长光华芯 688048
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长光华芯(688048.SH)是一家注册地位于江苏省的制造业-计算机、通信和其他电子设备制造业A股上市公司,公司全称苏州长光华芯光电技术股份有限公司,2022-04-01 在上交所科创板上市。
主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。
2026-03-31 数据显示,第一大股东为苏州华丰投资中心(有限合伙),持股比例 16.33%;前 10 大股东合计持股 45.20%。
公司现有员工 506 人。
所属概念题材板块包括光纤概念、通信技术、可控核聚变、光通信模块、商业航天、数据中心、半导体概念、医美概念等。
本页汇总长光华芯的公司基本信息、经营评述、前五大客户与供应商、对外投资、十大股东、十大流通股股东等公开披露信息。
长光华芯的公司基本信息
- 公司全称
- 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
- 上市日期
- 2022-04-01
- 成立日期
- 2012-03-06
- 所属地区
- 江苏省
- 董事长
- 闵大勇
- 法人代表
- 闵大勇
- 总经理
- 闵大勇
- 董事会秘书
- 章殷洪
- 控股股东
- 无
- 实际控制人
- 无
- 板块(三级)
- 分立器件
- 会计师事务所
- 天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
- 法律顾问
- 北京德恒(武汉)律师事务所
- 组织形式
- 中小微民企
- 币种
- CNY
- 注册资本(万元)
- 17,627.9943
- 员工人数
- 506
- 联系电话
- 0512-66896988-8008
- 公司网址
- www.everbrightphotonics.com
- 办公地址
- 苏州市高新区漓江路56号
- 注册地址
- 苏州市高新区漓江路56号
- 公司简介
- 致力于高功率半导体激光器芯片等产品的研发、生产和销售,产品广泛应用于多个领域。
- 主营业务
- 半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售
长光华芯的经营评述
| 报告期 | 报告名称 |
|---|---|
| 2025-12-31 | 2025年报 |
2025-12-31 · 经营评述
公司秉持“一平台,一支点,横向扩展,纵向延伸”发展战略,以半导体激光芯片为核心竞争力,横向扩展覆盖可见光、近红外、中红外到长波,纵向延伸“N+1”板块,推动光子技术在工业激光器、传感器、光通信、激光显示及特殊领域等重点产业的融合应用与模式创新。
公司积极开拓市场,加大研发投入,公司具体经营情况及各项产品研发进展如下:高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。
作为国家战略的重要践行者,公司精准卡位高功率激光核心赛道,为“激光芯片第一股”。
公司在突破国外技术封锁与市场垄断、推动我国激光产业链自主可控及产业高速发展方面,具备深远的战略意义。
通过资本布局华日激光等企业,公司进一步完善了激光全产业链布局。
公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上,双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录(芯片条宽500μm,工作效率62%),打破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录。
同时,公司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点,开发的780nm宽条分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W,创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。
公司推出了9XXnm50W高功率半导体激光芯片,在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出,光电转化效率高(大于等于62%),现已实现大批量生产、出货,是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。
另外,公司9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W,最大程度地节约单瓦材料成本,为客户创造价值。
在特殊波长应用方面,相继推出激光除草应用1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块,进一步拓展半导体激光器的应用。
在激光雷达与3D传感领域,产品应用场景不断深化。
公司已积累全球领先的激光雷达芯片技术和充足的产能储备,可全面满足客户在车载激光雷达领域的多样化应用需求。
同时,依托深厚的技术储备,公司积极拓展机器人视觉传感、消费电子等新兴应用场景,持续丰富产品矩阵,为智能感知领域注入新动能。
VCSEL技术获得突破性进展,产品应用场景不断深化。
公司攻克了低损耗多结VCSEL结构技术,将面发射芯片效率提升到74%,打破了近20年VCSEL效率发展停滞不前的局面,改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知。
公司还构建了多结VCSEL的模式分析模型,解决了单模功率难以突破10mW左右的难题,在直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出,功率转换效率42%,刷新了单模VCSEL功率效率的世界纪录。
公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向,现在主要有三方面应用:(1)消费电子领域,主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域;(2)光通信领域,适用于短距离传输,广泛应用于数据中心;(3)激光雷达领域,公司的车载激光雷达芯片已通过车规IATF16949和AECQ认证。
除车载雷达用VCSEL激光器芯片外,公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品,随着项目的推进,将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。
光通信产品矩阵形成,市场规模不断扩大。
AI需求呈现指数级增长,带动全球算力需求快速攀升。
公司重点布局光通信领域,为日益加剧的算力竞争带来源头解决方案,助力解决当前行业各种光芯片供货短缺的痛点,目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵,可满足超大容量的数据通信需求。
通过前期的技术积淀和市场开拓,公司的光通信产品已经初步获得市场认可,客户订单逐步起量,公司在持续加大产能建设以满足客户需求的增长。
