件,随着这些产业快速发展,为IGBT提供了更广阔的市场。

新能源汽车产业快速发展,根据EVTank及中国汽车工业协会统计,2025年全球汽车销量约9,980万辆,其中新能源汽车销量2,354.2万辆,同比增长29.1%;中国汽车销量3,440万辆,同比增长9.4%,其中新能源汽车销量1,649万辆,同比增长28.2%,占全球比重超70%,电动化渗透率持续提升,持续带动车规级IGBT需求放量。

“双碳”战略背景下,新能源发电和储能产业快速发展,2025年国内新增光伏装机317GW(同比+14%)、新增风电装机120GW(同比+51%),新增装机规模再创高位;国内新型储能新增装机66.4GW/189.5GWh(同比+51.9%/+72.6%),连续四年位居全球首位,光伏逆变器、风电变流器、储能PCS等设备对IGBT需求持续释放。

白色家电行业需求巨大,根据全国家用电器工业信息中心发布的《2024年中国家电行业年度报告》,2024年中国家电市场零售额为8,468亿元,同比增长9.0%。

其中,空调销售规模约为1,826亿元,同比增长11.8%;冰箱销售规模约为1,159亿元,同比增长8.3%;洗衣机销售规模约为925亿元,同比增长10.3%。

根据产业在线数据,2024年中国白色家电市场对IPM模块的国内需求规模达到4.4亿颗,同比增长20.8%。

受益于新能源汽车、新能源、白色家电等领域拉动,预计IGBT需求接下来将持续保持稳定快速增长。

c)以SiC为代表的化合物半导体迅速发展近年来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。

其中碳化硅功率器件受下游新能源汽车等行业需求拉动,市场规模增长快速。

根据IHS数据,受新能源汽车行业庞大的需求驱动,以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响,预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元,2018-2027年的复合增速接近40%。

d)新兴行业崛起,为功率半导体的增长带来新的动能2025年,AI数据中心、算力基础设施、工业及人形机器人、低空/高空飞行器等新兴应用快速落地,成为功率半导体全新增长极。

AI算力:生成式AI带动算力基础设施建设需求大爆发,服务器供电系统向高压、高频、高效升级,大幅抬升高性能功率器件(IGBT、SiCMOSFET、GaN)用量与性能要求;智能制造:工业机器人普及、人形机器人场景化落地,带动驱动、控制、电源类功率器件需求增长;低空经济:电动飞行器产业快速发展,电推进及机载电源系统对高压、高可靠宽禁带器件形成刚性需求。

新兴产业的快速发展,推动功率半导体向高集成、高效率、高功率密度方向迭代,持续拓宽行业应用边界、优化需求结构,为具备核心技术与产品迭代能力的国内企业带来差异化竞争优势,助力行业实现高质量可持续发展。

2.国家政策及行业机遇近年来,为了推动功率半导体行业快速健康发展,国家相关部门出台了多项具体政策和措施。

2015年5月,备受关注的《中国制造2025规划纲要》出台,将电力装备作为大力推动的重点领域之一。

纲要提出要突破大功率电力电子器件、高温超导材料等关键元器件和材料的制造及应用技术,形成产业化能力。

2016年3月全国两会发布“十三五规划”,针对功率器件行业:加强与整机产业的联动,以市场促进器件开发、以设计带动制造、推动“虚拟IDM”运行模式的发展;建设国家级半导体功率器件研发中心,实现从“材料-器件-晶圆-封装-应用”全产业链的研究开发;大力发展国产IGBT产业,促进SiC和GaN器件应用。

2017年2月出台的《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》,进一步明确功率半导体器件的地位和范围,IGBT等功率半导体器件被列入。

2019年10月8日,工信部回复政协《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案》称,下一步,将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展,根据产业发展形势,调整完善政策实施细则,更好地支持产业发展。

2021年1月29日,工信部印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》,明确提出要面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车等重点市场,推动基础电子元器件产业实现突破,并增强关键材料、设备仪器等供应链保障能力。

