新洁能 605111

报告期内,公司共实现营业收入187,706.95万元,较去年同期增加2.66%；其中主营业务收入186,964.41万元,较去年同期增加2.68%；归属于上市公司股东的净利润39,363.19万元,较去年同期减少9.42%。

（一）市场营销近年来,在国家政策大力推动半导体产业国产化进程的宏观背景下,叠加新能源汽车、AI算力基础设施、工业机器人及光伏储能等战略性新兴市场的爆发式增长,公司所处的功率半导体行业迎来结构性复苏机遇。

下游核心应用需求持续释放,带动行业整体订单量回升,国产功率半导体凭借在性价比、响应速度及本土化服务等方面的突出优势,市场份额稳步提升。

与此同时,随着前期库存逐步消化,行业库存水位回归合理水平,库存结构显著优化,产品周转效率有效提升,标志着行业已逐步摆脱周期性低谷,步入高质量发展的复苏新阶段。

尽管行业整体呈现向好态势,但市场竞争亦日趋激烈。

国际头部厂商为巩固在国内的市场地位,主动调整经营策略,一方面加速核心技术本土化落地,另一方面通过产品下沉及与本土企业合作等方式深耕国内市场；国内同行则因部分中低端产品同质化严重,采取价格竞争策略,以短期利润换取市场份额,进一步加剧了行业部分领域供大于求的矛盾,对全行业盈利空间和发展质量形成一定挑战。

面对机遇与挑战并存的市场环境,公司始终坚持“技术驱动、市场导向”的发展战略,以积极姿态应对行业变革。

内部持续深化以客户需求为核心的运营体系,快速响应定制化需求；外部着力开拓新兴市场蓝海,挖掘优质新客户资源,持续优化市场布局。

依托长期积累的核心技术领先优势、覆盖全场景的丰富产品矩阵,以及高效产业链协同能力,公司不断推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。

凭借过硬的产品实力与综合服务能力,公司在战略新兴领域取得突破性进展：产品已顺利通过新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、工业机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户的严格认证,并实现规模化量产销售,有力推动公司在中高端功率半导体市场的销售规模持续扩大,凭借在核心场景的稳定表现,公司品牌认可度与核心竞争力显著提升,差异化竞争壁垒逐步构建。

此外,公司全球化战略布局在报告期内取得里程碑式进展。

作为公司拓展海外市场的核心枢纽,新加坡研发及销售中心已于上半年正式建成并投入运营,目前已全面启动对东南亚、欧洲、北美等地区海外客户的技术支持与市场服务。

该中心的落地具有多重战略价值：既是深化全球化布局的重要支点,助力公司融入全球半导体产业链分工；也是推动产品升级迭代的研发高地,依托国际化人才与技术资源,加速产品向国际高端标准靠拢；同时更是拓展海外销售渠道的前沿阵地,为公司抢占全球功率半导体市场份额开辟了新路径。

产品结构方面：（1）SGT-MOSFET产品：现已成为公司综合竞争力最强、销售规模最大及客户群体最为广泛的核心产品平台。

2025年,公司SGT第三代产品全系列成功推向市场,广泛应用于汽车电子（含舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源及新一代高功率密度电动工具等战略新兴领域。

报告期内,受益于汽车电子、储能、无人机、电动工具及AI算力服务器等下游市场需求持续释放,公司订单保持稳健增长。

公司积极把握市场机遇,强化销售前端与研发、运营部门的高效协同,及时响应客户需求,提前布局备货并充分利用扩大的产能保障供应。

得益于上述举措,公司SGT-MOSFET产品2025年实现销售收入8.66亿元,占主营业务收入比例为46.3%。

（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司IGBT产品的主要应用领域,在此基础上,公司持续加大在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度,进一步拓展产品应用范围,提升销售规模。

2025年,公司第七代IGBT产品进入批量供货阶段,第八代IGBT产品亦实现市场销售,在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可,逐步形成销售规模。

报告期内,公司IGBT产品实现销售收入2.79亿元,占主营业务收入比例为14.9%。

（3）SJ-MOSFET产品：公司SJ-MOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。

2025年,公司在移动储能、AI服务器电源及工业电源等市场的推广取得积极进展,销售规模稳步提升。

但在小电流小封装消费电子领域,市场价格竞争激烈,公司针对性加大第四代SJ-MOSFET产品的推广力度,凭借产品性能优势积极扩大市场份额；同时,在汽车OBC及充电桩领域,持续加强大电流产品推广力度。

报告期内,公司SJ-MOSFET产品实现销售收入2.05亿元,占主营业务收入比例为11.0%。

（4）Trench-MOSFET产品：Trench-MOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台,具备应用领域广泛、客户基础稳固的优势,在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位,并在光伏储能、汽车电子等领域实现多款产品的成功导入与量产销售。

但与此同时,Trench-MOSFET市场竞争最为激烈,部分中低端产品同质化严重,国内部分设计公司及封装厂采取降价策略争夺市场份额,对行业盈利空间形成压力。

公司根据市场变化及时调整产品销售价格,在稳固现有市场地位的同时积极寻求增量机会。

2025年第四季度以来,Trench-MOSFET对应市场需求快速恢复,出现供不应求的局面,对全年销售产生积极影响。

报告期内,Trench-MOSFET产品实现销售收入4.86亿元,占主营业务收入比例为26.0%。

2026年以来,Trench-MOSFET市场需求呈现旺盛趋势,公司将积极把握时机,充分利用产能资源,力争实现业务规模的进一步突破。

市场结构和客户结构方面：报告期内,公司坚持深耕存量市场与拓展增量客户并重,持续提升重点领域的市场份额。

通过深度挖掘客户需求,公司加速推动潜在客户的验证导入及量产落地进程,不断增强市场响应能力与客户服务深度。

在市场战略层面,公司坚定实施“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动策略：一方面,持续深化与国内行业头部客户的战略合作,巩固并扩大本土市场优势；另一方面,以新加坡子公司为海外核心枢纽,稳步推进全球化布局,积极拓展东南亚、欧洲及北美等重点市场,进一步提升公司在全球功率半导体领域的品牌影响力与市场份额。

从具体结构来看：汽车电子领域：在车规级功率器件领域,公司已构筑起具备核心竞争力的产品技术护城河。

截至报告期末,公司累计推出车规级功率器件产品逾330款,报告期内出货量突破2亿颗,产品矩阵全面覆盖车身控制、智能座舱、智能驾驶、动力总成及底盘系统五大核心应用领域,并广泛应用于OBC、DC-DC转换器、线控底盘、PTC加热器等关键汽车模块。

凭借卓越的产品性能及长期稳定、高质量的交付能力,公司已获得比亚迪、联合电子、星驱、富特科技、伯特利、阳光电动力等国内一线Tier1供应商及头部车企的深度认可与广泛合作,市场领先地位持续巩固。

与此同时,公司精准把握行业技术演进趋势,前瞻性布局成效显著：针对48V车载系统开发的80V-150V功率MOSFET产品已实现大规模量产,并进入客户端小批量试产阶段；面向800V高压平台的车规级SiCMOSFET产品正处于产品验证阶段,有望成为公司未来业绩增长的重要新引擎。

工业自动化领域：报告期内,公司工业自动化领域相关产品在无人机、电动工具、伺服变频及具身机器人等细分市场实现高速增长。

公司前瞻性布局低空经济产业链核心客户（如大疆、好盈科技等）,MOSFET产品作为电能转换与电路控制的核心器件,已广泛应用于无人机电池管理系统（BMS）、电池充电储能舱及电机驱动系统等关键部件。

伴随具身机器人市场的快速发展与应用场景的持续拓展,公司多款产品已成功导入机器人关节电机驱动系统、电池管理系统等核心环节,并实现对宇树科技等头部客户多款机型的批量供货。

未来,公司将紧跟客户需求迭代,持续开发适配机器人应用的高性能产品,推动该领域销售规模持续提升。

AI算力及通信领域：2025年,受益于AI算力需求的爆发式增长,全球半导体市场保持高速发展态势,高阶算力芯片及HBM高带宽内存需求尤为旺盛,带动服务器算力供电系统（包括SST、AIDC、二次DCDC电源等）细分领域快速增长。

公司紧密跟踪行业发展趋势,前瞻性布局AI算力及通信市场,自主研发的SiCMOSFET及高速SGTMOSFET产品在可靠性和能效方面已达到与欧美竞品相当的水平。

报告期内,公司相关产品成功导入多家新兴AI算力服务器客户,并实现海内外市场的批量销售,且更多的产品在高端客户开展送样验证,为公司在中高端功率半导体市场的持续拓展奠定了坚实基础。

光伏储能领域：报告期内,受益于国内外光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖,行业呈现高速反弹态势。

公司秉持长期主义理念,聚焦全球能源结构转型趋势,IGBT及MOSFET产品精准定位于光伏及储能应用场景,深度服务阳光电源、德业股份、上能电气、固德威、科华数据等头部客户。

为满足客户多样化需求,公司在光伏储能市场同步布局功率模块、大电流单管及SiC产品,并针对微型逆变器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等细分应用场景进行精细化市场拓展。

得益于上述布局以及下游客户的强需求,公司在该领域的销售规模预计将实现稳步增长。

（二）研发创新2025年度,公司实现研发投入11,794.62万元,占营业收入的比例为6.28%。

截至目前,公司（含子公司）拥有249项专利,其中发明专利130项（不含已到期专利）,集成电路布局图47项,软件著作权1项,此外,公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇,其中SCI收录论文15篇。

SGTMOS平台：(1)具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台动静态参数符合预期,正在进行可靠性验证,目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。