与此同时,公司已通过产业投资和技术研发,在硅光集成、薄膜铌酸锂材料等下一代技术方向进行了前瞻布局。
硅光集成技术在光通信、光传感、光医疗、光计算等光子应用领域快速发展的全球市场机遇,实现硅光集成制造技术的国产自主可控,助力苏州市高新区打造光子产业创新集群。
薄膜铌酸锂是高速光通信、AI算力、量子信息、6G通信、激光雷达等应用领域的核心光电材料,由薄膜铌酸锂材料制备的电光调制器具备带宽高、低电压、低功耗、低损耗等优异性能,是高速光通信1.6T+的刚需解决方案。
公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司布局硅光集成技术方向。
公司通过投资苏州匀晶光电技术有限公司布局薄膜铌酸锂新材料方向。
横向拓展氮化镓方向,进军可见光领域,填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。
全资子公司激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”,为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础,并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。
第三代半导体材料(宽禁带半导体)氮化镓(GaN)以及其合金氮化物是直接带隙半导体,其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。
氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势,蓝光和绿光波段的GaN激光器产品,已经在激光加工(有色金属加工、激光直写)、激光显示(激光大屏电视,XR微投影)、激光照明(车载大灯)、特殊通信等领域具有广泛应用,总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。
平台资源整合,资本助力横向拓展新征程。
为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创新集群发展的号召,公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心。
围绕光子产业,为孵化企业提供生产平台和工艺研发、人才平台等全方位支持。
发起成立光子产业基金,配合公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”战略实施。
公司借力研究院产业平台孵化功能的优势,投资了苏州匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)、苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“睿科晶创”)、苏州单峰光子科技有限责任公司(以下简称“单峰光子”)及武汉高跃科技有限责任公司(以下简称“武汉高跃”)等多家企业,不断拓宽公司的产品边界,深化技术的应用领域。
匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术,向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体,包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等;睿科晶创主要从事光学超晶格频率转换器件,扩展激光器包括半导体激光器的频率,使激光器适于更多的应用场景,具备成本低、体积小、可靠性高等优点。
单峰光子主营业务为激光传感和精密测量领域的半导体激光芯片研发、生产与销售,其产品可应用于原子钟、磁力计、气体传感、量子传感等高端领域;武汉高跃专注于半导体光电器件的研发与生产,主营产品包括窄线宽激光器、大功率半导体激光器、TO封装激光器等,广泛应用于激光雷达、气体检测、光纤传感等领域。
公司通过全资子公司入股四川中久大光科技有限公司,与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系,未来双方将联合研发多个重点项目,提升特殊领域研发能力。
公司全资子公司与清纯半导体(宁波)有限公司合资成立苏州惟清半导体有限公司(以下简称“惟清半导体”),惟清半导体专注于高端功率器件的研发与生产,以实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控。
国产替代与海外拓展并驾齐驱。
地缘政治因素加速了芯片产业国产替代的步伐,公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司,始终坚持技术自主可控,持续加大国产替代进程。
同时,现阶段AI和算力的需求的爆发,进而导致了全球光芯片产能短缺,为公司相关业务出海提供了重要的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市场,海外业务的持续发展将为公司业绩提升提供有力支持。
完善内部控制,提升公司治理水平。
报告期内,公司不断完善内控流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步优化各项制度流程,提升公司运营效率和治理水平。
公司严格按照各项法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。
2025-12-31 · 未来展望
(一)行业格局和趋势(一)主要业务、主要产品或服务情况公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术,是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。
同时,依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展,建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸,开发器件、模块及终端直接半导体激光器产品,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
公司聚焦半导体激光领域,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现半导体激光芯片的国产化。
公司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,成为半导体激光行业的垂直产业链公司。
公司产品可广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感、光通信等领域。
报告期内,公司主营业务未发生重大变动。
1.公司主要产品情况公司核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力,纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。