2021年3月13日,中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要正式发布。

规划支持集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微电机系统(MEMS)等特色工艺突破,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展也被正式列入规划。

2021年10月,国务院印发《2030年前碳达峰行动方案》,强调大力发展新能源。

全面推进风电、太阳能发电大规模开发和高质量发展,坚持集中式与分布式并举,加快建设风电和光伏发电基地。

到2030年,风电、太阳能发电总装机容量达到12亿千瓦以上。

2021年12月,中央网络安全和信息化委员会印发《“十四五”国家信息化规划》。

《规划》指出,加快集成电路关键技术攻关,推动计算芯片、存储芯片等创新,加快集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发,推动绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破。

2023年1月,工信部等六部门联合印发《关于推动能源电子产业发展的指导意见》,明确提出加快功率半导体器件在光伏发电、风力发电、电力传输、新能源汽车、轨道交通等领域的普及推广,同步升级长寿命、高效率LED技术,拓展新型半导体照明产品在智慧城市、智能家居场景落地,助力绿色照明与健康照明产业发展。

2024年3月,全国两会政府工作报告发布,提出大力推进现代化产业体系建设、加快发展新质生产力,依托科技创新引领产业升级,深入实施科教兴国战略,围绕国家重大战略需求与产业发展方向布局重大科技项目,为高端制造、半导体及新能源产业链高质量发展筑牢政策根基。

2024年7月,党的二十届三中全会审议通过《中共中央关于进一步全面深化改革推进中国式现代化的决定》,文件强调强化关键共性技术、前沿引领技术与颠覆性技术创新,完善战略性新兴产业发展治理体系;聚焦集成电路、先进材料、高端装备等重点领域,健全产业链供应链安全稳定发展机制,全链条推进核心技术攻关与成果转化应用,全面保障半导体产业自主可控发展。

2025年7月,国家发改委、国家能源局、工信部、交通运输部多部门联合发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》,要求加速充电装备技术迭代升级,优化大功率充电运行效能与功率分配模式,重点推动高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代,全方位带动充电设备零部件、系统集成及配套服务产业链协同升级。

公司将牢牢把握新能源汽车、风光储、智能电网、高端装备、AI算力、低空经济等新兴赛道快速发展的红利,紧抓国产替代与产业链自主可控战略机遇,不断突破和不断创新,发挥在研发、生产、品牌、市场、渠道、人力资源等方面的综合竞争优势,为国家节能减排、产业升级,以及建立绿色繁荣和谐社会做出更大贡献。

(二)公司发展战略公司将继续坚持以市场为导向,以创新为驱动,以成为全球领先的、为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案提供商为目标,为客户创造更大价值,致力于成为世界顶尖的半导体制造企业。

首先,公司将始终坚持自主创新,加大研发投入,继续加大新一代IGBT芯片、快恢复二极管芯片、SiCMOSFET芯片以及MCU、栅极驱动IC等芯片的研发力度,攻克新一批关键技术。

其次,公司将紧跟国家政策指引,加大新兴行业布局,重点针对新能源汽车、新能源发电、储能、变频白色家电等行业推出在制造工艺、电性能、功耗、可靠性等方面具有国际领先水平,在价格、品质、技术支持等方面具备较强国际竞争力的产品,进一步扩大公司产品的市场覆盖面,满足更多客户的市场需求。

最后,公司将继续完善产业布局,深化MCU、功率半导体与栅极驱动IC三者的协同,构建起智能化系统中至关重要的“脑心神经”协同架构,持续增强公司为客户提供系统级解决方案‑‑的能力,为新能源、新能源汽车、机器人、低空/高空经济、AI服务器电源、数据中心等下游行业提供更高性能、更优成本、更快响应的一体化解决方案。