(2)具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N40V第三代SGTMOS平台完成平台系列化拓展,产品数量已拓展至148款,其中车规产品62款,包含sTOLL、TSC5x7、双面散热DFN5x6、双面散热DFN3x3等先进封装。

(3)N40V第三代SGTMOS产品已经全面进入量产阶段,涉及行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等。

(4)N80V第三代SGTMOS平台和N100V第三代SGTMOS平台Rsp相较于上一代产品分别降低35%和50%,均通过工规和车规考核,这两个平台全面进入量产阶段,产品进入AI算力、新能源汽车、光伏储能、电机驱动、工业电源等行业。

(5)达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台,器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上,该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、植物照明、工控电源领域大批量使用,市场需求量持续增加。

(6)基于N250V第一代平台完成超快恢复平台开发,其动静态参数符合预期,反向恢复电荷Qrr相对上一代产品降低86%,目前处于市场推广阶段,主要针对通信、电机控制、工业电源等应用领域。

(7)基于华虹12寸新产线,N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均不但完成技术转移,并且实现大批量投产。

(8)N120V、N200V、N250V第三代SGTMOS平台首个工程批已完成流片,基本功能均满足需求,部分参数需进一步调试。

(9)N40V第五代SGTMOS平台和N80V第五代SGTMOS平台已完成仿真设计,目前处于工程开发阶段,目标市场AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。

TrenchMOS平台：(1)在8寸平台TTO结构的P60V~200V平台完成系列衍生产品,P250V~300V工艺平台完成模拟优化和设计定型,确认工艺条件和材料片基本确定,待ETO和工程流。

(2)TTO结构的N200V工艺平台工程流片结果表明窗口需进一步优化,已完成进一步模拟优化,待新ETO&工程流片。

(3)完成用于穿戴设备的G2世代CSPN12V系列产品后道流程的固化及量产,更高电压系列CSP产品（N20V、N30V）完成设计定型和ETO,工程流片中。

(4)G3世代CSP12V产品工艺平台后道工艺（超薄Si+超厚背面金属）完成初步评估待进一步工程确认并固化(5)宽SOA的平台产品通过汽车客户所有严苛评测,工艺固化具备量产能力。

(6)在12寸平台完成第六代（0.65umCellPitch）N30V产品平台工艺初步固化。

(7)N30V超短沟工艺优化基本达成参数要求：Rsp优化7%,待工艺固化后会展开到全系列产品。

(8)带ESD的N30V工艺平台基本frozen。

开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp,工程流片中。

(9)0.9umN60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化12%,将衍生出系列产品。

(10)用于三代半导体cascode合封的N30V高Vth&高ESD产品工艺条件frozen,三家客户完成验证。

(11)进一步丰富了车规产品家族。

IGBT平台：(1)第七代微沟槽高功率密度IGBT产品在2座12英寸晶圆厂和3座8英寸晶圆厂均已实现量产,产品平均良率大于97%,第七代IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩,消费电子等行业都已批量交付。

(2)基于1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度IGBT已经在8寸和12寸同步开发,目前已经有650V、750V和1200V产品工程批产出。

(3)第八代IGBT产品在确保器件击穿电压耐测性的同时,器件漂移区厚度降低10%以上,器件开关损耗和导通损耗大幅降低,器件电流密度可以上升10~20%。

此外,随着电流密度提升,芯片尺寸变小,IGBT器件短路能力理论上会下降,第八代IGBT中使用了新的短路能力优化技术,在保证器件短路电流的前提下,可以确保IGBT的短路能力符合器件和模块的要求。

(4)目前第八代产品1200V高频系列已经在核心客户进行应用测试,1200V中频短路系列产品已经有PIM模块客户通过应用测试,开始排量供货。

(5)第八代650VRCIGBT也有工程批产出,参数基本符合预期,已经有消费电子客户开始进行应用测试评估。

(6)1400V和1700V第八代IGBT产品已经完成MPW工程流片,产品参数基本符合设计预期,已进入单芯片产品开发阶段。

(7)1400VFRD和1600V整流二极管已经完成产品开发和可靠性验证,1700VFRD产品开发中,研发进度基本于IGBT芯片同步。

SJMOS平台：(1)第四代600~650VSJMOS产品目前已经在fab2、fab7、fab9全面量产,基于12寸工艺平台的第四代800V/900V深沟槽SJMOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用,正式进入量产阶段。

第四代SJMOS产品已在汽车电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。

(2)在12寸工艺平台上,基于第四代SJMOS设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的小电流产品,已完成可靠性测试,样品已经通过客户端验证,产品在保证温升达标的前提下,EMI性能大幅度改善,且产品成本大幅度降低,已经完成360mohm~900mohm的650V和700V多款产品开发,开始进入批量阶段。

(3)第五代600~650VSJMOS平台基于7umpitch设计,使用优化工艺、材料规格,在12寸晶圆厂已经完成多轮工程流片,目前产品参数已经达成设计目标,正在进行一致性和良率优化,预计2026年Q2投入市场。

(4)650V第五代7umpitchSJMOS特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2),进一步提升器件功率密度,可以在相同器件规格中使用更小的封装体积,并且进一步降低器件成本。

目标市场主要是对器件成本、体积和效率由要求的应用中,如大功率汽车OBC、铂金电源等。

(5)LVSJMOS150V~300V产品已经开始工程开发,目前正在进行工程流片。

第三代半导体功率器件平台：(1)公司第2代和第2.5代SiCMOSFET平台已全面进入量产,电压段覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V平台,导通电阻覆盖13mohm~1ohm,新增产品型号40余款,相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核,并通过多家头部客户测试评估,实现批量供货,主要用于光伏逆变、储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。

(2)第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发,相关产品处于可靠性验证阶段。

(3)同时,公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品,相关产品已完成工艺设计、产品设计,处于工程验证阶段。

(4)已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建,新增产品20余款,相关产品进入量产阶段,并批量供货给多家行业龙头客户。

(5)开发SiC功率模块产品5款,相关产品处于客户验证阶段。

(6)100V/200VGaN产品开发中。

汽车电子平台：(1)基于第三代SGT晶圆开发的电压等级为40V的车规品,其中,PDFN3*3开发10款产品全部开发完成并取得车规认证,以导通电阻8mohm为代表的产品在车载无线充上实现大批量交付。

PDFN5*6开发24款产品,18款产品开发完成并取得车规认证,以1.5mohm为代表的产品在线控底盘EPB中实现大批量交付。

TOLL与sToll产品系列新增4款新品开发,累计11款产品,进一步细分产品规格,其中6款产品开发完成并取得车规认证,以0.8mohm为代表的产品在汽车电子稳定控制系统（ESC）上处于小批量验证中。

PDFN5*6双芯开发13款产品,10款产品开发完成并取得车规认证,以6.5mohm为代表的产品在车载150W水泵中实现批量交付。

(2)针对新能源汽车48V系统使用的80V~150V产品,累计开发完成40余款产品并取得车规认证,其中以100V1.5mohm的TOLT产品为例,已导入多家头部Tier1,应用在DCDC中,以其顶部散热的独特优势,进一步提高了其零部件的功率密度,处于小批量试产中。

(3)先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品,已开发完成2款40V的产品,导通电阻典型值为0.7mohm,目前已给客户送样,处于DV验证阶段。

(4)适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列,处于可靠性验证阶段。

(5)PDFN3*3双面散热、PDFN3*3dualDie封装平台处于产品可靠性验证阶段。

报告期内,公司进一步加大了研发方面投入,积极扩充研发团队,不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才,并积极组织内部学习和培训,以进一步加强AI与数据中心,新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。

（三）生产运营报告期内,公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。

面对市场供需环境的动态变化,运营部门前瞻布局,积极协同代工厂推进新品导入流程,快速完成产品验证并实现量产上量,持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力,保障了公司供应链的稳定供应。

公司在芯片代工、封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配,目前已与十余家封测领域供应商建立并保持良好合作关系,为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。

报告期内,公司芯片代工供应整体稳定,芯片回货量稳步增长。

其中,FRD产品出货量实现大幅提升,SiCMOSFET产品顺利进入批量生产阶段,并积极拓展代工资源以应对持续增长的市场需求。

与此同时,公司持续推进封装成本优化,构建多元化供应链体系,不断开发更具性价比优势的供应商资源；协同推进关键材料的国产化替代进程。

在团队建设方面,公司注重提升员工专业技能与综合素养,为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。

（四）子公司建设1、电基集成公司全资子公司电基集成,专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。

报告期内,电基集成公司应用于汽车电子、电池管理、电机驱动等关键领域的TOLL封装产品销售增长显著,同比增速显著。

产品与技术布局方面,PDFN3.3×3.3、sTOLL等无引脚先进功率封装已实现规模化量产；面向车载及工业设备应用的大功率双面散热封装技术已完成立项,相关研发工作稳步推进。

信息化建设方面,CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。

其中,CIM系统整合生产管理系统（MES）与设备自动化系统（EAP）,PMS系统为预防性维护系统（PreventiveMaintenanceSystem）,有效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。

作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业,电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力,形成差异化竞争优势。

2、金兰半导体公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。

随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。

目前公司已建立一支完整的包括产品开发,工艺技术,设备维护的技术团队,该团队大部成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验,也有很好的生产品质管理经验。

完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线,生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能6万个模块/月。

产品开发方面：（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,完成了9个模块产品平台的开发,为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3,电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。

以应用领域而分,在工业控制,完成开发了电流覆盖10A~800A的45款产品；在光伏逆变、储能领域,完成开发了电流100A~600A的34款产品；在电源应用和电网自动化领域,完成开发了18款产品；在电能质量领域,在650V平台,完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域,完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品11款,其他领域25款产品。