主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。
(二)主要经营模式1.盈利模式公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售,通过向下游客户销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。
报告期内,公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品的销售。
2.销售模式公司主要通过对接下游厂家及终端用户,国内市场主要以直销方式进行销售,海外市场以代理商经销商销售为主。
对于成熟且有明确行业标准或规格的产品,公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。
对于新产品,公司在客户拓展过程中存在产品导入期。
首先,公司根据客户需求进行产品设计、材料选型、样品制造等,对于芯片、器件类产品,由于涉及的性能参数较多,公司先行实施内部可靠性测试。
然后将样品送至客户处做性能测试。
性能测试通过后,客户会对公司产品实施可靠性测试。
可靠性测试通过后,客户会向公司下单采购。
公司开始对客户小批量供货,多批次同时合格后,会转入批量供货阶段。
在产品定价策略上,公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本等因素,经过与客户谈判协商后,确定产品价格。
3.采购模式公司制定了供应商管理制度,对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。
根据公司对生产材料的需求,采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商,收集供应商资料,组织对供应商的能力进行调查,要求供应商提供样品,送技术部门进行测试和验证。
根据供应商资料、测试或验证结果,综合进行判定并确定合格供应商,加入合格供应商目录。
公司根据生产计划,综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素,经审批后与相关供应商订立采购协议。
为确保主要材料品质的稳定性,公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。
对于部分主材,考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性,适当保证一定的库存量。
对于交期短且单价低的材料,以月或周为单位,向供应商下具体订单采购。
对于交期长且成本高的材料,以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。
同时,公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司的要求及标准。
公司对供应商进行定期考核,综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素,进行动态管理。
4.研发模式公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础,确定研发方向,新产品从概念设计开始先后经历6个阶段,满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。
(1)概念设计阶段(项目立项)由市场销售部牵头,根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容,提出新项目导入申请,填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。
经评审委员会指定项目负责人,会签《产品阶段评审表》后交由品质部存档、受控、发行后,新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。
(2)技术开发阶段根据概念设计阶段的资料,项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作,包含:确定技术开发性质,明确客户需求,明确参与人员、预算、工作计划,进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析,评估风险及对应的控制措施等。
(3)α样品阶段研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析,制定工作计划、质量保证计划,确定外观指标,进行供应商开发评审,并开始试制。
样品试制完成后,项目负责人整理产品验证的相关技术资料,并根据样品情况更新原理草图、设计方案,完善技术指标。
(4)β样品阶段β样品生产前,研发项目团队根据市场销售部识别的信息,适时依:①原理草图、设计方案、外观指标;②质量保证计划、研发预算、成本分析;③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析等,制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件,制定正式生产工作计划并实施。
β样品生产完成后,研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。
(5)小批量阶段初步作业标准化试生产前,研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化,进一步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、环保分析等,依据β样品试产的技术资料和过程试验报告,制定试生产工作计划并实施。
试生产完成后,进行客户认证。
(6)量产阶段通过客户认证后,制造中心对产能进行评估,对设备投入实施管理,对人员、潜在失效模式及后果、安全和环境评估等进行分析,确认已具备量产能力,制定生产计划并组织实施。
5.生产模式公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式,覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程,设计、制造等环节协同优化,有利于公司充分发掘技术潜力,有助于公司率先开发并推行新技术。
由于公司生产工序较多,生产周期较长,公司实行“订单式”生产为主,结合“库存式”生产为辅的生产方式。
“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准,采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排,及时更新客户需求及排产计划。
“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货,以备生产高峰期产能不足的情况。
此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。