(三)经营计划2026年,公司将围绕上述发展战略和方向,积极应对国际环境及竞争环境变化,立足现有基础和优势,继续扎根以IGBT为代表的功率半导体行业,持续加大技术和产品研发投入,深耕现有市场,不断开拓新市场,持续提高市场占有率,积极推动公司稳定持续发展。

具体情况如下:1.持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场,在新能源汽车用驱动控制器领域为纯电动汽车、混动汽车、增程式汽车、燃料电池汽车等客户提供全功率段的车规级IGBT模块、车规级SiCMOSFET模块、GaNHEMT模块,完善辅助驱动和车用电源市场的产品布局,为客户提供完善的辅助驱动和车用电源市场的产品;在燃油车用汽车电子市场,开发更多的燃油车用车规级功率器件。

2.继续深耕工业控制及电源行业充分利用公司650V/750V、1200V、1700V自主芯片产品的性能优势、成本优势、交付优势,在变频器、电焊机、电梯控制器、伺服器、电源等领域持续发力,提高现有客户的采购份额,加大海外市场的开拓力度,突破海外头部客户,提高市场占有率。

同时,继续坚持以技术为核心,加强和客户技术合作,不断研发出具有市场竞争力的产品。

3.加速开拓新能源发电和储能市场抓住全球能源低碳转型持续提速,风光储产业高速扩容的时代窗口,依托公司技术优势与产品积淀,聚焦光伏发电、风力发电、储能等核心领域,深化与头部企业合作,推动基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的产品、SiCMOSFET产品在新一代光伏逆变器、风电变流器、储能PCS产品的批量化落地。

4.加大对变频白色家电市场的投入加大对变频白色家电行业的投入力度,依托美垦半导体技术团队在白色家电领域超过10年的技术积淀,结合公司自主研发的IGBT芯片、SiCMOSFET芯片、MCU及驱动芯片等核心资源,搭建覆盖全功率段的产品矩阵,为客户提供从芯片到模块、从设计到落地的一站式系统解决方案。

5.加速公司下一代IGBT芯片的研发和产业化加大芯片研发力度,结合市场需求,进一步丰富第七代微沟槽TrenchFieldStop芯片系列、第七代Plus版芯片系列以及第八代微沟槽TrenchFieldStop芯片系列。

6.持续加大宽禁带功率半导体器件的研发力度加大研发投入,加大SiC、GaN芯片和模块的研发力度,持续推出具有市场竞争力的适用于各应用场景的SiC和GaN芯片和模块产品。

7.加大对3300V-6500V高压IGBT产品的研发和推广力度加大公司自主的3300V-6500V高压IGBT产品在轨道交通、高压直流柔性输变电等行业的推广力度,紧抓核心零部件国产化的机会。

8.重点布局新兴行业,拓宽业务增长边界聚焦AI服务器电源、数据中心、工业及人形机器人、低空/高空飞行器等新兴领域,依托公司自主研发的第三代SiCMOSFET芯片等核心技术及品牌优势,推进高附加值新产品研发与产业化落地,重点发力AI数据中心800V高压直流架构、固态变压器(SST)、大功率充电桩及低空飞行器、载人电动商用飞行器等高端场景产品布局。

持续开拓新兴领域新客户、新场景,推动产品在新兴行业实现规模化应用。

斯达半导的对外投资

序号 企业名称 持股类型 注册资本 持股比例(%) 实际投资金额 净利润 主营产品 报告期
1 嘉兴斯达微电子有限公司 全资子公司 21.09亿元 100 21.13亿元 -4454.88万元
从事半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;集成电路芯片设计及服务;集成电路芯片及产品制造;集成电路芯片及产品销售。
2025-12-31

