微导纳米 688147
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微导纳米(688147.SH)是一家注册地位于江苏省的制造业-专用设备制造业A股上市公司,公司全称江苏微导纳米科技股份有限公司,2022-12-23 在上交所科创板上市。
公司专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售,向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
2026-03-31 数据显示,第一大股东为西藏万海盈创业投资合伙企业(有限合伙),持股比例 50.43%;前 10 大股东合计持股 78.48%。
公司现有员工 1,179 人。
所属概念题材板块包括BC电池、TOPCon电池、半导体概念、光伏概念等。
本页汇总微导纳米的公司基本信息、经营评述、前五大客户与供应商、对外投资、十大股东、十大流通股股东等公开披露信息。
微导纳米的公司基本信息
- 公司全称
- 江苏微导纳米科技股份有限公司
- 上市日期
- 2022-12-23
- 成立日期
- 2015-12-25
- 所属地区
- 江苏省
- 董事长
- 王磊
- 法人代表
- 王磊
- 总经理
- ZHOU REN
- 董事会秘书
- 龙文
- 控股股东
- 西藏万海盈创业投资合伙企业(有限合伙)
- 实际控制人
- 倪亚兰、王磊、王燕清
- 板块(三级)
- 半导体设备
- 会计师事务所
- 天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)
- 法律顾问
- 德恒上海律师事务所
- 组织形式
- 大型民企
- 币种
- CNY
- 注册资本(万元)
- 46,446.3139
- 员工人数
- 1,179
- 联系电话
- 0510-81975986
- 公司网址
- www.leadmicro.com
- 办公地址
- 无锡市新吴区长江南路27号
- 注册地址
- 无锡市新吴区长江南路27号
- 公司简介
- 全球领先的半导体及泛半导体高端微纳装备制造商,专注ALD技术。
- 主营业务
- 专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售,向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务
微导纳米的经营评述
| 报告期 | 报告名称 |
|---|---|
| 2025-12-31 | 2025年报 |
2025-12-31 · 经营评述
2025年,全球半导体行业延续高景气增长态势,行业需求持续旺盛,国内半导体产业链自主可控进程加速推进,高端薄膜沉积设备国产化替代需求进一步释放;光伏行业经历全面过剩到结构性修复收缩的调整阶段,阶段性供需错配矛盾未完全化解,产业链盈利压力对光伏设备验收节奏形成一定阶段性影响。
面对行业格局变化,公司坚持以“创新驱动”为核心发展导向,立足半导体与光伏两大领域,积极把握半导体市场机遇,主动应对光伏行业周期性波动挑战,通过持续优化业务结构、强化技术研发、提升运营效能等举措,实现公司整体稳健发展。
报告期内,公司半导体业务实现高速增长,光伏业务在行业承压下彰显较强经营韧性,同时在新兴领域持续布局,为未来发展培育新的增长极。
报告期内,公司实现营业收入263,330.32万元,同比小幅度下降2.47%;其中,半导体设备收入88,089.26万元,同比增长169.12%,占主营业务收入的比重提升至33.49%;光伏设备收入159,128.88万元,同比下降30.52%。
同期,公司实现归属于母公司所有者的净利润21,937.42万元,同比下降3.23%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润16,008.14万元,同比下降14.53%。
业绩变动主要受以下因素影响:1)光伏设备验收数量减少,导致整体营收小幅下降;2)产品结构变动、新建产能导致折旧摊销增加、叠加光伏相关项目计提资产减值损失;3)为推进半导体业务的发展并保持在新一代光伏电池技术的领先优势,继续保持高研发投入。
(一)报告期内经营概况1、半导体设备业务高速增长,收入占比由12.14%提升至33.49%报告期内,半导体设备业务实现重要突破与快速增长,新签订单规模屡创新高,为公司积累了充足的订单储备。
2025年,公司多款ALD和CVD设备获得重点客户验证和量产导入,核心产品Highk、金属化合物、硬掩模等先进工艺设备的量产规模持续扩大,新产品与新技术市场渗透‑率稳步提升。
在存储、逻辑芯片、先进封装等各细分类领域,均取得了长足的进步。
存储领域:公司作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商,相关设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线,相关工艺技术对推动DRAM、3DNAND等存储芯片技术的迭代与产业化具有关键支撑作用。