（2）正在开发：基于750V和1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和第三代SICMOS芯片,2款应用于商用车主驱的IGBT和SIC模块产品正开发:550A/750VIGBT模块和600A/1200VSIC模块；基于升级的750V、1100V和1400V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,3款应用于光伏储能应用的产品正开发:150KW450A/750V储能模块,320KW600A/1100V逆变模块,600A/1400V逆变模块；第三代SICMOS芯片,多款SIC模块正在开发,模块内阻从2毫欧到5毫欧不等,应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。

公司已初步完成各应用领域的产品布局,接下来计划在原有产品平台上拓展产品,完善产品系列,同时积极开发针对新应用领域的产品,如固态变压器（SST）应用领域等。

截止到2025年5公司申请了专利39项（其中10项为发明专利）,已授权30项（发明4项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”的认定。

3、国硅集成公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司,致力于智能功率集成电路芯片的设计,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。

自母公司控股以来,国硅持续注重研发与生产质量的建设与管理,并顺利通过ISO9001体系认证。

目前,国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品33款（2025年新增15款）,适用于SiCMOS驱动、光伏MPPT应用,家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品11款（2025年新增5款）,适用于中小功率风机、中低压水泵、小型电机；量产250V半桥驱动芯片45款（2025年新增15款）,适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片36款（2025年新增8款）,适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。

国硅2025年新增的碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）产品线,包括半桥IPM以及三相桥IPM,并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售；IPM产品2025年已经在头部白电厂商和标杆风机客户实现批量供应。

国硅2025年通过：江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；国硅2025年通过：“规模以上企业”、科技型中小企业年审；国硅2025年获得无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。

国硅集成2025年度新增授权知识产权11项,其中发明专利6项,集成电路布图5项。

截至目前国硅累计获得知识产权68项,其中专利20项（发明专利13项,实用新型7项）,集成电路布图47件,软件著作权1件。

4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd功率半导体全球市场规模中,海外市场占比约60%,市场空间广阔。

公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd.已正式投入运营并高效运转,承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能。

该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措,旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的区位优势,推动功率半导体前沿技术的研发与突破。

海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破,作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局,前瞻性的开发功率前沿技术,主要产品包括高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片）,这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合,结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品,助力公司成为整体应用方案提供商。

在研发层面,子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势,致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态,同时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制,持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。

报告期内,公司组建了一支具备深厚智能功率IC及模拟集成电路研发经验的海外团队,有效增强了公司在高压高功率密度集成领域的技术储备。

基于该团队的研发能力,公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。

该系列产品主要面向12V及24V汽车车身控制与配电系统,依托海外代工厂的先进功率器件工艺平台,提供多种导通电阻选项,可满足不同负载场景下的应用需求。

与此同时,面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的LLC及PFC控制器正处于研发阶段。

该类产品可与公司SiCMOSFET产品协同使用,实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度,同时有效降低系统热损耗,助力下游客户提升电源系统整体能效。

未来,公司海外研发团队将持续聚焦AI数据中心、电动汽车等高端应用领域的快速增长需求,依托国际化人才与技术资源,推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的研发迭代,进一步完善公司产品生态,提升在高端市场的综合竞争力。

在销售层面,子公司积极拓展海外市场渠道,强化对东南亚、欧洲及北美等重点区域的客户覆盖与服务能力,为公司抢占全球功率半导体市场份额提供有力支撑。

报告期内,公司已组建一支具备多国语言能力、熟悉当地市场环境且精通功率半导体专业知识的国际化销售团队,为新加坡销售中心的运营奠定了坚实的人才基础。

公司海外销售团队以新加坡为核心枢纽,重点布局东南亚经销商网络,并聚焦印度等潜力市场,在太阳能逆变及储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS电源及E-bike等应用领域取得快速突破,相关产品已实现批量交付。

海外市场拓展成效初显,为公司全球化战略的深入推进奠定了良好基础。

（五）内部管理报告期内,公司持续完善内部治理体系,不断健全内部控制制度与流程管理体系。

通过强化内部培训与企业文化建设,公司进一步整合优化各项制度流程,提升了组织协同效率与整体运营能力。

同时,严格按照资本市场规范要求,持续提升公司治理水平和合规运营能力,确保公司运作透明、规范、高效。

在信息披露方面,公司严格遵守相关法律法规,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性,保障投资者公平获取公司信息的权利。

公司高度重视投资者关系管理,通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流,积极传递公司价值,树立了良好的资本市场形象。

此外,公司在合法合规的前提下,聚焦主业发展,稳步推进市值管理工作,致力于做优做强公司价值,并积极借力资本市场工具,推动公司实现高质量、可持续发展。

（六）资本市场2025年,公司紧紧围绕整体发展战略,持续关注并积极推进外延式发展机遇。

投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域,通过直接或间接方式,对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资,稳步推进横向整合与纵向延伸。

通过上述资源整合,公司充分发挥产业链协同效应,进一步加深与核心客户的合作黏性,提升对下游市场的响应能力与理解深度,为新品精准开发及快速市场化推广奠定了坚实基础。

相关举措有效增强了公司的核心竞争力,有助于提升长期盈利能力,实现经济效益与社会价值的协同增长。

同时,公司积极通过产业投资拓展产品线布局,不断完善产业链生态体系,加快产品集成化进程,为公司可持续发展注入新动能。

（七）荣誉奖项2025年,公司新增荣誉如下：2024年中国功率半导体十强企业2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质2025年国家级创新型中小企业资质复审2025年江苏省专精特新小巨人企业资质复核2025年无锡市集成电路产业专项2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目2025年无锡市生态型创新联合体建设项目2025年无锡市新吴区集成电路产业发展资金项目。

(一)行业格局和趋势1、行业特点及发展趋势（1）所处行业公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品,根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订）,公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。

功率半导体作为电子装置中实现电能转换与电路控制的核心元器件,主要承担功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）及整流（交流转直流）等关键功能。

随着国家持续推进电能替代与节能改造战略,各领域对高质量、高效率电能的需求持续提升。

目前,全球范围内绝大部分电能需经功率半导体器件处理后才能投入使用,且该比例有望进一步扩大,为功率半导体行业创造了广阔的市场空间。

自功率半导体诞生以来,历经数十年技术演进,行业围绕基材迭代、结构设计优化、先进封装技术及大尺寸晶圆应用等方面持续创新。

技术演进的主要方向为更高的功率密度、更小的器件体积、更低的功耗及损耗,器件结构设计亦不断接近理想目标,以适应日益丰富的应用场景。

据行业研究机构Yole数据显示,功率半导体器件约每二十年进行一次产品迭代,相较于其他半导体品类,其迭代周期相对较长,每一代芯片产品均拥有较长的生命周期,这为具备技术积累的企业提供了稳定的市场回报期。

发展至今,我国功率半导体行业已形成较好的国内产业链基础及相对成熟的技术体系。

在中低端领域,国产功率半导体产品已实现规模化生产及国产化替代,成功从依赖进口转向国内自给自足。

然而,在中高端领域,如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT及化合物半导体等方向,因国内起步相对较晚、设计门槛较高、工艺复杂且缺乏充分的验证机会,国内厂商仍处于追随海外技术发展路线的发展阶段。

公司自成立以来,始终立足于全球功率半导体先进技术的前沿,致力于成为国内中高端功率半导体领域的领先企业。

公司专注于功率半导体器件的设计与市场推广,精准把握市场需求及供应节奏,与国际一流代工厂保持长期紧密合作,在产品设计、工艺融合优化、产品规划及产能调配等方面形成了显著的竞争优势,为公司在市场竞争中持续巩固领先地位奠定了坚实基础。

（2）市场规模分析根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新预测,受益于人工智能应用及数据中心基础设施的强劲需求,2025年全球半导体销售额同比增长25.6%,达到7,917亿美元；展望2026年,市场有望进一步增长23%,约9,750亿美元。

从地区结构看,亚太地区作为全球半导体产业的重要引擎,2025年营收预计增长24.9%,2026年将继续保持24.9%的增长率。

另据Gartner预测,2025年全球半导体收入将达772.6亿美元,2026年有望增至909.8亿美元。

功率半导体作为半导体产业的重要分支,其市场规模在全球半导体行业中的占比保持在8%—10%的稳定区间。

由于其广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等基础电子产业,且受益于新能源汽车与充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通信等新兴应用领域的快速发展,功率半导体市场呈现出弱周期性和稳健增长态势。

据ResearchandMarkets数据显示,2025年全球功率半导体市场规模约为568.7亿美元,预计到2031年将增长至782.5亿美元,年复合增长率达5.46%。

从区域格局来看,亚太地区凭借其完整的制造产业链优势,占据全球功率半导体市场51.35%的份额,且保持着6.74%的复合年增长率。

中国作为全球最大的功率半导体消费国,市场发展前景持续向好。

伴随新能源、AI基础设施、高端工控等下游领域的加速渗透,国内功率半导体市场有望保持高于全球平均的增速,为本土企业提供广阔的进口替代空间与发展机遇。

按产品品类功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。

其中,①功率半导体分立器件,按照器件结构划分,可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等,其中以MOSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛,市场规模如下：产品品类特点市场规模测算根据DIResearch最新统计数据,2025年全球MOSFET市场规模预计将达到158.5亿美元,受益于新能源汽车、AI服务器电源、工业自动化等下游领域的强劲需求,市场有望在2032年增长至251.5亿美元,期间年复合增长率达6.82%。