(三)所处行业情况1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛(1)行业的发展阶段及基本特点公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。
半导体产业是现代信息产业的基础,广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。
半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域,而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品,由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。
根据不同的光子类型,其下游激光器类型众多,应用领域较为广泛。
在工业领域,随着激光技术的逐步成熟和产业化,一方面,国产激光设备的质量、技术与服务在竞争中慢慢提高,国产激光产品的崛起正在逐步取代进口的激光产品;另一方面,激光技术的应用比许多传统制造技术更具成本效益,使激光应用得以迅速普及。
从我国激光器市场来看,国产光纤激光器逐步实现由依赖进口向自主研发、替代进口到出口的转变。
随着国内光纤激光器企业综合实力的增强,国产光纤激光器功率和性能逐步提高。
公司生产的高功率半导体激光芯片是产业链中游各类光泵浦激光器的核心泵浦光源,包括光纤激光器、固体激光器、液体激光器等,属于工业激光器生产制造的核心元器件,广泛应用于激光加工、激光切割、生物医疗等工业领域。
在科研与特殊领域,离不开激光器的帮助,尤其在高端制造、精密材料、制导、雷达及光电对抗等领域的科研项目,对激光器的性能要求将会更高。
随着全球各国对科研和国家经费的不断投入,将促进激光器在此领域的快速发展。
在激光雷达市场,随着人工智能、5G技术的逐渐普及,无人驾驶、高级辅助驾驶、服务型机器人和车联网等行业发展前景广阔。
这些技术的实现能够大幅减少人为失误带来的交通风险、提高交通运输效率、提升道路通行能力、改变汽车生产消费模式,实现交通运输安全、高效、绿色的发展愿景。
受无人驾驶车队规模扩张、激光雷达在高级辅助驾驶中渗透率增加、以及服务型机器人及智能交通建设等领域需求的推动,激光雷达整体市场预计将呈现高速发展态势,随着3D传感技术在各领域的深度应用,将持续推动VCSEL激光器市场的快速发展。
在光通信领域,近年来,AI需求呈现指数级增长,带动全球推理算力需求快速攀升。
这一趋势推动互联网云厂商持续加大投入,加速建设智算中心,也驱动光模块技术向更高速率演进,光模块市场正经历从400G向800G和1.6T的迭代升级。
下一代LPO/CPO等技术已成为光通信演进的主流趋势,这一变革正推动激光芯片向高功率、低噪声、高集成度方向加速升级。
在此背景下,兼具高能效与成本优势的200-400mWCWDFB光源,凭借其与800G/1.6T模块的适配性及规模化生产潜力,正成为高速光互连领域的核心增量器件。
LightCounting在最新报告中指出,光通信芯片组市场预计将在2025至2030年间以17%的年复合增长率(CAGR)增长,总销售额将从2024年的约35亿美元增至2030年的超110亿美元。
(2)主要技术门槛半导体激光器作为光子时代的核心器件,技术门槛主要体现在核心芯片与关键光电子元器件高度依赖自主研发,需在材料体系、芯片设计、精密制造等环节实现关键突破,同时要持续向更高功率、更优光束质量等方向迭代升级。
其作为光纤激光器、固体激光器等的核心泵浦源,对电光转换效率、可靠性、寿命、波长覆盖范围等指标要求严苛,且随着激光应用场景快速渗透、高功率激光器需求持续增长,对产品一致性、规模化量产与下游应用适配能力均提出高要求,形成了从材料、芯片到器件、系统的全链条技术壁垒。
高端光芯片因速率、功率、传输距离要求提升,研发与工艺壁垒极高。
设计需多学科交叉融合,精度要求严苛;制造工序复杂,对产线稳定性要求高。
高速率芯片在核心结构开发中需兼顾光电性能、可靠性与工艺可行性,形成显著技术与制造壁垒。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况作为国家战略的重要践行者,公司精准卡位高功率激光核心赛道,为“激光芯片第一股”。
公司在突破国外技术封锁与市场垄断、推动我国激光产业链自主可控及产业高速发展方面,具备深远的战略意义。
公司已构建涵盖芯片设计、MOCVD外延、光刻、解理/镀膜、封装测试及光纤耦合的全流程IDM工艺平台及量产线,是全球少数具备高功率半导体激光器芯片研发与量产能力的企业之一,同时也是全球极少数拥有6吋高功率半导体激光芯片生产线的厂商,在行业赛道中持续保持领先竞争地位。
公司高亮度单管芯片及光纤耦合输出模块、高功率巴条与叠阵等核心产品,在输出功率、亮度、光电转换效率及寿命等关键指标上屡获突破,拥有多项核心专利,整体技术实力与全球先进水平同步。
2025年,公司作为国内高功率半导体激光芯片领域的领军企业,依托全产业链优势、核心技术突破及多元化市场拓展,持续巩固行业龙头地位,实现从“技术引领”向“规模领跑”,行业影响力进一步提升。
公司不仅在传统的工业高功率激光芯片领域持续保持领先,更在光通信、车载激光雷达等新兴高速增长赛道成功卡位,实现了从“单一龙头”向“多元化平台型”的公司迈进。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势AI需求呈现指数级增长,带动全球推理算力需求快速攀升。
这一趋势推动互联网云厂商持续加大投入,加速建设智算中心,也驱动光模块技术向更高速率演进,光模块市场正经历从400G向800G和1.6T的迭代升级。
公司重点布局光通信领域,为日益加剧的速率、算力竞争带来源头解决方案,助力解决当前行业各种光芯片供货短缺的痛点,目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵,可满足超大容量的数据通信需求。
与此同时,公司已通过产业投资和技术研发,在硅光、薄膜铌酸锂等下一代技术方向进行了前瞻布局。
硅光集成正在推动光通信行业从“电主导”转向“光主导”。
以光代电突破摩尔定律限制,支撑AI算力指数级增长。
随着3.2T模块、量子光芯片等下一代技术演进,硅光集成将深度绑定全球数字化进程,成为光通信不可逆的技术主线。
同时硅光集成也是激光传感(如激光雷达)、激光显示等应用的发展趋势。
公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司,已提前布局硅光集成技术路线。
星钥光子项目尚处于建设期,预计2026年底通线试运行。
我们持续紧跟行业技术演进趋势,以技术创新和产品竞争力支撑公司的长期稳健发展。
(二)公司发展战略公司始终牢记“中国激光芯,光耀美好生活”的企业使命,保持对半导体激光芯片的持续研发投入,努力打造自主研发的核心能力。
公司一直贯彻和服务“智能制造”、“中国制造2025”等国家战略,努力推动国家对半导体激光芯片核心技术的掌控力,弥补和缩短我国在半导体激光芯片尤其是高功率半导体激光芯片领域与国外的差距。
公司未来将继续专注于半导体激光行业,秉承“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略。