未来,伴随3D结构层数持续增长以及客户扩产及国产化率的提升,公司有望深度受益。
逻辑芯片领域:公司与国内主流厂商保持着稳定合作关系,多款设备已通过客户严格的技术验证,关键指标达到国际先进水平,能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要,部分产品已成功导入到多个国产领先厂商产线。
随着国内市场对高端国产薄膜沉积设备需求的增长,该领域业务有望保持增长态势。
先进封装领域:公司相关设备已在客户端进行验证,并与多家潜在客户开展技术交流。
产品采用独特低温控制技术,在保证薄膜高质量沉积的同时,满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温高质量薄膜需求,适配HBM、Chiplet、2.5D/3D封装等先进封装技术对薄膜沉积设备提出的全新技术要求。
先进封装技术是提升芯片整体性能的重要路径,市场发展潜力巨大。
公司作为国内少数具备该领域设备研发与生产能力的企业之一,相关业务预计将获得良好的发展机遇。
2、光伏设备业务保持经营韧性,聚焦前沿技术,构筑长期动能报告期内,行业经历全面过剩到结构性修复收缩的调整阶段,但阶段性供需错配矛盾仍未完全化解,产业链盈利压力对设备验收节奏形成一定影响,公司光伏设备业务收入及利润贡献较去年同期有所回落,对当期整体业绩形成阶段性调整压力。
长期来看,在全球能源转型的大背景下,光伏作为清洁能源的重要组成部分,终端需求及新兴应用场景仍稳步拓展,技术迭代升级对高端设备的需求保持刚性。
为满足下游光伏技术迭代及海外市场需求,公司一直持续开展前瞻性技术布局并加速出海步伐。
(二)半导体领域产品的研发和产业化进展公司半导体领域产品主要包括iTomic系列ALD设备、iTronix系列CVD设备。
目前,公司的ALD设备已全面覆盖主流薄膜材料与核心工艺,CVD设备已实现硬掩模等关键工艺突破并持续拓展工艺覆盖范围。
1、ALD设备的研发和产业化进展(1)iTomicHiK系列ALD设备该系列作为国内最早成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型High-kALD设备,攻克了高端芯片栅氧层工艺壁垒,是公司ALD设备核心产品之一,历经多次迭代和技术升级,核心技术指标已达到国际先进同类水平。
目前,该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片提供介质层等关键工艺解决方案。
报告期内,公司该系列产品保持竞争优势,部分关键工艺产品成功导入到多个国产领先厂商产线。
(2)iTomicMeT系列ALD设备该系列为针对逻辑芯片、存储芯片及先进封装的金属化等关键工艺提供解决方案的ALD设备,可实现传统方式难以达成的金属/金属化合物薄膜沉积效果,有效支撑半导体器件向更高集成度、微缩化及三维立体化方向发展。
目前,该系列产品可用于逻辑芯片、存储芯片和先进封装的栅极金属、MIM金属电极、扩散阻挡层等关键工艺。
报告期内,该系列产品获得行业重要客户高度认可,已导入量产产线,持续获得量产批量订单,成为公司ALD设备领域又一大核心产品。
(3)iTomicPE系列ALD设备该系列为针对多重曝光介质膜及绝缘介质材料沉积需求的PEALD设备,可在较低温度下获得高质量的薄膜,适合应用于热预算较小的场景。
目前,该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供掩膜、介质层、图案化等关键工艺解决方案。
(4)iTomicSPX系列ALD设备该系列为公司研发推出的空间型ALD设备,采用空间ALD技术,单腔可同时处理多片晶圆,大幅度提升沉积速率,匹配量产线对产能与薄膜质量的双重需求。
目前,公司是国内少数具备空间型ALD设备研发和生产能力的厂商之一。
该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片的生产提供高效的工艺技术方案。
报告期内,该系列产品已获得重要客户订单,进入产业化验证阶段。
此外,公司半导体领域ALD产品还包括iTomicMW系列批量式ALD设备、iTomicLite系列轻型ALD设备等产品,相关产品均已经实现产业化应用。
依托持续的技术创新与工艺积累,公司已构建起覆盖多技术路线、多应用场景的ALD设备产品矩阵,形成体系化、可扩展的先进工艺库,全面覆盖ALD领域主流薄膜材料沉积与核心工艺需求,为逻辑、存储、先进封装等各类细分应用领域客户提供ALD工艺综合解决方案,持续巩固并提升公司在国内ALD设备领域的核心竞争力与市场地位。
2、CVD设备的研发和产业化进展(1)iTronixMTP系列CVD设备该系列作为国内首批成功应用于产业链核心厂商量产线的硬掩模PECVD设备,是公司CVD设备核心产品之一。
该设备成功突破我国半导体设备领域关键技术,实现了高蚀刻选择比、高深宽比孔硬掩模沉积设备的研发、制造与产业化,进一步巩固了公司在高端薄膜沉积设备领域的优势。
目前,该系列产品可用于存储、逻辑等领域的硬掩模工艺,具备沉积无定形碳薄膜的能力。