斯达半导的十大股东

报告期 股东名称 持股数量(万股) 持股比例(%) 持股数变动(万股) 较上期变化 总股本(亿股) 持股市值(亿元)
2026-03-31
香港斯达控股有限公司
9,977.35 41.66 不变 不变 2.39 101.22
2026-03-31
浙江兴得利纺织有限公司
2,710.60 11.32 不变 不变 2.39 27.50
2026-03-31
嘉兴富瑞德投资合伙企业(有限合伙)
650.05 2.71 不变 不变 2.39 6.59
2026-03-31 512.07 2.14 +235.68 86.087 2.39 5.19
2026-03-31 127.27 0.53 不变 不变 2.39 1.29
2026-03-31 126.49 0.53 -56.30 -30.2632 2.39 1.28
2026-03-31 90.02 0.38 -82.06 -47.2222 2.39 0.91
2026-03-31 76.08 0.32 +1.48 3.2258 2.39 0.77
2026-03-31 75.49 0.32 不变 不变 2.39 0.77
2026-03-31
戴志展
73.12 0.31 新进 新进 2.39 0.74

斯达半导的十大流通股股东

报告期 股东名称 持股数量(万股) 占流通股比例(%) 持股比例(%) 持股数变动(万股) 持股市值(亿元) 更新日期
2026-03-31
香港斯达控股有限公司
9,977.35 41.6637 41.6637 不变 101.22 2026-04-30
2026-03-31
浙江兴得利纺织有限公司
2,710.60 11.319 11.319 不变 27.50 2026-04-30
2026-03-31
嘉兴富瑞德投资合伙企业(有限合伙)
650.05 2.7145 2.7145 不变 6.59 2026-04-30
2026-03-31 512.07 2.1383 2.1383 +235.68 5.19 2026-04-30
2026-03-31 127.27 0.5315 0.5315 不变 1.29 2026-04-30
2026-03-31 126.49 0.5282 0.5282 -56.30 1.28 2026-04-30
2026-03-31 90.02 0.3759 0.3759 -82.06 0.91 2026-04-30
2026-03-31 76.08 0.3177 0.3177 +1.48 0.77 2026-04-30
2026-03-31 75.49 0.3152 0.3152 不变 0.77 2026-04-30
2026-03-31
戴志展
73.12 0.3053 0.3053 新进 0.74 2026-04-30