“一平台”是指以公司与苏州高新区政府共建的苏州半导体激光创新研究院为平台,吸引全球顶尖人才,聚集内外部创新资源,围绕半导体激光芯片及应用,打造可持续领先的研发能力和新方向拓展能力;“一支点”是指公司已具备高功率半导体激光芯片的核心技术及全流程制造工艺,持续进行研发投入,保持核心技术竞争力,提升经营规模;“横向扩展”是指依托在高功率半导体激光芯片的研发、技术及产业化的“支点”优势,从高功率半导体激光芯片扩展至VCSEL芯片及光通信芯片,将产品应用领域拓展至消费电子、激光雷达等;“纵向延伸”是指为更好贴近客户、满足客户需求及适应众多激光应用,结合公司高功率半导体激光芯片的优势,纵向延伸至激光器件、模块及直接半导体激光器。
结合公司在激光芯片、器件及模块、VCSEL、光通信芯片等横向、纵向产业布局形成的综合服务能力,不断提升公司在国内及国际市场的竞争力。
(三)经营计划(1)经营目标及发展规划公司将以公司发展战略为导向,继续巩固和增强公司在行业的市场优势地位,促使公司持续、健康、快速的发展,不断提升公司价值,实现股东利益最大化。
(2)研发和生产计划公司将加强技术创新能力建设及加强研发队伍的建设,开发满足主流市场需求的芯片和模块产品,在高毛利产品方面形成竞争力;组建科研产品生产线(含科研泵浦和固体泵浦,定制与特色应用);加强模块技术能力、光学设计、工程能力及分析能力,向更高标准前进。
围绕“良率和产能就是核心竞争力”提升效率和效益并加强运行成本的控制,包括新厂房稳定运行,优化运行,降低成本提高效率。
全面实施自动化,降低单位制造成本(料、工、费),降低不良率;“三稳定”(产线设备稳定、工艺稳定、人员稳定)生产,打造专业高效有执行力的生产管理团队,提升生产管理水平。
(3)市场开发规划随着外部环境的持续变化,半导体国产化的需求越来越强,公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司,将继续加大国产替代进程。
现在也是开拓海外市场的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市场。
车载激光雷达实现重点客户形成规模化销售。
通信产品全面启动形成销售。
完成产品线技术平台建设和产品线架构。
(4)人才发展规划人力资源是公司发展的第一资源,为了实现公司总体战略目标,公司将不断根据发展阶段进行组织结构调整,制定一系列科学的人力资源开发计划,进一步建立完善的招聘、培训、薪酬绩效和激励机制,在“选”、“用”、“育”、“留”方面最大限度的发挥人力资源的潜力,为公司的可持续发展提供人才保障。
长光华芯的前五大客户与供应商
| 报告期 | 报告名称 | 类别 | 名称 | 交易金额(万元) | 占营业收入比例(%) | 合计金额(亿元) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 第一名 | 3,509.35 | 12.2 | 2.88 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 第二名 | 2,936.05 | 10.21 | 2.88 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 第三名 | 2,254.06 | 7.84 | 2.88 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 第四名 | 2,229.93 | 7.75 | 2.88 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 第五名 | 1,586.72 | 5.52 | 2.88 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 其余供应商 | 16,243.36 | 56.48 | 2.88 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 第一名 | 13,402.53 | 28.07 | 4.77 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 第二名 | 3,562.52 | 7.46 | 4.77 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 第三名 | 3,501.23 | 7.33 | 4.77 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 第四名 | 2,168.86 | 4.54 | 4.77 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 第五名 | 1,474.24 | 3.09 | 4.77 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 其余客户 | 23,631.97 | 49.51 | 4.77 |
长光华芯的对外投资
| 序号 | 企业名称 | 持股类型 | 注册资本 | 持股比例(%) | 实际投资金额 | 净利润 | 主营产品 | 报告期 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 | 全资子公司 | 2.05亿元 | 100 | 2.05亿元 | -1659.10万元 | 光电器件及系统的研发、开发、封装、销售;并提供相关技术咨询及技术服务;自营和代理各类商品及技术的进出口业务 | 2025-12-31 |
长光华芯的十大股东
| 报告期 | 股东名称 | 持股数量(万股) | 持股比例(%) | 持股数变动(万股) | 较上期变化 | 总股本(亿股) | 持股市值(亿元) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026-03-31 | 苏州华丰投资中心(有限合伙) | 2,878.24 | 16.33 | -116.97 | -3.8846 | 1.76 | 59.29 |
| 2026-03-31 | 苏州英镭创业投资合伙企业(有限合伙) | 2,175.70 | 12.34 | 不变 | 不变 | 1.76 | 44.82 |
| 2026-03-31 | 长春长光精密仪器集团有限公司 | 1,153.10 | 6.54 | 不变 | 不变 | 1.76 | 23.75 |
| 2026-03-31 | 457.33 | 2.59 | 新进 | 新进 | 1.76 | 9.42 | |
| 2026-03-31 | 414.60 | 2.35 | -176.28 | -29.8507 | 1.76 | 8.54 | |
| 2026-03-31 | 248.15 | 1.41 | +13.88 | 6.015 | 1.76 | 5.11 | |
| 2026-03-31 | 206.27 | 1.17 | -223.15 | -52.0492 | 1.76 | 4.25 | |