无定形碳作为高端硬掩模材料之一,具有多项先进特性,如高度的蚀刻选择性、低反射性、热稳定性和机械强度,这些特性使得碳硬掩模成为半导体制造技术中不可或缺的材料,能够满足高图形密度、高深宽比等复杂结构薄膜沉积的需求。
报告期内,公司该系列产品保持竞争优势,持续获得量产批量订单,部分关键工艺产品成功导入到国产领先厂商先进制程产线。
(2)iTronixPE系列CVD设备该系列为针对SiO2、SiN、SiON、SiCN、a-Si等常用膜层材料沉积需求的PECVD设备。
PECVD是目前半导体领域应用最广泛的薄膜沉积设备类型之一,其中常用膜层材料对应的工艺需求占比最高、应用场景最普遍,在半导体制造全流程中发挥着不可或缺的作用。
目前,该系列产品可沉积多种薄膜材料,广泛应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件及化合物半导体等领域芯片制造环节。
报告期内,该系列产品的市场拓展顺利,已获得先进封装领域重要客户订单。
(3)iTronixLP系列CVD设备该系列为针对SiGe、poly-Si、a-Si、MonocrystalSi等关键工艺沉积需求的LPCVD设备。
LPCVD是CVD设备中应用较多的设备类型之一,其与常压的CVD相比,具有较佳的阶梯覆盖能力,成膜质量好,依靠加热设备作为热源来维持反应的进行,降低了颗粒污染源等特点,在特定关键工艺环节具有不可替代的作用。
报告期内,公司该系列产品实现多项关键工艺的突破,并获得产业链核心客户的重复订单。
未来,公司将依托在高端CVD设备领域已构建的技术积累与先发优势,持续拓宽CVD产品的工艺覆盖范围,聚焦行业重要客户关键工艺需求,持续研发并推出更多满足市场需求的CVD产品,不断提升市场份额与市场渗透率。
(三)光伏及其他新兴领域产品的研发和产业化进展公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业之一,已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一,产品包括ALD、CVD、PVD和炉管等设备,覆盖了TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等技术路线。
报告期内,公司进一步完善了包括异质结(HJT)、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备,开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。
在HJT电池领域,公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力,在头部光伏企业产线验证中表现优异。
在钙钛矿电池领域,公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。
公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备,在同类产品中市场占有率领先,已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。
除在半导体和光伏领域外,公司还持续在新兴领域进行前沿化开发,为公司未来发展创造更多收入增长极。
目前,公司已在固态电池、柔性电子、车规级芯片等几个极具市场潜力的高端薄膜沉积技术应用领域进行深耕布局。
目前新兴领域的订单量较小,但受益于固态电池、柔性电子等市场需求增加和技术迭代升级,新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。
(四)首次再融资落地,助力半导体产能与研发升级2025年度,公司向不特定对象发行可转换公司债券顺利发行并上市,共募集资金11.70亿元。
这是公司自2022年登陆科创板以来首次实施的再融资项目,标志着公司资本运作能力迈上新台阶,对公司未来发展具有重要战略意义。
报告期内,公司可转债募投项目“半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目”和“研发实验室扩建项目”有序推进。
通过建设先进的生产车间,购置先进生产设备和量测设备,提升公司薄膜沉积设备的生产能力、研发能力及科技成果转化能力,为公司长期稳健发展夯实基础。
(五)加大研发投入和加强知识产权保护报告期内,公司坚持自主创新,持续加大研发投入以保持核心竞争优势。
2023年至2025年,公司研发投入分别30,814.00万元、41,909.38万元和37,557.12万元,多年来保持高比例研发投入,其中超过70%投入半导体领域。
公司半导体领域研发重点包括逻辑、存储、先进封装、新型显示器、化合物半导体等项目;光伏领域研发重点包括TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术等项目。
在持续强化技术壁垒的同时,公司高度重视技术保护工作,完善专利布局。
报告期内,公司新增专利授权数量再创新高。