具有开关速度快、输入阻抗高、从区域结构看,中国作为全球最大的MOSFET导通内阻小、易于驱动、热稳定消费市场,2025年市场规模预计将达到456亿性好等优点,既可在低电流和低元人民币（约合62.5亿美元）,约占全球市场MOSFET电压条件下工作,也可用于大电的36%。

流开关电路和高频高速电路,应中商产业研究院预测,2029年中国MOSFET市用场景广泛。

场规模有望突破700亿元人民币,2025年至2029年复合增长率保持约8%的稳健增长态势。

值得注意的是,中低压MOSFET作为国产替代进程最快的细分领域,2024年中国市场规模已达263亿元人民币,预计到2029年将增长至446亿元,复合增长率达11.1%,显著高于行业平均水平。

根据ResearchandMarkets最新发布的报告,2025年全球IGBT市场规模预计将达到103.7亿美元,受益于新能源汽车、光伏储能、工业自动能源变换与传输的核心器件,可化等下游领域的强劲需求,市场有望在2026年在更高电压下持续工作,具有高增长至116.9亿美元,到2030年将进一步突破输入阻抗、低导通压降、驱动功188亿美元,2025年至2030年期间年复合增长IGBT率小而饱和压降低的特点,功率率达12.6%。

增益更大,广泛应用于直流电压亚太地区凭借其完整的制造产业链优势和旺盛为600V及以上的变流系统。

的下游应用需求,占据全球IGBT市场最大份额。

据行业研究机构预测,2026年中国IGBT市场规模有望达到42亿美元以上,且未来几年将保持高于全球平均的增速,为本土IGBT企业提供广阔的进口替代空间与发展机遇。

根据GII（GlobalInformationInsights）及智研咨询最新发布的报告,全球碳化硅（SiC）功率半导体市场正进入高速成长期。

2025年全球SiC功率器件市场规模预计将达到28.3亿美元,2026碳化硅器件：具有耐高压、大电年市场规模有望进一步增长至38.8亿美元。

据流、耐高温、高频、高功率和低行业研究机构预测,2025年中国SiC功率器件第三代半损耗等众多优点。

市场规模有望达到14亿美元,且随着本土产业导体氮化镓器件：具有高电子迁移率、链逐步完善、成本持续优化,未来几年将保持高宽频带、高击穿场强、耐高温尺于全球平均的增速。

寸小等特点。

随着国内快充生态成熟及国产GaN器件性能提升,2025年中国GaN功率半导体市场规模预计约为5亿美元,2026年有望快速增长至8.47亿美元左右,中国GaN功率器件市场有望在2030年达到22.35亿美元,展现出强劲的增长潜力。

按应用领域在新能源汽车与充电设施、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏储能、无人机、5G②通信、物联网及人工智能等新兴市场的驱动下,功率半导体行业的应用场景正持续向纵深拓展。

与此同时,工业自动化和消费电子等传统支柱产业亦稳步发展,为行业需求侧提供了坚实支撑。

作为上述领域终端产品的核心元器件,高性能功率器件的应用需求有望伴随技术迭代与产业升级而持续释放,为公司业务发展带来广阔的市场空间与战略机遇。

AI算力服务器及数据中心在云计算、大数据及人工智能技术迭代的驱动下,智慧城市、数字政府与工业互联网等应用场景加速落地,推动数据中心作为数字基础设施的需求持续走高。

随着人工智能算力需求呈指数级增长,AI服务器及数据中心正成为功率半导体市场增长最为迅猛的下游应用领域之一。

高算力芯片的功耗攀升与机柜功率密度的持续提升,对供电架构提出了全新挑战,也为功率器件创造了广阔的市场空间。

服务器作为数据中心的核心算力载体,当前市场呈现传统服务器、云服务器、AI服务器与边缘服务器协同发展的格局。

受益于"互联网+"、大数据战略及数字经济等政策红利,超大规模数据中心及行业用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求持续走强。

据IDC数据,2025年上半年中国加速服务器（AI服务器）市场规模已达160亿美元,同比增长超一倍,预计到2029年将突破1400亿美元。

全球市场方面,360iResearch显示2025年AI服务器市场规模为1398.3亿美元,预计2026年增至1498.5亿美元,2032年有望达2349.9亿美元；从出货量看,DIGITIMES预计2025年高端AI服务器出货109万台,2026年将增至130万台。

国内外厂商加速布局千亿级参数大模型,训练与推理需求共振,驱动算力革命持续深化。

技术演进趋势方面,AI服务器电源正沿着三大方向加速演进：一是GaN/SiC等第三代半导体的加速渗透,带来更高能效与更低单位功耗成本。

二是800VHVDC与固态变压器（SST）架构自2027年起逐步放量,推动高压直流化集中趋势。

高压直流（HVDC）市场方面,随着数据中心向高密度、高能耗方向发展,供配电系统正经历从传统交流向高压直流的深刻变革,高压HVDC方案能够释放机柜空间、提升供电效率、节省铜材用量,成为新一代数据中心供电的更优解。

英伟达发布的800V直流供电白皮书指出,未来数据中心配电的最终方案将向中压整流器或固态变压器（SST）方案演进。

固态变压器（SST）市场方面,作为下一代供电方案的核心,SST通过高频变换技术实现电压转换,摒弃传统变压器的铁心与线圈结构,以IGBT、SiCMOSFET等功率半导体器件为核心,可实现10kV中压交流直转直流输出,供电路径更短、效率更高。

三是智能电源管理与数字化控制快速渗透,强化电源厂商在客户侧的黏性与定价权。

从价值量分布看,电源供应单元（PSU）和电压调节模块（VRM）目前约占AI服务器功率半导体需求的70%,是转换电网电力并向GPU提供稳定电力的核心环节。

作为电能变换与电路控制的核心器件,公司的MOSFET、IGBT、SiC等功率半导体产品可广泛应用于AI服务器及数据中心的电源供应单元、电压调节模块、HVDC系统及SST等关键环节。

随着全球AI算力基础设施建设的加速推进以及数据中心供电架构向高压直流化、智能化方向的持续升级,公司将持续紧跟技术前沿,深化与头部服务器电源厂商及云服务提供商的合作,以高可靠性、高效率的功率器件助力AI数据中心绿色低碳发展,积极把握该领域爆发式增长的历史机遇。

新能源汽车及充电桩在汽车产业电动化、智能化、网联化深度融合的背景下,功率半导体作为电能转换与管理的核心器件,正迎来前所未有的发展机遇。

2025年,我国汽车产销量跃升至3,440万辆以上,同比增长9.4%,再创历史新高。

中国汽车工业协会预测,2026年汽车市场总销量有望达到3,475万辆,同比增长1%,其中乘用车销量3,025万辆,商用车销量450万辆。

新能源汽车持续引领产业转型。

2025年,我国新能源汽车销量达1,649万辆,同比增长28.2%,新车渗透率首次突破50%,达到50.8%。

中汽协展望2026年,新能源汽车销量有望增至1,900万辆,同比增长15.2%,渗透率进一步提升至54.7%。

汽车出口方面,2025年出口达709.8万辆,继续保持全球首位；预计2026年出口将达740万辆,同比增长4.3%。

汽车芯片需求呈现倍增态势。

据中汽协统计,传统燃油车所需芯片数量为600至700颗,而电动车所需芯片数量提升至1,600颗/辆,更高级的智能汽车对芯片的需求量有望提升至3,000颗/辆。

功率半导体作为实现电能转换的核心器件,新能源车功率器件单车价值约为传统燃油车的2至3倍。

根据ResearchandMarkets数据,全球功率半导体市场规模2025年已达568.7亿美元,预计2026年增至599.8亿美元,2031年有望达782.5亿美元,2026-2031年年复合增长率5.46%。

从汽车应用看,电机驱动、主驱逆变器、DC/DC、OBC（车载充电器）及热管理等场景对高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET需求广泛。

根据ICWISE预测,车用MOSFET在MOSFET领域的占比将持续提升,成为支撑行业发展的中坚力量。

充电桩基础设施同步快速发展。

2025年,我国公共充电桩额定总功率达2.1亿千瓦,私人充电桩报装用电容量达1.29亿千伏安,充电基础设施总功率约3亿千瓦。

交通运输部持续推进公路服务区充电基础设施建设,适合公路场景的"超快充、大功率"充电设施成为发展方向,对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度及可靠性提出更高要求。

据QYResearch数据,全球充电桩用功率器件市场规模2025年为2亿美元,预计2032年将达7.9亿美元,2026-2032年年复合增长率达22.0%。

充电机作为充电桩核心部件,成本占比超50%,而功率半导体是充电机的最核心组成部分,成本占比过半,为公司相关产品提供了广阔市场空间。

工控自动化：细分领域增长强劲根据行业权威研究机构最新统计,全球功率半导体下游应用市场中,工业电子仍是占比最大的领域,市场份额维持在36%左右。

该领域应用场景广泛,涵盖电机驱动、机器人、轨道交通、工业电源、工程机械等多个细分方向。

2024年以来,随着全球制造业智能化转型加速,无人机、智能机器人、高端电动工具等细分赛道迎来高速发展机遇。

低空经济领域,政策支持力度持续加大。

2024年《无人驾驶航空器飞行管理暂行条例》正式施行,为行业规范发展提供了法律保障；工业和信息化部、科学技术部、财政部、中国民用航空局联合印发的《通用航空装备创新应用实施方案（2024-2030年）》明确了产业发展路线图。