斯达半导的公司高管

姓名 职务 简历 薪酬(万元) 年龄 学历 国籍 就任日期 报告期 持股数量(万股) 持股比例(%)
沈华 董事长,总经理,法定代表人,非独立董事
沈华先生,董事长、总经理,1995年获得美国麻省理工学院材料学博士学位,1995年7月至1999年7月任西门子半导体部门(英飞凌前身,1999年成为英飞凌公司)高级研发工程师,1999年8月至2006年2月任XILINX公司高级项目经理,公司设立以来一直担任公司董事长和总经理。沈华先生目前兼任香港斯达董事、斯达控股董事、斯达欧洲董事长、重庆安达董事兼经理、斯达电子执行董事兼经理。
150.48 63 博士 美国 2017-10-10 2025-12-31
胡畏 副总经理,非独立董事
胡畏女士,董事、副总经理,1994年获美国斯坦福大学工程经济系统硕士学位,1995年至2001年任美国ProvidianFicial公司市场总监、执行高级副总裁助理、公司战略策划部经理,2005年回国创办公司,现任公司董事兼副总经理。胡畏女士目前兼任香港斯达董事、斯达控股董事、斯达欧洲董事、美垦半导体董事、嘉兴港禾逸蓝科技有限公司董事。
126.68 62 硕士 美国 2017-10-10 2025-12-31
汤艺 副总经理
汤艺女士,副总经理,2003年博士毕业于美国仁斯利尔理工学院(RPI)电子工程系,2003年7月至2015年3月在美国国际整流器公司(InternationalRectifier)工作,历任集成半导体器件高级工程师、主管工程师、高级主管工程师、IGBT器件设计经理、IGBT器件设计高级经理。2015年加入公司,现任公司副总经理,负责IGBT芯片技术研发工作。
133.08 53 博士 美国 2017-10-10 2025-12-31 39.65 0.1656
李云超 副总经理
李云超先生,副总经理,1987年至2000年任中国工商银行嘉兴市分行工会行政干事,2000年至2005年任嘉兴新秀箱包制造有限公司行政主管、总经理助理、分厂厂长,2005年至2009年任嘉兴凯隆塑胶制造有限公司常务副总经理,2009年3月加入公司,任副总经理,同时兼任嘉兴盛隆拉链制造有限公司董事。
42.29 61 中专 中国 2017-10-10 2025-12-31
戴志展 副总经理
戴志展先生,副总经理,中国台湾省国立清华大学电机工程研究所硕士。1999年9月至2002年11月在昀瑞公司工作,历任研发课课长、研发部经理;2002年11月至2009年2月在乾坤科技股份有限公司工作,历任研发处经理、电源应用部资深经理。2009年2月加入公司,现任公司副总经理。
75.59 56 硕士 中国 2017-10-10 2025-12-31 73.12 0.3053
张哲 副总经理,董事会秘书,财务总监
张哲先生,董事会秘书、财务总监、副总经理,南开大学工商管理硕士。2008年5月份加入公司,2010年至2016年任客服部经理,2016年6月至今任公司财务总监,2017年10月至今担任公司董事会秘书、副总经理。张哲先生目前兼任上海道之监事、美垦半导体监事、重庆安达监事、斯达半导体(重庆)有限公司监事、上海安智芯车规集成电路有限公司监事。
49.30 40 硕士 中国 2017-10-10 2025-12-31
龚央娜 职工代表董事
龚央娜女士,董事,2006年11月加入公司,现任资金部经理。龚央娜女士目前兼任浙江谷蓝执行董事、富瑞德投资执行事务合伙人,兼任浙江谷蓝董事兼经理、斯达半导体(重庆)有限公司董事、上海斯达集成电路有限公司董事、嘉兴斯达电子科技有限公司监事、富瑞德投资执行事务合伙人、嘉兴港禾逸蓝科技有限公司经理。
28.38 44 大专 中国 2025-12-24 2025-12-31
沈小军 独立董事
沈小军先生,独立董事,博士,嘉兴大学材纺学院教授。2015年3月至2015年6月在德国凯撒斯劳滕工业大学复合材料研究所访学。2017年10月入选浙江省高等学校中青年学科带头人。2023年10月任斯达半导独立董事。
10.00 44 博士 2023-10-11 2025-12-31
崔晓钟 独立董事
崔晓钟先生,独立董事,博士,嘉兴大学商学院会计系主任,嘉兴大学MPAcc中心执行主任,嘉兴市审计学会副会长。2023年10月任斯达半导独立董事,兼任浙江佑威新材料股份有限公司(非上市)独立董事、浙江亚特电器股份有限公司(非上市)独立董事、浙江亚达绿能科技股份有限公司(非上市)独立董事、众泰汽车股份有限公司(上市)独立董事。
10.00 56 博士 中国 2023-10-11 2025-12-31
吴兰鹰 独立董事
吴兰鹰先生,独立董事,硕士,1970年至1983年在昆明铁路局任职,1986年至1987年在北京交通大学任职,1987年至2016年,历任北京科技大学数理学院讲师、副教授。2023年10月任斯达半导独立董事。
10.00 70 硕士 2023-10-11 2025-12-31
陈幼兴 副董事长,非独立董事
陈幼兴先生,副董事长,1995年至1997年任海宁兴业包覆丝厂厂长,1998年至今一直担任浙江兴得利董事长。陈幼兴先生现任斯达半导副董事长,兼任浙江艾美泰克电子科技有限公司执行公司事务的董事兼经理、浙江湾谷纺织有限公司执行董事兼经理、浙江湾河纺织有限公司董事兼经理、福州兴得利投资有限公司执行董事兼经理、上海道之执行董事、重庆安达董事、斯达微电子执行董事兼总经理、嘉兴斯达集成电路有限公司执行董事兼总经理和海宁市斜桥镇商会副会长。
65 高中 中国 2023-10-11