其中,新增各类型国家专利授权共计75项,累计授权并维持有效专利数达到250项,新增申请专利共计196项,累计申请专利数达到807项。
此外,为促进知识产权管理与创新活动深度融合,以知识产权赋能创新,报告期内公司成功通过ISO56005认证,获得《创新与知识产权管理能力》三级证书。
(六)提升制造供应和运营管理能力公司已在半导体制造与光伏制造全面推行模块化生产、均衡生产等精益生产理念,全面实施数字化管理。
在此基础上,公司持续对生产制造、供应链管理、质量管理等环节优化升级,为公司高质量发展奠定坚实基础。
生产制造环节,公司持续深化精益生产理念,在半导体制造、光伏制造领域升级优化模块化、均衡化生产模式,推动数字化管理向深度渗透,逐步完善智能工厂制造体系。
报告期内,公司成功入选“江苏省先进级智能工厂名单”及“江苏省绿色工厂”。
供应链管理环节,面对国际贸易局势变动引发的全球产业链调整,公司进一步加强了在需求预测、库存管理和供应商管理等方面的运营,构建完善、稳定、可控的全球供应链体系。
通过战略性采购、联合开发、扩大供应商储备等举措,逐步构建起自主可控、安全可靠、具备高韧性的供应链生态。
在质量管理方面,公司对供应商管理系统质量管理模块进一步优化完善,持续推进供应商能力矩阵开发,规范供应商反馈渠道,提升处理效率和问题追溯精度;针对关键OEM部件的质量问题,在专项团队攻坚的基础上,建立常态化质量管控机制,显著降低设备故障率;在全面应用质量综合看板和人员能力矩阵的基础上,进一步推进研发质量系统的开发,完成多个系统质量模块的整合,实现质量信息的实时整合与共享,提高协同效率。
(七)加强人才队伍建设公司秉承“以客户为中心,为员工谋福祉”的价值观,为每一位员工提供完备的福利、培训、激励计划,助力员工成长、成就个人价值。
在人才培养方面,公司实施了多元化的培训机制,覆盖不同专业领域、职级和个人发展阶段,确保每位员工都能获得与其职业发展相匹配的培训资源。
在人才激励方面,公司制定了系统化的人才激励机制,通过具有行业竞争力的薪酬福利、透明规范的晋升通道和长效共享的股权机制,持续激发人才创新活力。
报告期内,465名激励对象累计归属347.92万股股票,同时公司推出了2025年限制性股票激励计划,420名激励对象累计被授予332.76万股股票。
上述股权激励计划的实施,进一步扩大了员工持股覆盖面,通过极具吸引力的股权激励计划与员工共享企业发展的经营成果。
2025-12-31 · 未来展望
(一)行业格局和趋势在半导体领域,中国正处于全球半导体产业转移的历史机遇期,国内产业链的景气度和成长性更加突显。
依托庞大的终端应用市场需求和国家产业政策的大力支持,中国集成电路产业发展迅速,国内芯片制造企业的产线建设数量和投资规模也相应快速增长。
随着国产半导体设备产品的技术性能不断提升,以及国家针对半导体、泛半导体产业整体战略布局,集成电路制造的设备端国产替代趋势明显,半导体设备国产化进程加速。
薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备同样迎来重大发展机遇。
随着国内半导体行业的发展,客户对新器件、新架构、新材料、新工艺的需求持续推动了薄膜沉积设备的创新。
政策支持和技术进步的推动下,国产薄膜沉积设备有望加速渗透,迎来前所未有的发展契机。
在光伏领域,光伏薄膜沉积设备具有稳定的中长期需求。
随着全球《巴黎协定》的通过以及中国碳达峰和碳中和目标的提出,意味着全球能源转型,有望驱动光伏装机规模继续扩大。
在光伏行业降本增效的发展趋势推动下,新产品、新技术层出不穷,相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求,在巨大市场需求拉动下,具备相应技术研发和生产制造能力的光伏设备厂商有望持续受益。
(二)公司发展战略作为绿色家园的推动者,以及科技创新、自立自强的践行者,公司坚持全球化布局与多元化发展,通过构建以原子层沉积(ALD)技术为核心,化学气相沉积(CVD)等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,依托创新中心平台,引领创新性应用,不断向各领域横向及纵深发展。
通过自主创新,积极开发半导体、下一代光伏电池、固态电池、柔性电子等领域具有市场竞争力的产品。
公司通过为客户提供一流技术、一流品质和一流服务,不断扩展市场占有率,打造高端装备制造商的优质品牌,实现高端技术装备的国产化、产业化,针对新兴产业形成一整套技术解决方案,力争成为全球微纳制造装备领导者。
在半导体领域内,公司将利用现有的核心技术,持续拓展市场空间,保持在ALD和CVD等高端薄膜沉积设备市场的竞争优势。
公司将瞄准国内外半导体先进技术和工艺的发展方向,构建和完善ALD、CVD等多种先进真空技术平台,持续丰富产品矩阵,满足客户新器件、新架构、新材料的工艺需求,提供多场景全方位解决方案,覆盖逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示等细分应用领域,满足国内先进半导体下一代技术迭代的需求,从而占据技术的最前沿,引领行业创新发展。