2026年政府工作报告进一步将低空经济定位为"新兴支柱产业",连续三年的政策升级彰显国家战略决心。

据行业数据显示,2025年我国低空经济市场规模已达1.5万亿元,预计2030年将突破2万亿元。

无人机（消费级、工业级）、直升机和电动垂直起降飞行器（eVTOL）等产品市场空间持续拓展。

根据权威机构最新预测,2035年全球eVTOL市场规模预计将达到50.8亿美元,2025-2035年复合增长率达12.3%。

作为电能转换与电路控制的核心部件,低空应用场景对功率半导体提出高能量密度、轻量化、高安全、超级快充等严苛要求。

公司已与低空经济产业链相关客户建立合作,MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中批量应用,部分客户已实现规模化销售。

公司将紧抓行业发展机遇,持续提供高可靠性产品,深化与头部客户的战略合作。

智能机器人领域正以前所未有的速度重塑生产生活方式。

我国智能机器人产业凭借政策支持、技术创新和庞大市场需求,已跻身全球科技竞争前沿。

根据国际数据公司（IDC）最新预测,2026年全球智能机器人硬件市场规模将接近300亿美元,其中中国将引领全球具身智能机器人市场增长,届时中国市场规模有望突破110亿美元。

智能机器人正广泛应用于工业制造、医疗服务、家庭服务、特种作业等多个领域,从工业生产线到家庭服务,从医疗手术到太空探索,应用场景持续丰富。

随着智能机器人市场的快速崛起,公司已有多款产品进入机器人应用领域,获得头部客户认可及批量订单。

公司将紧跟客户需求,持续加强新品研发与配套能力,推动该领域销售规模进一步提升,长期看好下游发展前景并积极布局。

在工业应用领域,功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等设备中扮演核心角色,通过精确控制电机速度和扭矩,实现节能降耗与性能优化。

IGBT和MOSFET等功率器件的大规模应用,显著提升了工业设备的能源使用效率和运行性能,为工业自动化和智能制造提供关键支撑。

光伏储能：光伏逐步回暖、储能需求爆发在全球能源转型战略深入推进的背景下,以光伏为代表的新能源产业迎来历史性发展机遇。

我国能源安全保障能力持续增强,绿色低碳转型步伐不断加快,为功率半导体市场开辟了广阔的增长空间。

光伏市场方面,根据中国光伏行业协会最新发布的路线图,2026年全球新增光伏装机规模预计为500GW至667GW。

尽管我国新增装机预计为180GW至240GW,较2025年有所回调,但"十五五"期间中国年均光伏新增装机规模有望达到238GW至287GW,全球年均装机规模预计为725GW至870GW。

这一阶段性调整主要受分布式管理办法、上网电价市场化改革等新政策影响,市场短期存在观望情绪,但中长期增长趋势依然明确。

逆变器出口方面,最新海关数据显示,2025年10月至2026年1月,我国光伏逆变器出口呈现"量价齐升"态势。

2026年1-2月,光伏逆变器出口同比增速达18.2%。

区域结构持续优化,中东、非洲、拉美等新兴市场表现突出,成为我国逆变器企业出海的重要增长极。

储能市场则呈现爆发式增长态势。

据权威机构预测,2026年全球储能新增装机有望突破438GWh,同比增长62%。

增长动力已由过去的单一新能源消纳,转变为"AI算力基建+能源转型刚需+电网阻塞"的三重驱动。

从区域结构看,中国市场预计2026年装机达250GWh,同比+67%；美国市场受益于AI数据中心需求,预计装机70GWh,同比+35%；欧洲市场装机预计51GWh,同比+55%；新兴市场表现尤为亮眼,预计装机67GWh,同比+91%。

行业供需关系显著改善,已由去库周期转入补库繁荣期。

IGBT器件及模块、MOSFET、碳化硅等功率器件作为光伏逆变器和储能变流器的核心部件,承担着功率变换和能量传输的关键作用,直接决定系统性能、稳定性、发电效率及使用寿命,是光伏与储能系统的"心脏"。

其中,IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%,不同应用场景对功率器件需求呈现差异化特征：集中式光伏主要采用IGBT模块,分布式光伏则以IGBT单管或模块为主。

随着光伏装机稳步增长、储能市场爆发式扩容,功率半导体市场规模将同步扩张,公司作为产业链核心供应商将持续受益于下游高景气发展。

泛消费及其他市场稳步增长功率半导体器件广泛应用于各类消费电子、电动两三轮车及智能家居产品中,涵盖电机驱动、电源适配器、电源供应器及LED照明系统等核心环节,各品类家用电器均需依赖功率半导体实现电能的精准控制与转换,在满足设备精细化用电需求的同时,显著提升能效水平、降低待机能耗。

根据行业权威研究机构最新统计,全球功率半导体下游应用市场中,消费电子占比19%,其庞大的市场规模构成了功率半导体产业的稳定基本盘。

政策层面,国家持续加力支持消费品以旧换新。

2026年国家发展改革委、财政部安排2500亿元超长期特别国债资金,深入实施大规模设备更新和消费品以旧换新政策。

补贴范围从2024年的汽车报废更新和八大类家电,扩大至2025年的12类家电产品,并新增手机、平板电脑、智能手表（手环）等数码产品及智能家居设备。

政策明确对个人消费者购买一级能效或水效的冰箱、洗衣机、电视、空调、电脑、热水器等家电产品,按最终销售价格的15%给予补贴；对购买手机、平板、智能手表手环、智能眼镜等数码及智能产品,按售价的15%给予补贴。

各地也结合实际配套资金,进一步优化补贴发放机制,简化审核流程,加大了对农村地区的倾斜力度。

今年以来,县域农村换新提速明显,空调套装、壁挂式洗衣机等大家电销量同比增长超六倍,黑龙江、湖南、贵州等偏远农村地区国补电视、空调、冰箱产品订单量同比大幅增长。

作为消费电子及智能家电电源管理、电机控制等模块的核心器件,公司的MOSFET、IGBT等功率半导体产品广泛应用于电源适配器、变频家电、智能家居控制系统等领域。

随着国家以旧换新政策的深入推进和农村消费市场的持续激活,消费端对高效节能、智能化的产品需求不断提升,将为公司功率半导体业务带来稳定的市场增量。

公司将紧抓政策机遇,持续深化与家电及消费电子头部客户的合作,以高可靠性产品助力下游产业绿色智能化升级。

全球电动两轮车市场方面,根据行业权威机构最新统计,2025年全球电动两轮车市场规模约为786亿美元,预计到2035年将达到1439亿美元,复合年增长率为6.4%。

在区域结构上,亚太地区是全球最大的电动两轮车市场,中国、印度等国家凭借庞大的两轮车保有量和政策支持,持续引领全球增长。

中国市场作为全球最大的电动两轮车及三轮车生产与消费市场,发展态势尤为突出。

2025年,中国电动两轮车市场在"以旧换新"政策和新国标切换的双重刺激下,生产规模达6316万台,同比增长14.8%。

新版《电动自行车安全技术规范》的实施,推动行业向安全化、智能化、轻量化方向加速升级,铅酸电池车型占比显著提升,锂电池则在高端市场持续突破。

在电动载货三轮车细分领域,受益于电商快递物流迅猛发展,2025年中国市场规模约211亿元,预计2030年将增长至232.2亿元,需求量有望达到838.4万辆。

政策层面,国家持续推动新能源汽车补贴政策向电动三轮车延伸,乡村振兴战略进一步激活农村市场,同时部分城市对燃油三轮车的限行政策趋严,为电动三轮车带来结构性替代机遇。

作为电动两轮车及三轮车电机驱动系统、电池管理系统（BMS）、充电设施等核心部件的关键元器件,MOSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）等功率半导体产品广泛应用于整车控制器、直流转换器、充电器等环节,承担着电能变换与精准控制的核心功能。

随着新国标对车辆安全性能要求的提升以及消费者对智能化、长续航需求的增长,电动两轮车及三轮车对高可靠性、高能量密度的功率半导体需求将持续释放。

公司已与多家头部整车企业形成合作,产品批量应用于电动两轮车及三轮车的电机控制器和BMS系统。

公司将紧抓行业绿色智能化转型机遇,持续以高性能功率器件助力下游客户产品升级,推动该领域销售规模稳步提升。

三、经营情况讨论与分析报告期内,公司共实现营业收入187,706.95万元,较去年同期增加2.66%；其中主营业务收入186,964.41万元,较去年同期增加2.68%；归属于上市公司股东的净利润39,363.19万元,较去年同期减少9.42%。

（一）市场营销近年来,在国家政策大力推动半导体产业国产化进程的宏观背景下,叠加新能源汽车、AI算力基础设施、工业机器人及光伏储能等战略性新兴市场的爆发式增长,公司所处的功率半导体行业迎来结构性复苏机遇。

下游核心应用需求持续释放,带动行业整体订单量回升,国产功率半导体凭借在性价比、响应速度及本土化服务等方面的突出优势,市场份额稳步提升。

与此同时,随着前期库存逐步消化,行业库存水位回归合理水平,库存结构显著优化,产品周转效率有效提升,标志着行业已逐步摆脱周期性低谷,步入高质量发展的复苏新阶段。

尽管行业整体呈现向好态势,但市场竞争亦日趋激烈。

国际头部厂商为巩固在国内的市场地位,主动调整经营策略,一方面加速核心技术本土化落地,另一方面通过产品下沉及与本土企业合作等方式深耕国内市场；国内同行则因部分中低端产品同质化严重,采取价格竞争策略,以短期利润换取市场份额,进一步加剧了行业部分领域供大于求的矛盾,对全行业盈利空间和发展质量形成一定挑战。