斯达半导的核心题材与板块归属

板块名称 入选原因
飞行汽车(eVTOL)
2025年半年报显示,2025年上半年,公司车规级IGBT和SiCMOSFET模块获得多个低空飞行器项目定点,并且多个项目开始批量装机。
高压快充
2025年半年报显示,2025年上半年,公司搭载自主第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V/1200V车规级IGBT模块持续放量,产品质量得到客户的高度认可。同时,基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的Plus版本芯片开始批量装车,已经在多个主流800V双电控平台实现批量交付,进一步提高公司主电机控制用车规级IGBT模块的市场竞争力。
IGBT概念
2021年半年报显示公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。2025年半年报披露,IGBT模块收入31.14亿元。
碳化硅
2020年12月18日公告显示公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内,投资建设全碳化硅功率模组产业化项目,投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。
第三代半导体
2025年半年报显示,公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。
数据中心
2025年半年报显示,目前,公司产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备,同时开展对下一代AI服务器电源、数据中心所需IGBT、SiCMOSFET、GaN等产品系列的开发,预计2026年开始推向市场。
半导体概念
以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
新能源车
IGBT模块是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。公司的B3/B3.1/B3.2系列产品,可用于新能源车。
国产芯片
IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片,公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。
风能
公司的P1/P2/C6.1/C7等系列产品,可用于光伏发电和风力发电。
光伏概念
公司的P1/P2/C6.1/C7等系列产品,可用于光伏发电和风力发电。
智能电网
公司的C4系列产品,可用于智能电网。

斯达半导的个股研报

标题 研究机构 分析师 评级 评级变动 东财评级 机构评级 报告类型 目标价 发布日期
斯达半导25年三季报业绩点评:25Q3营收增长稳健,盈利能力承压 国元证券 彭琦 A 3 增持 增持 0 2025-10-30
公司25年中报业绩点评:新能源业务驱动营收增长,费用回落增强盈利 国元证券 彭琦 A 3 增持 增持 0 2025-08-31
2Q25归母净利润同环比均增超50%,新兴应用加速布局 国信证券 胡剑, 胡慧, 叶子, 张大为, 詹浏洋, 李书颖, 连欣然 AA 3 增持 优于大市 0 2025-08-29
1Q25营收同比增长14%,碳化硅、IPM与MCU多维拓展 国信证券 胡剑, 胡慧, 叶子, 张大为 AA 3 增持 优于大市 0 2025-05-29
首次覆盖报告:新能源汽车提振功率需求,募投项目进展顺利 国元证券 彭琦 A 2 增持 增持 0 107 2025-03-30
公司信息更新报告:2024Q3业绩环比改善,看好多产品线持续突破 开源证券 罗通, 周勃宇 A 3 买入 买入(Buy) 0 2024-11-02
2024年三季报点评:竞争加剧拖累业绩,多项产品加速上车 民生证券 方竞, 李萌 BB 3 持有 推荐 0 2024-10-31
三季度业绩环比改善 浦银国际证券 沈岱, 马智焱, 黄佳琦 3 买入 买入 0 112.4 2024-10-31
下游光伏需求短期回落,客户与产品持续拓展 国信证券 胡剑, 胡慧, 叶子, 詹浏洋 AA 3 增持 优于大市 0 2024-09-08
公司信息更新报告:2024H1业绩短暂承压,看好多产品线持续突破 开源证券 罗通, 周勃宇 A 3 买入 买入(Buy) 0 2024-08-31
积技以培风,以IGBT/SiC大翼将图南 华金证券 孙远峰, 王海维 BBB 3 买入 买入 0 2024-06-11
毛利率短期承压,海外市场与碳化硅起量有望修复产品价格中枢 国信证券 胡剑, 胡慧, 叶子, 周靖翔 AA 3 买入 0 2024-05-06