在光伏领域内,公司将紧跟下游行业电池技术迭代和扩产的发展趋势,充分发挥ALD、CVD等多种先进真空技术平台的优势,横向拓宽产品线,提高市场覆盖率,为客户提供ALD、PEALD、PECVD、LPCVD、PVD、扩散等配套产品,定位于新型高效电池工艺整线设备供应商,从而抓住当前行业发展机遇,储备未来增长点,稳固自身在光伏领域薄膜沉积设备市场的领先地位。
其他新兴行业如新能源、光学、显示等领域内,依托公司创新中心行业拓展的战略部署,加快产品布局和规划,持续进行新技术及新应用的开发,并进入新市场领域,不断推出引领行业的创新型产品,推进产业化验证和应用。
通过多领域市场空间的拓展,降低了单一细分领域周期性波动带来的影响。
(三)经营计划1、技术研发计划公司将继续坚持以客户需求作为技术研发导向,持续增加研发投入,密切追踪最新的技术及发展趋势,持续开展对新技术的研究,加快产品创新。
公司不断完善研发管理机制和创新激励机制,对在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励,激发技术研发人员的工作热情。
公司持续加大研发投入力度,营造更好的研发实验环境,为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。
2、市场营销和服务开展计划公司将继续密切关注客户需求,在满足现有客户对设备需求的同时,深度挖掘现有客户的其他需求,并积极拓展国内外其他知名客户资源,不断支持公司扩大业务规模。
在产品技术路线交流、销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决方案。
3、人力资源计划公司将根据未来技术发展规划和现有人才储备状况,不断加强人才队伍的建设工作。
公司根据业务发展需求,制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划及具体实施办法,建立、健全公司科学化、规范化的人力资源管理系统,注重国内外高端专业技术人才的引进。
通过人才培养计划,满足公司发展的人力资源需求,强化技术研发团队的力量。
公司增强核心经营人员和技术人员的稳定性,持续推进人才培养计划,进一步提升研发队伍的创新能力,不断促进员工综合素质及业务水平的提高。
4、产品开发规划公司将持续强化产品管理,制定中长期产品规划,动态完善产品路线图,根据既定战略完善产品矩阵和产品线,开发系列化高端集成电路制造所需的ALD、CVD等设备产品。
与国内外顶尖半导体及泛半导体制造商加深合作,大力开发量产化工艺技术,实现专有工艺与专用设备的配套,提升产品技术壁垒,增强产品在国际市场的竞争力。
公司将大力开发新能源领域产业化应用技术和专用产业化装备,积累前沿技术产业化应用的知识产权,布局前瞻性技术领域关键产业化技术以及整体解决方案。
5、知识产权发展规划公司已制定知识产权战略发展规划,根据工作目标和工作任务积极推进。
首先,以完善知识产权管理体系为主,加大知识产权经费投入,深化知识产权信息综合运用,完善关键产品专利海外布局,积累知识产权优势。
其次,以高价值专利培育为主,持续推进关键产品专利技术分析工作,进一步完善关键产品专利布局,提高和加强纠纷应对能力。
最后,以自身技术为出发点开展运营,全面持续推进知识产权布局及保护工作,实现创新成果高效转化。
6、市场拓展规划公司将加强和健全各事业部的专业化、国际化市场营销团队,提升营销团队的专业技术能力。
同时,加强客户技术服务、产品质量及品牌维护,通过先进技术、优质产品以及专业服务,提升公司的核心竞争力,打造公司国际化品牌。
公司强化各事业部相关产业的技术交流和互动,积极参与相关技术领域的标准与规范制定工作,树立专业化、国际化地位,打造具有影响力的微纳装备制造领导者形象。
7、管理提升规划全面提升管理效能,通过成本核算中心来提高成本核算的正确率和效率,以降低综合成本,同时压缩采购成本、控制设计成本,并建立标准化计量体系。
重点优化和简化运营流程,提高部门工作效率,加强跨部门沟通,以客户满意度来监督运营。
重点强化质量体系,推进模块化、标准化,加强设计质量管控、供应商质量管控、制造质量管控、售后质量管控。
微导纳米的前五大客户与供应商
| 报告期 | 报告名称 | 类别 | 名称 | 交易金额(亿元) | 占营业收入比例(%) | 合计金额(亿元) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 单位① | 1.70 | 14.48 | 11.74 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 单位② | 0.93 | 7.88 | 11.74 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 单位③ | 0.40 | 3.37 | 11.74 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 单位④ | 0.38 | 3.24 | 11.74 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 