面对机遇与挑战并存的市场环境,公司始终坚持“技术驱动、市场导向”的发展战略,以积极姿态应对行业变革。

内部持续深化以客户需求为核心的运营体系,快速响应定制化需求；外部着力开拓新兴市场蓝海,挖掘优质新客户资源,持续优化市场布局。

依托长期积累的核心技术领先优势、覆盖全场景的丰富产品矩阵,以及高效产业链协同能力,公司不断推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。

凭借过硬的产品实力与综合服务能力,公司在战略新兴领域取得突破性进展：产品已顺利通过新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、工业机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户的严格认证,并实现规模化量产销售,有力推动公司在中高端功率半导体市场的销售规模持续扩大,凭借在核心场景的稳定表现,公司品牌认可度与核心竞争力显著提升,差异化竞争壁垒逐步构建。

此外,公司全球化战略布局在报告期内取得里程碑式进展。

作为公司拓展海外市场的核心枢纽,新加坡研发及销售中心已于上半年正式建成并投入运营,目前已全面启动对东南亚、欧洲、北美等地区海外客户的技术支持与市场服务。

该中心的落地具有多重战略价值：既是深化全球化布局的重要支点,助力公司融入全球半导体产业链分工；也是推动产品升级迭代的研发高地,依托国际化人才与技术资源,加速产品向国际高端标准靠拢；同时更是拓展海外销售渠道的前沿阵地,为公司抢占全球功率半导体市场份额开辟了新路径。

产品结构方面：（1）SGT-MOSFET产品：现已成为公司综合竞争力最强、销售规模最大及客户群体最为广泛的核心产品平台。

2025年,公司SGT第三代产品全系列成功推向市场,广泛应用于汽车电子（含舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源及新一代高功率密度电动工具等战略新兴领域。

报告期内,受益于汽车电子、储能、无人机、电动工具及AI算力服务器等下游市场需求持续释放,公司订单保持稳健增长。

公司积极把握市场机遇,强化销售前端与研发、运营部门的高效协同,及时响应客户需求,提前布局备货并充分利用扩大的产能保障供应。

得益于上述举措,公司SGT-MOSFET产品2025年实现销售收入8.66亿元,占主营业务收入比例为46.3%。

（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司IGBT产品的主要应用领域,在此基础上,公司持续加大在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度,进一步拓展产品应用范围,提升销售规模。

2025年,公司第七代IGBT产品进入批量供货阶段,第八代IGBT产品亦实现市场销售,在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可,逐步形成销售规模。

报告期内,公司IGBT产品实现销售收入2.79亿元,占主营业务收入比例为14.9%。

（3）SJ-MOSFET产品：公司SJ-MOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。

2025年,公司在移动储能、AI服务器电源及工业电源等市场的推广取得积极进展,销售规模稳步提升。

但在小电流小封装消费电子领域,市场价格竞争激烈,公司针对性加大第四代SJ-MOSFET产品的推广力度,凭借产品性能优势积极扩大市场份额；同时,在汽车OBC及充电桩领域,持续加强大电流产品推广力度。

报告期内,公司SJ-MOSFET产品实现销售收入2.05亿元,占主营业务收入比例为11.0%。

（4）Trench-MOSFET产品：Trench-MOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台,具备应用领域广泛、客户基础稳固的优势,在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位,并在光伏储能、汽车电子等领域实现多款产品的成功导入与量产销售。

但与此同时,Trench-MOSFET市场竞争最为激烈,部分中低端产品同质化严重,国内部分设计公司及封装厂采取降价策略争夺市场份额,对行业盈利空间形成压力。

公司根据市场变化及时调整产品销售价格,在稳固现有市场地位的同时积极寻求增量机会。

2025年第四季度以来,Trench-MOSFET对应市场需求快速恢复,出现供不应求的局面,对全年销售产生积极影响。

报告期内,Trench-MOSFET产品实现销售收入4.86亿元,占主营业务收入比例为26.0%。

2026年以来,Trench-MOSFET市场需求呈现旺盛趋势,公司将积极把握时机,充分利用产能资源,力争实现业务规模的进一步突破。

市场结构和客户结构方面：报告期内,公司坚持深耕存量市场与拓展增量客户并重,持续提升重点领域的市场份额。

通过深度挖掘客户需求,公司加速推动潜在客户的验证导入及量产落地进程,不断增强市场响应能力与客户服务深度。

在市场战略层面,公司坚定实施“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动策略：一方面,持续深化与国内行业头部客户的战略合作,巩固并扩大本土市场优势；另一方面,以新加坡子公司为海外核心枢纽,稳步推进全球化布局,积极拓展东南亚、欧洲及北美等重点市场,进一步提升公司在全球功率半导体领域的品牌影响力与市场份额。

从具体结构来看：汽车电子领域：在车规级功率器件领域,公司已构筑起具备核心竞争力的产品技术护城河。

截至报告期末,公司累计推出车规级功率器件产品逾330款,报告期内出货量突破2亿颗,产品矩阵全面覆盖车身控制、智能座舱、智能驾驶、动力总成及底盘系统五大核心应用领域,并广泛应用于OBC、DC-DC转换器、线控底盘、PTC加热器等关键汽车模块。

凭借卓越的产品性能及长期稳定、高质量的交付能力,公司已获得比亚迪、联合电子、星驱、富特科技、伯特利、阳光电动力等国内一线Tier1供应商及头部车企的深度认可与广泛合作,市场领先地位持续巩固。

与此同时,公司精准把握行业技术演进趋势,前瞻性布局成效显著：针对48V车载系统开发的80V-150V功率MOSFET产品已实现大规模量产,并进入客户端小批量试产阶段；面向800V高压平台的车规级SiCMOSFET产品正处于产品验证阶段,有望成为公司未来业绩增长的重要新引擎。

工业自动化领域：报告期内,公司工业自动化领域相关产品在无人机、电动工具、伺服变频及具身机器人等细分市场实现高速增长。

公司前瞻性布局低空经济产业链核心客户（如大疆、好盈科技等）,MOSFET产品作为电能转换与电路控制的核心器件,已广泛应用于无人机电池管理系统（BMS）、电池充电储能舱及电机驱动系统等关键部件。

伴随具身机器人市场的快速发展与应用场景的持续拓展,公司多款产品已成功导入机器人关节电机驱动系统、电池管理系统等核心环节,并实现对宇树科技等头部客户多款机型的批量供货。

未来,公司将紧跟客户需求迭代,持续开发适配机器人应用的高性能产品,推动该领域销售规模持续提升。

AI算力及通信领域：2025年,受益于AI算力需求的爆发式增长,全球半导体市场保持高速发展态势,高阶算力芯片及HBM高带宽内存需求尤为旺盛,带动服务器算力供电系统（包括SST、AIDC、二次DCDC电源等）细分领域快速增长。

公司紧密跟踪行业发展趋势,前瞻性布局AI算力及通信市场,自主研发的SiCMOSFET及高速SGTMOSFET产品在可靠性和能效方面已达到与欧美竞品相当的水平。

报告期内,公司相关产品成功导入多家新兴AI算力服务器客户,并实现海内外市场的批量销售,且更多的产品在高端客户开展送样验证,为公司在中高端功率半导体市场的持续拓展奠定了坚实基础。

光伏储能领域：报告期内,受益于国内外光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖,行业呈现高速反弹态势。

公司秉持长期主义理念,聚焦全球能源结构转型趋势,IGBT及MOSFET产品精准定位于光伏及储能应用场景,深度服务阳光电源、德业股份、上能电气、固德威、科华数据等头部客户。

为满足客户多样化需求,公司在光伏储能市场同步布局功率模块、大电流单管及SiC产品,并针对微型逆变器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等细分应用场景进行精细化市场拓展。

得益于上述布局以及下游客户的强需求,公司在该领域的销售规模预计将实现稳步增长。

（二）研发创新2025年度,公司实现研发投入11,794.62万元,占营业收入的比例为6.28%。

截至目前,公司（含子公司）拥有249项专利,其中发明专利130项（不含已到期专利）,集成电路布局图47项,软件著作权1项,此外,公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇,其中SCI收录论文15篇。

SGTMOS平台：(1)具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台动静态参数符合预期,正在进行可靠性验证,目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。

(2)具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N40V第三代SGTMOS平台完成平台系列化拓展,产品数量已拓展至148款,其中车规产品62款,包含sTOLL、TSC5x7、双面散热DFN5x6、双面散热DFN3x3等先进封装。

(3)N40V第三代SGTMOS产品已经全面进入量产阶段,涉及行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等。

(4)N80V第三代SGTMOS平台和N100V第三代SGTMOS平台Rsp相较于上一代产品分别降低35%和50%,均通过工规和车规考核,这两个平台全面进入量产阶段,产品进入AI算力、新能源汽车、光伏储能、电机驱动、工业电源等行业。

(5)达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台,器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上,该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、植物照明、工控电源领域大批量使用,市场需求量持续增加。

(6)基于N250V第一代平台完成超快恢复平台开发,其动静态参数符合预期,反向恢复电荷Qrr相对上一代产品降低86%,目前处于市场推广阶段,主要针对通信、电机控制、工业电源等应用领域。

(7)基于华虹12寸新产线,N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均不但完成技术转移,并且实现大批量投产。

(8)N120V、N200V、N250V第三代SGTMOS平台首个工程批已完成流片,基本功能均满足需求,部分参数需进一步调试。

(9)N40V第五代SGTMOS平台和N80V第五代SGTMOS平台已完成仿真设计,目前处于工程开发阶段,目标市场AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。