斯达半导的涨停记录

交易日 首次涨停 涨停原因 涨跌幅(%) 换手率(%) 所属板块
2026-06-30 2026-06-30 14:03:39
公司主营IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.073 国产芯片
2026-05-13 2026-05-13 13:07:38
公司主营IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.0644 国产芯片
2025-08-28 2025-08-28 09:47:02
公司主营IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.0805 国产芯片
2025-08-07 2025-08-07 11:19:13
公司主营IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.0847 国产芯片
2024-11-07 2024-11-07 14:54:02
公司主营IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.0623 国产芯片
2024-10-08 2024-10-08 10:40:06
公司主营IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1001 0.0141 国产芯片
2024-09-30 2024-09-30 10:56:28
公司主营IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1001 0.0376 国产芯片
2023-11-03 2023-11-03 14:08:15
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,三季报净利润同比增长增长120.42%-121.93%
0.1 0.0326 国产芯片
2023-07-04 2023-07-04 11:17:03
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,三季报净利润同比增长增长120.42%-121.93%
0.1 0.0316 国产芯片
2022-08-05 2022-08-05 10:45:09
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,预计半年报净利润同比增长120.8%-127.29%,因“产品在新能源汽车、清洁能源、储能等行业持续快速放量。此外,公司车规级SiC模块在新能源汽车行业开始大批量装车应用”
0.1 0.0422 国产芯片
2022-05-10 2022-05-10 10:21:25
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,携手华虹半导体打造车规级IGBT芯片暨12英寸IGBT规模量产
0.1 0.0346 国产芯片
2022-04-27 2022-04-27 13:23:56
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,携手华虹半导体打造车规级IGBT芯片暨12英寸IGBT规模量产
0.1 0.0221 国产芯片
2022-03-16 2022-03-16 14:32:45
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,携手华虹半导体打造车规级IGBT芯片暨12英寸IGBT规模量产
0.1 0.0353 国产芯片
2021-10-15 2021-10-15 10:30:23
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,携手华虹半导体打造车规级IGBT芯片暨12英寸IGBT规模量产
0.1 0.0221 国产芯片
2021-07-20 2021-07-20 13:37:29
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,携手华虹半导体打造车规级IGBT芯片暨12英寸IGBT规模量产
0.1 0.0397 国产芯片
2021-06-17 2021-06-17 13:59:49
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,拟投资2.29亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目
0.1 0.0502 国产芯片
2021-04-19 2021-04-19 14:33:34
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,拟投资2.29亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目
0.1 0.0458 国产芯片
2021-04-02 2021-04-02 14:41:02
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,拟投资2.29亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目
0.1 0.0532 国产芯片
2021-02-04 2021-02-04 14:54:43
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,拟投资2.29亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目
0.1 0.0972 国产芯片
2020-12-07 2020-12-07 10:46:14
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一;前三季度净利润同比增长29.4%
0.1 0.1448 次新股, 国产芯片
2020-11-09 2020-11-09 09:39:00
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一;前三季度净利润同比增长29.4%
0.1 0.0582 次新股, 国产芯片
2020-09-17 2020-09-17 13:32:32
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一
0.1 0.0825 第三代半导体
2020-07-29 2020-07-29 14:05:59
公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一
0.1 0.0997 国产芯片, 次新股
2020-07-08 2020-07-08 14:00:58
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.0912 国产芯片
2020-07-06 2020-07-06 10:12:09
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.1051 国产芯片
2020-06-22 2020-06-22 11:23:40
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.1737 次新股, 国产芯片
2020-06-09 2020-06-09 11:29:59
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.1464 次新股, 国产芯片
2020-04-30 2020-04-30 10:10:16
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.1352 次新股, 国产芯片
2020-04-01 2020-04-01 09:50:38
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.2839 次新股, 国产芯片
2020-03-12 2020-03-12 10:43:54
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.3404
2020-03-05 2020-03-05 09:31:31
IGBT龙头,公司主营功率半导体芯片和模块的设计研发和生产
0.1 0.5372

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