| 2026-03-31 | 159.21 | 0.9 | 新进 | 新进 | 1.76 | 3.28 | |
| 2026-03-31 | 147.03 | 0.83 | 新进 | 新进 | 1.76 | 3.03 | |
| 2026-03-31 | 130.37 | 0.74 | -142.00 | -52.2581 | 1.76 | 2.69 |
长光华芯的十大流通股股东
| 报告期 | 股东名称 | 持股数量(万股) | 占流通股比例(%) | 持股比例(%) | 持股数变动(万股) | 持股市值(亿元) | 更新日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026-03-31 | 苏州华丰投资中心(有限合伙) | 2,878.24 | 16.3277 | 16.3277 | -362.66 | 59.29 | 2026-04-18 |
| 2026-03-31 | 苏州英镭创业投资合伙企业(有限合伙) | 2,175.70 | 12.3423 | 12.3423 | -176.00 | 44.82 | 2026-04-18 |
| 2026-03-31 | 长春长光精密仪器集团有限公司 | 1,153.10 | 6.5413 | 6.5413 | 不变 | 23.75 | 2026-04-18 |
| 2026-03-31 | 457.33 | 2.5943 | 2.5943 | 新进 | 9.42 | 2026-04-18 | |
| 2026-03-31 | 414.60 | 2.3519 | 2.3519 | -176.28 | 8.54 | 2026-04-18 | |
| 2026-03-31 | 248.15 | 1.4077 | 1.4077 | +13.88 | 5.11 | 2026-04-18 | |
| 2026-03-31 | 206.27 | 1.1701 | 1.1701 | -223.15 | 4.25 | 2026-04-18 | |
| 2026-03-31 | 159.21 | 0.9032 | 0.9032 | 新进 | 3.28 | 2026-04-18 | |
| 2026-03-31 | 147.03 | 0.8341 | 0.8341 | 新进 | 3.03 | 2026-04-18 | |
| 2026-03-31 | 130.37 | 0.7396 | 0.7396 | -142.00 | 2.69 | 2026-04-18 |
长光华芯的公司高管
| 姓名 | 职务 | 简历 | 薪酬(万元) | 年龄 | 学历 | 国籍 | 就任日期 | 报告期 | 持股数量(万股) | 持股比例(%) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 闵大勇 | 董事长,总经理,法定代表人,非独立董事,代理董事会秘书 | 闵大勇,男,1971年5月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于华中科技大学自动控制理论与应用专业,硕士学历,高级工程师。1993年8月至1997年7月,就职于武汉船舶职业技术学院,担任教研室主任职务;2000年6月至2017年7月,就职于武汉华工激光工程有限责任公司,历任事业部负责人、副总经理、总经理、董事长职务;2008年7月至2017年7月,就职于华工科技产业股份有限公司,历任副总经理、常务副总经理、总经理及董事职务;2015年1月至2017年8月,就职于锐科激光,担任监事职务;2009年9月至2017年7月,就职于华日精密,担任董事长职务;2017年8月至今,就职于长光华芯,担任董事长、总经理职务。 | 162.72 | 55 | 硕士 | 中国 | 2020-11-05 | 2025-12-31 | 13.42 | 0.0762 |
| 王俊 | 副董事长,常务副总经理,非独立董事 | 王俊,男,1965年10月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于加拿大McMaster大学工程物理方向,博士学历,二级教授。1988年9月至1989年7月,任深圳德达磁技术有限公司工程师;1992年7月至1994年8月,任加拿大国家研究院研究助理;1997年3月至2000年5月,就职于SL-Industries,Inc.,担任外延技部经理;2000年5月至2002年2月,就职Spectra-Physics,Inc.,担任外延科学家;2002年2月至2003年6月,就职于Lasertel Inc.,担任晶体生长部经理;2003年7月至2010年7月,就职于nLIGHT,Inc.,担任技术总监;2010年7月至2014年11月,就职于Mighty Lift,Inc.,担任技术副总;2014年11月至2017年6月,就职于华工科技产业股份有限公司,担任技术总监;2017年8月至今,就职于长光华芯,历任首席技术官、董事、副董事长、常务副总经理。 | 165.44 | 61 | 博士 | 中国 | 2020-11-05 | 2025-12-31 | 14.36 | 0.0815 |
| 闵大勇 | 董事长,总经理,法定代表人,非独立董事 | 闵大勇先生:1971年5月出生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于华中科技大学自动控制理论与应用专业,硕士学历,高级工程师。1993年8月至1997年7月,就职于武汉船舶职业技术学院,担任教研室主任职务;2000年6月至2017年7月,就职于武汉华工激光工程有限责任公司,历任事业部负责人、副总经理、总经理、董事长职务;2008年7月至2017年7月,就职于华工科技产业股份有限公司,历任副总经理、常务副总经理、总经理及董事职务;2015年1月至2017年8月,就职于锐科激光,担任监事职务;2009年9月至2017年7月,就职于华日精密,担任董事长职务;2017年8月至今,就职于长光华芯,担任董事长、总经理职务。 | 162.72 | 55 | 硕士 | 中国 | 2020-11-05 | 2025-12-31 | 13.42 | 0.0762 |
| 吴真林 | 副总经理 | 吴真林,男,1983年11月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于江汉大学机械设计制造及其自动化专业,本科学历。2007年7月至2018年4月,就职于武汉华工激光工程有限责任公司,历任销售工程师、行业销售经理、办事处经理、大区总监、精密激光事业群大客户总监、营销总监、总经理助理、事业部总经理等职务;2016年1月至2017年4月,就职于江苏华工激光科技有限公司,担任董事兼总经理职务;2018年5月至今就职于长光华芯,历任激光系统事业部总经理、副总经理职务;现任长光华芯副总经理。 | 72.07 | 43 | 本科 | 中国 | 2020-11-05 | 2025-12-31 | 58.50 | 0.3319 |