TrenchMOS平台：(1)在8寸平台TTO结构的P60V~200V平台完成系列衍生产品,P250V~300V工艺平台完成模拟优化和设计定型,确认工艺条件和材料片基本确定,待ETO和工程流。

(2)TTO结构的N200V工艺平台工程流片结果表明窗口需进一步优化,已完成进一步模拟优化,待新ETO&工程流片。

(3)完成用于穿戴设备的G2世代CSPN12V系列产品后道流程的固化及量产,更高电压系列CSP产品（N20V、N30V）完成设计定型和ETO,工程流片中。

(4)G3世代CSP12V产品工艺平台后道工艺（超薄Si+超厚背面金属）完成初步评估待进一步工程确认并固化(5)宽SOA的平台产品通过汽车客户所有严苛评测,工艺固化具备量产能力。

(6)在12寸平台完成第六代（0.65umCellPitch）N30V产品平台工艺初步固化。

(7)N30V超短沟工艺优化基本达成参数要求：Rsp优化7%,待工艺固化后会展开到全系列产品。

(8)带ESD的N30V工艺平台基本frozen。

开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp,工程流片中。

(9)0.9umN60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化12%,将衍生出系列产品。

(10)用于三代半导体cascode合封的N30V高Vth&高ESD产品工艺条件frozen,三家客户完成验证。

(11)进一步丰富了车规产品家族。

IGBT平台：(1)第七代微沟槽高功率密度IGBT产品在2座12英寸晶圆厂和3座8英寸晶圆厂均已实现量产,产品平均良率大于97%,第七代IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩,消费电子等行业都已批量交付。

(2)基于1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度IGBT已经在8寸和12寸同步开发,目前已经有650V、750V和1200V产品工程批产出。

(3)第八代IGBT产品在确保器件击穿电压耐测性的同时,器件漂移区厚度降低10%以上,器件开关损耗和导通损耗大幅降低,器件电流密度可以上升10~20%。

此外,随着电流密度提升,芯片尺寸变小,IGBT器件短路能力理论上会下降,第八代IGBT中使用了新的短路能力优化技术,在保证器件短路电流的前提下,可以确保IGBT的短路能力符合器件和模块的要求。

(4)目前第八代产品1200V高频系列已经在核心客户进行应用测试,1200V中频短路系列产品已经有PIM模块客户通过应用测试,开始排量供货。

(5)第八代650VRCIGBT也有工程批产出,参数基本符合预期,已经有消费电子客户开始进行应用测试评估。

(6)1400V和1700V第八代IGBT产品已经完成MPW工程流片,产品参数基本符合设计预期,已进入单芯片产品开发阶段。

(7)1400VFRD和1600V整流二极管已经完成产品开发和可靠性验证,1700VFRD产品开发中,研发进度基本于IGBT芯片同步。

SJMOS平台：(1)第四代600~650VSJMOS产品目前已经在fab2、fab7、fab9全面量产,基于12寸工艺平台的第四代800V/900V深沟槽SJMOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用,正式进入量产阶段。

第四代SJMOS产品已在汽车电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。

(2)在12寸工艺平台上,基于第四代SJMOS设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的小电流产品,已完成可靠性测试,样品已经通过客户端验证,产品在保证温升达标的前提下,EMI性能大幅度改善,且产品成本大幅度降低,已经完成360mohm~900mohm的650V和700V多款产品开发,开始进入批量阶段。

(3)第五代600~650VSJMOS平台基于7umpitch设计,使用优化工艺、材料规格,在12寸晶圆厂已经完成多轮工程流片,目前产品参数已经达成设计目标,正在进行一致性和良率优化,预计2026年Q2投入市场。

(4)650V第五代7umpitchSJMOS特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2),进一步提升器件功率密度,可以在相同器件规格中使用更小的封装体积,并且进一步降低器件成本。

目标市场主要是对器件成本、体积和效率由要求的应用中,如大功率汽车OBC、铂金电源等。

(5)LVSJMOS150V~300V产品已经开始工程开发,目前正在进行工程流片。

第三代半导体功率器件平台：(1)公司第2代和第2.5代SiCMOSFET平台已全面进入量产,电压段覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V平台,导通电阻覆盖13mohm~1ohm,新增产品型号40余款,相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核,并通过多家头部客户测试评估,实现批量供货,主要用于光伏逆变、储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。

(2)第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发,相关产品处于可靠性验证阶段。

(3)同时,公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品,相关产品已完成工艺设计、产品设计,处于工程验证阶段。

(4)已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建,新增产品20余款,相关产品进入量产阶段,并批量供货给多家行业龙头客户。

(5)开发SiC功率模块产品5款,相关产品处于客户验证阶段。

(6)100V/200VGaN产品开发中。

汽车电子平台：(1)基于第三代SGT晶圆开发的电压等级为40V的车规品,其中,PDFN3*3开发10款产品全部开发完成并取得车规认证,以导通电阻8mohm为代表的产品在车载无线充上实现大批量交付。

PDFN5*6开发24款产品,18款产品开发完成并取得车规认证,以1.5mohm为代表的产品在线控底盘EPB中实现大批量交付。

TOLL与sToll产品系列新增4款新品开发,累计11款产品,进一步细分产品规格,其中6款产品开发完成并取得车规认证,以0.8mohm为代表的产品在汽车电子稳定控制系统（ESC）上处于小批量验证中。

PDFN5*6双芯开发13款产品,10款产品开发完成并取得车规认证,以6.5mohm为代表的产品在车载150W水泵中实现批量交付。

(2)针对新能源汽车48V系统使用的80V~150V产品,累计开发完成40余款产品并取得车规认证,其中以100V1.5mohm的TOLT产品为例,已导入多家头部Tier1,应用在DCDC中,以其顶部散热的独特优势,进一步提高了其零部件的功率密度,处于小批量试产中。

(3)先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品,已开发完成2款40V的产品,导通电阻典型值为0.7mohm,目前已给客户送样,处于DV验证阶段。

(4)适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列,处于可靠性验证阶段。

(5)PDFN3*3双面散热、PDFN3*3dualDie封装平台处于产品可靠性验证阶段。

报告期内,公司进一步加大了研发方面投入,积极扩充研发团队,不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才,并积极组织内部学习和培训,以进一步加强AI与数据中心,新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。

（三）生产运营报告期内,公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。

面对市场供需环境的动态变化,运营部门前瞻布局,积极协同代工厂推进新品导入流程,快速完成产品验证并实现量产上量,持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力,保障了公司供应链的稳定供应。

公司在芯片代工、封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配,目前已与十余家封测领域供应商建立并保持良好合作关系,为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。

报告期内,公司芯片代工供应整体稳定,芯片回货量稳步增长。

其中,FRD产品出货量实现大幅提升,SiCMOSFET产品顺利进入批量生产阶段,并积极拓展代工资源以应对持续增长的市场需求。

与此同时,公司持续推进封装成本优化,构建多元化供应链体系,不断开发更具性价比优势的供应商资源；协同推进关键材料的国产化替代进程。

在团队建设方面,公司注重提升员工专业技能与综合素养,为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。

（四）子公司建设1、电基集成公司全资子公司电基集成,专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。

报告期内,电基集成公司应用于汽车电子、电池管理、电机驱动等关键领域的TOLL封装产品销售增长显著,同比增速显著。

产品与技术布局方面,PDFN3.3×3.3、sTOLL等无引脚先进功率封装已实现规模化量产；面向车载及工业设备应用的大功率双面散热封装技术已完成立项,相关研发工作稳步推进。

信息化建设方面,CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。

其中,CIM系统整合生产管理系统（MES）与设备自动化系统（EAP）,PMS系统为预防性维护系统（PreventiveMaintenanceSystem）,有效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。

作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业,电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力,形成差异化竞争优势。

2、金兰半导体公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。

随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。

目前公司已建立一支完整的包括产品开发,工艺技术,设备维护的技术团队,该团队大部成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验,也有很好的生产品质管理经验。

完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线,生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能6万个模块/月。

产品开发方面：（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,完成了9个模块产品平台的开发,为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3,电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。

以应用领域而分,在工业控制,完成开发了电流覆盖10A~800A的45款产品；在光伏逆变、储能领域,完成开发了电流100A~600A的34款产品；在电源应用和电网自动化领域,完成开发了18款产品；在电能质量领域,在650V平台,完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域,完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品11款,其他领域25款产品。

（2）正在开发：基于750V和1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和第三代SICMOS芯片,2款应用于商用车主驱的IGBT和SIC模块产品正开发:550A/750VIGBT模块和600A/1200VSIC模块；基于升级的750V、1100V和1400V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片,3款应用于光伏储能应用的产品正开发:150KW450A/750V储能模块,320KW600A/1100V逆变模块,600A/1400V逆变模块；第三代SICMOS芯片,多款SIC模块正在开发,模块内阻从2毫欧到5毫欧不等,应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。

公司已初步完成各应用领域的产品布局,接下来计划在原有产品平台上拓展产品,完善产品系列,同时积极开发针对新应用领域的产品,如固态变压器（SST）应用领域等。

截止到2025年5公司申请了专利39项（其中10项为发明专利）,已授权30项（发明4项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”的认定。

3、国硅集成公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司,致力于智能功率集成电路芯片的设计,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。

自母公司控股以来,国硅持续注重研发与生产质量的建设与管理,并顺利通过ISO9001体系认证。

目前,国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品33款（2025年新增15款）,适用于SiCMOS驱动、光伏MPPT应用,家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品11款（2025年新增5款）,适用于中小功率风机、中低压水泵、小型电机；量产250V半桥驱动芯片45款（2025年新增15款）,适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片36款（2025年新增8款）,适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。