单位⑤ | 0.33 | 2.83 | 11.74 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 供应商 | 其余供应商 | 8.01 | 68.2 | 11.74 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 单位①及其关联企业 | 6.80 | 25.84 | 26.31 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 单位② | 6.44 | 24.48 | 26.31 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 单位③及其关联企业 | 3.85 | 14.62 | 26.31 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 单位④及其关联企业 | 1.12 | 4.26 | 26.31 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 单位⑤ | 0.97 | 3.69 | 26.31 |
| 2025-12-31 | 2025年报 | 客户 | 其余客户 | 7.13 | 27.11 | 26.31 |
微导纳米的对外投资
| 序号 | 企业名称 | 持股类型 | 注册资本 | 持股比例(%) | 报告期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 微导纳米科技(武汉)有限责任公司 | 全资子公司 | 1000.00万元 | 100 | 2025-12-31 |
微导纳米的十大股东
| 报告期 | 股东名称 | 持股数量(万股) | 持股比例(%) | 持股数变动(万股) | 较上期变化 | 总股本(亿股) | 持股市值(亿元) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026-03-31 | 西藏万海盈创业投资合伙企业(有限合伙) | 23,258.16 | 50.43 | 不变 | 不变 | 4.61 | 148.97 |
| 2026-03-31 | LI,WEI MIN | 4,283.17 | 9.29 | 不变 | 不变 | 4.61 | 27.43 |
| 2026-03-31 | 无锡聚海盈管理咨询合伙企业(有限合伙) | 3,779.84 | 8.2 | 不变 | 不变 | 4.61 | 24.21 |
| 2026-03-31 | LI,XIANG | 1,554.93 | 3.37 | -460.92 | -22.8833 | 4.61 | 9.96 |
| 2026-03-31 | 胡彬 | 1,259.40 | 2.73 | 不变 | 不变 | 4.61 | 8.07 |
| 2026-03-31 | 潘景伟 | 899.40 | 1.95 | 不变 | 不变 | 4.61 | 5.76 |
| 2026-03-31 | 无锡德厚盈投资合伙企业(有限合伙) | 504.18 | 1.09 | 不变 | 不变 | 4.61 | 3.23 |
| 2026-03-31 | 256.23 | 0.56 | 新进 | 新进 | 4.61 | 1.64 | |
| 2026-03-31 | 227.78 | 0.49 | 新进 | 新进 | 4.61 | 1.46 | |
| 2026-03-31 | 招商银行股份有限公司-汇添富竞争优势灵活配置混合型证券投资基金 | 171.25 | 0.37 | 新进 | 新进 | 4.61 | 1.10 |
微导纳米的十大流通股股东
| 报告期 | 股东名称 | 持股数量(万股) | 占流通股比例(%) | 持股比例(%) | 持股数变动(万股) | 持股市值(亿元) | 更新日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026-03-31 | 西藏万海盈创业投资合伙企业(有限合伙) | 23,258.16 | 50.4342 | 50.4342 | 不变 | 148.97 | 2026-04-29 |
| 2026-03-31 | LI,WEI MIN | 4,283.17 | 9.2878 | 9.2878 | 不变 | 27.43 | 2026-04-29 |
| 2026-03-31 | 无锡聚海盈管理咨询合伙企业(有限合伙) | 3,779.84 | 8.1964 | 8.1964 | 不变 | 24.21 | 2026-04-29 |
| 2026-03-31 | LI,XIANG | 1,554.93 | 3.3718 | 3.3718 | -460.92 | 9.96 | 2026-04-29 |
| 2026-03-31 | 胡彬 | 1,259.40 | 2.7309 | 2.7309 | 不变 | 8.07 | 2026-04-29 |