| 潘华东 | 副总经理 | 潘华东,男,1981年5月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于复旦大学工商管理专业,硕士学历,高级工程师。2004年7月至2005年12月于福州高意科技有限公司担任研发工程师;2006年9月至2010年8月于恩耐激光技术(上海)有限公司担任工程经理;2010年8月至2012年8月于无锡亮源激光技术有限公司担任副总经理;2012年8月至2013年12月担任长光华芯高级经理;2014年1月至2015年8月于无锡欧莱美激光科技有限公司担任副总经理;2015年9月至今就职于长光华芯,历任技术总监、副总经理,现任长光华芯副总经理。 | 86.61 | 45 | 硕士 | 中国 | 2020-11-05 | 2025-12-31 | ||
| 谭少阳 | 职工董事 | 谭少阳,男,1987年6月生,中国国籍,无境外永久居留权,毕业于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业,博士学历,中级工程师。2016年1月起就职于长光华芯,担任研发中心项目研究员;现担任长光华芯职工董事。 | 59.53 | 39 | 博士 | 中国 | 2025-06-17 | 2025-12-31 | 5.93 | 0.0336 |
| 余玮 | 独立董事 | 余玮,女,1974年11月出生,会计学博士,中国注册会计师协会非执业会员,CFA持证人,注册金融风险管理师(FRM),上海对外经贸大学金融管理学院财务管理系教授,硕士生导师。2000年起在上海对外经贸大学任教,历任金融管理学院财务管理系讲师、副教授、教授。现任上海对外经贸大学金融管理学院财务管理系教授,硕士生导师,校学术委员会委员。现担任长光华芯独立董事职务。 | 5.09 | 52 | 博士 | 中国 | 2025-06-17 | 2025-12-31 | 0.00 | 0 |
| 陈长军 | 独立董事 | 陈长军,男,1976年3月生,中国国籍,无境外永久居留权,2007年3月毕业于中国科学院大学研究生院材料学专业,博士学历,教授。2000年7月至2001年8月,就职于沈阳铝镁设计研究院,担任设计员职务;2007年1月至2011年7月,担任武汉科技大学材料与冶金学院副教授职务;2011年8月至今,担任苏州大学机电工程学院教授职务;2015年8月至2016年9月,担任江苏亚太霍夫曼金属打印有限公司技术副总职务;2016年10月至今,担任江苏亚威创科源激光装备有限公司技术副总;2022年4月至今,担任华业激光(无锡)技术有限公司技术副总;现担任长光华芯独立董事职务。 | 9.60 | 50 | 博士 | 中国 | 2023-11-06 | 2025-12-31 | 0.00 | 0 |
| 吴世丁 | 独立董事 | 吴世丁,男,1963年3月生,中国国籍,无境外永久居留权,2004年6月毕业于中国科学院金属研究所材料物理与化学专业,博士学历,二级研究员。1988年9月至2005年12月,就职于中国科学院金属研究所,历任材料疲劳与断裂研究部研习员、助理研究员、副研究员、副主任、研究员职务;2006年1月至2017年12月,担任中国科学院金属研究所分析测试部主任、研究员职务;2018年1月-2023年2月,担任中国科学院金属研究所分析测试中心技术顾问、研究员职务;2023年3月起任职于辽宁材料实验室,担任资产事务部部长;现担任长光华芯独立董事职务。 | 9.60 | 63 | 博士 | 中国 | 2023-11-06 | 2025-12-31 | 0.00 | 0 |
| 于赢博 | 董事 | 于赢博,男,中国国籍,无境外永久居留权,1990年12月出生,硕士研究生学历。2010年-2014年就读于吉林财经大学工商管理专业(本科);2017年-2019年就读于吉林大学会计专业(硕士研究生)。2014年-2015年,任职于长春卓展时代广场百货有限公司人力资源部,从事人力资源管理工作;2019年-至今,任职于长春长光精密仪器集团有限公司国资监管部,从事国资监管与企业股权管理相关工作。主要从事国资监管、企业投融资管理、企业三会、承接成果转移转化等相关工作。2024年1月至今,担任长光华芯董事职务。 | 36 | 硕士 | 中国 | 2024-01-19 | ||||
| 章殷洪 | 董事会秘书 | 章殷洪,男,生于1985年3月,毕业于复旦大学,法律硕士,持有上海证券交易所科创板董事会秘书资格证书。2014年11月至2019年11月,任华福证券投资银行部业务总监;2019年12月至2026年4月,历任宁波长阳科技股份有限公司投资者关系总监、董事、副总经理、董事会秘书。 | 41 | 硕士 | 中国 | 2026-05-20 | ||||
| 陈晓东 | 财务总监 | 陈晓东,男,生于1976年11月,南京财经大学会计学本科,东华大学工商管理硕士,高级会计师、注册会计师,曾任亨通集团有限公司财务管理部经理、协鑫集成科技股份有限公司财经管理部副总经理、无锡市金沙田科技有限公司财务总监、江苏大明工业科技集团有限公司财务总监。 | 50 | 硕士 | 2026-05-20 |
长光华芯的核心题材与板块归属
| 板块名称 | 入选原因 |
|---|---|
| 光纤概念 | 2025年9月8日回复称,基于公司在高功率半导体激光芯片的优势,公司为特殊领域开发了多款高性能光纤耦合激光模组,在多个主流客户作为主力合作商。 |
| 通信技术 | 2025年12月29日回复称,公司的100G EML已实现量产(半年报已披露),订单在持续交付,新订单在洽谈中。200G EML已开始送样,阶段性验证进展顺利。100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4 DFB芯片已达到量产出货水平,相关的验证和商务洽谈在持续中。 |
| 可控核聚变 | 2025年5月6日回复称,可控核聚变技术路线主要有两种,一种是磁约束技术路线,EAST是一种磁约束的可控核聚变装置;另一种是惯性约束技术路线,公司为可控激光核聚变这一惯性约束技术路线开发了高效率、高脉冲功率工作的激光芯片,以及高功率、高封装密度、高可靠性更优光束质量的阵列模块,高度融合可控激光核聚变在商用中的低成本,高功率和高效率的要求。公司将利用自身IDM模式,推动产品不断创新,助力激光核聚变商业化。 |
| 光通信模块 | 2025年12月29日回复称,公司的100G EML已实现量产(半年报已披露),订单在持续交付,新订单在洽谈中。200G EML已开始送样,阶段性验证进展顺利。100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4 DFB芯片已达到量产出货水平,相关的验证和商务洽谈在持续中。 |
| 商业航天 | 2026年2月25日回复称,航天领域的激光通信相关产品在研发阶段。 |
| 数据中心 | 2025年2月14日回复称,公司在数据中心应用中部署了几款高端产品并获得了良好的市场反馈,包括100G EML、短距VCSEL及CW-DFB硅光应用。这些产品的设计迎合了当前人工智能和数据中心的建设需求,得到了主要头部客户的高度认可和评价,具体的量产信息请关注公司的公开信息。 |
| 半导体概念 | 2022年3月15日招股书显示公司聚焦半导体激光行业,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。 |