国硅2025年新增的碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）产品线,包括半桥IPM以及三相桥IPM,并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售；IPM产品2025年已经在头部白电厂商和标杆风机客户实现批量供应。

国硅2025年通过：江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；国硅2025年通过：“规模以上企业”、科技型中小企业年审；国硅2025年获得无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。

国硅集成2025年度新增授权知识产权11项,其中发明专利6项,集成电路布图5项。

截至目前国硅累计获得知识产权68项,其中专利20项（发明专利13项,实用新型7项）,集成电路布图47件,软件著作权1件。

4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd功率半导体全球市场规模中,海外市场占比约60%,市场空间广阔。

公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd.已正式投入运营并高效运转,承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能。

该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措,旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的区位优势,推动功率半导体前沿技术的研发与突破。

海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破,作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局,前瞻性的开发功率前沿技术,主要产品包括高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片）,这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合,结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品,助力公司成为整体应用方案提供商。

在研发层面,子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势,致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态,同时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制,持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。

报告期内,公司组建了一支具备深厚智能功率IC及模拟集成电路研发经验的海外团队,有效增强了公司在高压高功率密度集成领域的技术储备。

基于该团队的研发能力,公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。

该系列产品主要面向12V及24V汽车车身控制与配电系统,依托海外代工厂的先进功率器件工艺平台,提供多种导通电阻选项,可满足不同负载场景下的应用需求。

与此同时,面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的LLC及PFC控制器正处于研发阶段。

该类产品可与公司SiCMOSFET产品协同使用,实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度,同时有效降低系统热损耗,助力下游客户提升电源系统整体能效。

未来,公司海外研发团队将持续聚焦AI数据中心、电动汽车等高端应用领域的快速增长需求,依托国际化人才与技术资源,推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的研发迭代,进一步完善公司产品生态,提升在高端市场的综合竞争力。

在销售层面,子公司积极拓展海外市场渠道,强化对东南亚、欧洲及北美等重点区域的客户覆盖与服务能力,为公司抢占全球功率半导体市场份额提供有力支撑。

报告期内,公司已组建一支具备多国语言能力、熟悉当地市场环境且精通功率半导体专业知识的国际化销售团队,为新加坡销售中心的运营奠定了坚实的人才基础。

公司海外销售团队以新加坡为核心枢纽,重点布局东南亚经销商网络,并聚焦印度等潜力市场,在太阳能逆变及储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS电源及E-bike等应用领域取得快速突破,相关产品已实现批量交付。

海外市场拓展成效初显,为公司全球化战略的深入推进奠定了良好基础。

（五）内部管理报告期内,公司持续完善内部治理体系,不断健全内部控制制度与流程管理体系。

通过强化内部培训与企业文化建设,公司进一步整合优化各项制度流程,提升了组织协同效率与整体运营能力。

同时,严格按照资本市场规范要求,持续提升公司治理水平和合规运营能力,确保公司运作透明、规范、高效。

在信息披露方面,公司严格遵守相关法律法规,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性,保障投资者公平获取公司信息的权利。

公司高度重视投资者关系管理,通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流,积极传递公司价值,树立了良好的资本市场形象。

此外,公司在合法合规的前提下,聚焦主业发展,稳步推进市值管理工作,致力于做优做强公司价值,并积极借力资本市场工具,推动公司实现高质量、可持续发展。

（六）资本市场2025年,公司紧紧围绕整体发展战略,持续关注并积极推进外延式发展机遇。

投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域,通过直接或间接方式,对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资,稳步推进横向整合与纵向延伸。

通过上述资源整合,公司充分发挥产业链协同效应,进一步加深与核心客户的合作黏性,提升对下游市场的响应能力与理解深度,为新品精准开发及快速市场化推广奠定了坚实基础。

相关举措有效增强了公司的核心竞争力,有助于提升长期盈利能力,实现经济效益与社会价值的协同增长。

同时,公司积极通过产业投资拓展产品线布局,不断完善产业链生态体系,加快产品集成化进程,为公司可持续发展注入新动能。

（七）荣誉奖项2025年,公司新增荣誉如下：2024年中国功率半导体十强企业2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质2025年国家级创新型中小企业资质复审2025年江苏省专精特新小巨人企业资质复核2025年无锡市集成电路产业专项2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目2025年无锡市生态型创新联合体建设项目2025年无锡市新吴区集成电路产业发展资金项目(二)公司发展战略作为国内半导体功率器件领先企业,公司将依托国家对半导体等战略新兴行业发展战略支撑,专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。

在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上,公司将不断引进各类管理、技术、营销人才,构建高效、现代化的经营管理体系,进一步深化IGBT产品、拓展MOSFET产品、积极开发MCU产品、功率模块产品和智能功率IC产品,在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。

同时,公司将持续创新,不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链,扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率IC以及功率模块的研发及产业化,加强海外销售渠道建设,进一步强化企业核心竞争力,成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌,稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品,加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。

(三)经营计划新的一年,公司将继续提升和巩固在MOSFET和IGBT产品领域的国内领先地位,提升半导体功率器件中高端品牌形象,不断增强在国内外先进半导体功率器件领域的竞争优势。

具体的经营计划如下：1、产品开发与技术创新计划（1）不断扩宽产品线,并丰富现有系列产品规格型号,拓展市场应用领域范围。

公司目前已形成十二大产品系列,未来将继续丰富现有产品系列规格型号,拓展公司产品的市场应用领域范围,同时加大市场开拓,加强与客户沟通,在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入,从而提升盈利能力和抗风险能力。

（2）加快产品升级换代和新产品开发,提高公司产品核心竞争力。

公司将加大研发投入、加速产品升级换代,保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上的优势。

同时,对于基于RISC-V内核开发的MCU及集成预驱类芯片、功率芯片的数模混合产品,公司将进一步推进其研发落地和产业化进程,为客户提供更多元的解决方案。

（3）完善研发中心建设,提高公司研发能力和技术创新能力。

公司将进一步完善研发中心,购置国际先进半导体功率器件研发设备,配套半导体功率器件研发软件设施,加快建设车规级CNAS实验室,提高公司在半导体功率器件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的综合能力,提升公司的研发能力和技术创新能力。

（4）加强产学研合作,加快半导体功率器件研发成果产业化。

为了紧跟国际最新半导体功率技术,提前布局下一代半导体功率器件产品,公司将进一步巩固与科研院所的产学研合作关系,利用江苏省企业研究生工作站平台和江苏省功率器件研发中心,提高半导体功率器件的研发成果转化效率,为公司的长期发展打下基础。

2、扩大整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划封装测试是半导体功率器件产业链中的关键环节之一,封装质量很大程度影响了半导体功率器件的质量和可靠性；封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。

近年来,国际一流半导体功率器件厂商亦不断加大对先进封装技术研发及生产的投入。

发展先进封装技术成为未来半导体功率器件行业发展趋势之一。

公司紧跟行业发展趋势,发挥自身发展竞争优势,整合自身工艺和技术积累,积极延伸半导体功率器件产业链环节,通过子公司自建半导体功率器件和功率模块先进封装测试生产线,实现对封装质量的自主把控、提高产品综合性能、降低产品的生产成本、提高产品的市场竞争力。

公司进一步实现先进封装测试核心技术、产品工艺技术和生产产能的自主掌控,从而提升公司产品核心竞争力和持续发展能力。

公司亦将横向延伸产品品类,发挥在MOSFET、IGBT等功率器件研发设计和封测工艺中的优势,进一步延伸并实现SiC/GaN功率器件、MCU、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）、功率集成模块（PIM）等产品的封测工艺。

3、人力资源建设计划（1）全面人才引进战略。

公司将采取积极的人才引进机制,大力引进行业内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才,构建一支高水平的人才队伍,开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品种类,增强公司整体研发设计和管理实力。

报告期内,公司聚集了海外高端研发、市场人才,为公司产品线升级、海外渠道建设打下了坚实的基础。

（2）持续实施公司内部人才培养计划。

公司将加大对人才队伍建设的投入,给予内部人才宽松的发展环境,并在已有业务骨干和储备人才中通过业务培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划地持续培养选拔,全面加强人才梯队建设,为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。

4、市场开拓与宣传建设计划（1）巩固现有客户和市场,提高市场的供应份额。

借助优质的产品和服务,公司产品已应用到汽车电子和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器与数据中心、无人机、工业自动化、泛消费等众多领域,积累了丰富的市场和客户资源。

公司未来将不断增强市场营销团队力量,在加强与现有重点客户的合作关系的基础上,通过多种方式拓展新市场、新客户,提高市场占有率。

（2）拓展产品应用领域,继续扩大市场份额。

一方面,公司将通过丰富现有产品组合、升级换代和新产品开发等方式,满足客户需求；另一方面,公司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析,为客户提供整体解决方案,加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度,拓展公司产品的应用领域。

（3）持续加强产品宣传,保持公司中高端产品品牌形象。

随着公司产品组合的日益丰富,公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。

公司将完善公司品牌建设,进一步加强市场宣传力度,拓展营销与服务网络覆盖的深度和广度,增强客户服务能力和响应速度,不断加强公司中高端半导体功率器件品牌形象。

（4）坚持多维驱动的市场开拓策略,构建企业全球竞争力,实现价值跃迁。

海外市场约占全球功率半导体60%的份额,公司利用其产品线丰富、质量可靠、研发迭代能力强等优势,打入国际市场。

汇聚海外高端人才,快速拓展精悍团队,立足东南亚辐射全球,着力开拓海外成熟市场,实现本土化运营+国际化生态圈共建的市场开拓策略。