| 2026-03-31 | 潘景伟 | 899.40 | 1.9503 | 1.9503 | 不变 | 5.76 | 2026-04-29 |
| 2026-03-31 | 无锡德厚盈投资合伙企业(有限合伙) | 504.18 | 1.0933 | 1.0933 | 不变 | 3.23 | 2026-04-29 |
| 2026-03-31 | 256.23 | 0.5556 | 0.5556 | 新进 | 1.64 | 2026-04-29 | |
| 2026-03-31 | 227.78 | 0.4939 | 0.4939 | 新进 | 1.46 | 2026-04-29 | |
| 2026-03-31 | 招商银行股份有限公司-汇添富竞争优势灵活配置混合型证券投资基金 | 171.25 | 0.3714 | 0.3714 | 新进 | 1.10 | 2026-04-29 |
微导纳米的公司高管
| 姓名 | 职务 | 简历 | 薪酬(万元) | 年龄 | 学历 | 国籍 | 就任日期 | 报告期 | 持股数量(万股) | 持股比例(%) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 王磊 | 董事长,法定代表人,非独立董事 | 王磊先生,1993年11月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,毕业于新泽西州立大学计算机和数学专业。其主要任职经历为:2017年6月至2017年9月就职于喜开理(中国)有限公司;2017年9月至2018年2月就职于江苏恒云太信息科技有限公司;2018年2月至今任先导智能董事;2018年10月至2019年12月,担任江苏微导纳米装备科技有限公司(公司整体变更前名称,以下简称“微导有限”)董事长;2019年12月至今,任公司董事长。 | 33 | 本科 | 中国 | 2019-12-05 | 2025-12-31 | 0.00 | 0 | |
| ZHOU REN(周仁) | 总经理 | ZHOU REN先生,中文名为“周仁”。1963年1月出生,美国国籍,硕士研究生学历,毕业于美国丹佛大学计算机科学专业。其主要任职经历为:1989年7月至1994年4月,担任美国AG Associates软件资深工程师;1994年5月至1996年4月,担任美国Novellus System软件主任工程师;1996年5月至1997年8月,担任美国CVC Inc系统控制部经理;1997年9月至2006年5月,担任美国Lam工程资深总监并历任资深软件经理,软件总监;2006年6月至2010年8月,担任中微半导体设备(上海)股份有限公司执行总监并历任资深总监;2010年9月至2012年3月,担任美国KLA Tencor工程资深总监;2012年4月至2014年8月,光达光电设备科技(嘉兴)有限公司工程副总经理;2014年9月至2020年7月,历任拓荆科技工程副总经理、顾问;2020年8月至2021年6月,历任公司半导体事业部副总经理、首席运营长;2021年7月至今,担任公司总经理。 | 381.33 | 63 | 硕士 | 美国 | 2021-07-01 | 2025-12-31 | 189.36 | 0.4077 |
| 吴兴华 | 职工代表董事 | 吴兴华先生,1980年8月出生,中国国籍,硕士研究生学历,毕业于中山大学物理专业。其主要任职经历为:2007年12月至2012年2月,就职于中国台湾工业技术研究院,任工程师;2012年3月至2016年7月,就职于昱晶能源科技股份有限公司,任副经理;2016年9月至2019年12月,就职于泰州中来光电科技有限公司,任研发经理、生产厂长;2019年12月至今,任公司光伏事业部副总经理;2025年12月至今,担任公司职工代表董事。 | 105.81 | 46 | 硕士 | 中国 | 2025-12-11 | 2025-12-31 | 4.51 | 0.0097 |
| 龙文 | 董事会秘书 | 龙文先生,1988年9月出生,中国国籍,无境外永久居留权,北京大学硕士研究生学历,毕业于北京大学软件工程专业。其主要任职经历为:2015年7月至2017年2月就职于北京天星资本股份有限公司,任投资经理;2017年3月至2019年3月就职于苏州翼朴股权投资基金管理有限公司,任投资经理;2019年10月至2019年12月,任微导有限董事会秘书;2019年12月至今,担任公司董事会秘书。任职期间,荣获第二十届、第二十一届新财富“金牌董秘”、2025金鹰董秘奖、同花顺2023年度最受欢迎董秘TOP100。 | 141.95 | 38 | 硕士 | 中国 | 2019-12-05 | 2025-12-31 | 12.93 | 0.0278 |