| 医美概念 | 2025年5月9日投资者关系活动记录表显示,战略投资布局方面:公司 继续围绕“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”战略,采用内生 式的发展 和外 延式的发展 相结 合构架4+1板块,包括工业激光器板块,光通信板块,传感器板块,激光医美板块和特殊领域板块。 |
| 国产芯片 | 2022年3月15日招股书显示公司聚焦半导体激光行业,核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力,纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。 |
| 无人驾驶 | 2025年8月23日公告显示,车载激光雷达芯片,已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外,公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品,随着项目的推进,将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。 |
长光华芯的个股研报
| 标题 | 研究机构 | 分析师 | 评级 | 评级变动 | 东财评级 | 机构评级 | 报告类型 | 发布日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 芯所往,光所至 | 中邮证券 | 万玮, 吴文吉 | CCC | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2026-07-08 |
| 长光华芯深度报告:光通信芯片构筑新增长极,平台化布局加速 | 太平洋 | 张世杰, 李珏晗 | CCC | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2026-06-30 |
| Q1业绩增长靓丽,横纵拓展加速平台化布局 | 太平洋 | 张世杰, 李珏晗 | CCC | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2026-06-03 |
| IDM平台筑泛半导体生态,AI算力引领高端光芯片机遇 | 东吴证券 | 陈海进, 解承堯 | A | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2025-12-13 |
| 光联AI,芯载未来 | 中邮证券 | 吴文吉 | CCC | 2 | 买入 | 买入 | 0 | 2025-11-26 |
| 公司营收重回上升轨道,静待光通信产品起量 | 国金证券 | 樊志远 | A | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2025-10-27 |
| 高端激光芯片放量可期 | 中航证券 | 刘牧野 | A | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2025-03-24 |
| 公司近况点评:高研发投入深化光芯片产业布局,静待新品起量 | 东吴证券 | 马天翼, 王润芝 | A | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2024-12-29 |
| 公司营收承压,静待下游需求复苏 | 国金证券 | 樊志远 | A | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2024-10-31 |
| 光纤激光市场竞争激烈致业绩下滑,光通信等新动能正在酝酿 | 山西证券 | 高宇洋, 张天 | A | 1 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-09-13 |
长光华芯的涨停记录
| 交易日 | 首次涨停 | 涨停原因 | 涨跌幅(%) | 换手率(%) | 所属板块 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026-06-30 | 2026-06-30 10:35:34 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.1163 | 光通信 |
| 2026-04-22 | 2026-04-22 09:50:26 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.1251 | 光通信 |
| 2026-03-10 | 2026-03-10 14:00:28 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.108 | 光通信 |
| 2025-12-05 | 2025-12-05 10:39:50 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.1188 | 光通信 |
| 2025-11-26 | 2025-11-26 10:50:40 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.1764 | 光通信 |
| 2025-11-25 | 2025-11-25 10:31:03 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.1352 | 光通信 |
| 2025-11-06 | 2025-11-06 10:46:53 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.1284 | 光通信 |
| 2025-02-07 | 2025-02-07 09:52:23 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.2053 | 光通信 |
| 2025-01-13 | 2025-01-13 10:17:31 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.1461 | 国产芯片 |
| 2024-10-08 | 2024-10-08 11:20:29 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.1999 | 0.085 | 国产芯片 |
| 2024-09-30 | 2024-09-30 13:02:37 | 国内高功率半导体激光芯片龙头;公司的100EML芯片可以应用在800G的光模块上 | 0.2 | 0.0794 | 国产芯片 |
| 2023-05-19 | 2023-05-19 09:25:00 | 公司发布单波100Gbps光通信芯片 | 0.2 | 0 | 国产芯片 |
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