| LI WEI MIN(黎微明) | 副董事长,非独立董事,首席技术官 | LI WEI MIN先生,中文名为“黎微明”,1967年12月出生,芬兰国籍,博士研究生学历,毕业于芬兰赫尔辛基大学无机化学专业。其主要任职经历为:2000年6月至2007年4月就职于芬兰ASM Microchemistry Ltd.,任高级工艺工程师;2007年4月至2010年2月就职于芬兰Silecs,任应用经理;2010年2月至2015年10月就职于芬兰Picosun,任应用总监;2015年12月至2016年1月就职于先导智能,实际未担任职务;2015年12月至2019年12月,任微导有限董事;2016年2月至2019年12月,任微导有限首席技术官;2019年12月至今,担任公司首席技术官并历任公司董事、副董事长。 | 197.15 | 59 | 博士 | 芬兰 | 2019-12-05 | 2025-12-31 | 3,822.02 | 8.2289 |
| 张礼胜 | 副总经理 | 张礼胜先生,男,1976年10月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,毕业于同济大学工商管理专业。其主要任职经历为:2007年6月至2019年2月,就职于伟创力电子技术(苏州)有限公司,历任运营经理、资深运营经理、运营总监;2019年2月至2023年6月,就职于微软(中国)有限公司苏州分公司,担任资深工厂管理经理;2023年7月至今,担任公司首席运营官;2025年12月至今,担任公司副总经理。 | 206.37 | 50 | 硕士 | 中国 | 2025-12-11 | 2025-12-31 | 1.25 | 0.0027 |
| 宫晨瑜 | 非独立董事 | 宫晨瑜女士,女,1994年1月出生,中国国籍,无境外永久居留权,硕士研究生学历,毕业于美国普林斯顿大学金融工程专业。其主要任职经历为:2018年6月至2019年10月,担任美国银行美林证券投资分析师;2019年11月至2021年1月,担任无锡芯创投资管理有限公司投资经理;2021年2月至今,担任无锡先导智能装备股份有限公司高级副总裁;2025年10月至今,担任公司董事。 | 32 | 硕士 | 中国 | 2025-12-11 | 2025-12-31 | 0.00 | 0 | |
| 朱佳俊 | 独立董事 | 朱佳俊先生,1976年8月出生,中国国籍,无境外永久居留权,博士研究生学历,毕业于东华大学智能决策与知识管理(财务管理方向)专业,审计师、统计师、经济师,主要从事内部审计与风控、公司治理与财务、高管薪酬与激励等研究,曾承担多项江苏省和无锡市科研课题。其主要任职经历为:2012年4月至今就职于江南大学,历任教师、会计学专业副教授、硕士研究生导师;2016-2017年赴加拿大约克大学(会计学)访学;兼职担任无锡英迪芯微电子科技股份有限公司董事、工业和信息化部工业和信息通信业行业财经专家、无锡市重大投资评审专家、无锡市人民代表大会财政经济委员会预决算审查专家、无锡市内部审计协会秘书长。2024年5月至今,担任公司独立董事。 | 5.00 | 50 | 博士 | 中国 | 2025-12-11 | 2025-12-31 | 0.00 | 0 |
| 马晓旻 | 独立董事 | 马晓旻先生,1981年11月出生,中国国籍,无境外永久居留权,获法学学士和工商管理硕士学位,毕业于威尔士大学工商管理专业,律师,清算师。其主要任职经历为:2005年6月至2008年6月就职于上海市浦东新区人民法院任科员;2008年7月至2010年7月就职于上海瑞银添惠律师事务所任专职律师;2010年8月至今就职于上海市金石律师事务所任合伙人;2024年5月至今,担任公司独立董事。 | 5.00 | 45 | 硕士 | 中国 | 2025-12-11 | 2025-12-31 | 0.00 | 0 |
| 俞潇莹 | 财务负责人 | 俞潇莹女士,女,1984年1月出生,中国国籍,无境外永久居留权,本科学历,经济学学士,MBA在读,CMA持证。其主要任职经历为:2006年12月至2008年5月就职于国美电器无锡分公司,任财务;2008年5月至2016年4月就职于三达精密五金制造(无锡)有限公司,任财务主管;2016年4月至2019年6月就职于先导智能,任财务副经理;2019年7月至2019年12月任微导有限财务经理;2019年12月至今,担任公司财务负责人。 | 124.14 | 42 | 本科 | 中国 | 2019-12-05 | 2025-12-31 | 8.62 | 0.0186 |
微导纳米的核心题材与板块归属
| 板块名称 | 入选原因 |
|---|---|
| BC电池 | 2023年半年报显示,公司光伏设备订单量稳步增长,市场占有率不断提升,产品已广泛应用于国内 TOPCon 新建产线。公司应用于 XBC 电池生产线的产品已经验收,进入产业化应用阶段。 |
| TOPCon电池 | 2022年12月6日招股书显示公司夸父(KF)系列设备在光伏领域PERC电池中的Al2O3工艺和SiNX工艺、TOPCon电池正面Al2O3工艺均已实现产业化应用。 |
| 半导体概念 | 2022年12月6日招股书显示公司设备在半导体领域28nm逻辑器件制造过程中栅氧层工艺必备的高介电常数(High-k)材料沉积环节已产业化应用。 |
| 光伏概念 | 2022年12月6日招股书显示公司夸父(KF)系列设备在光伏领域PERC电池中的Al2O3工艺和SiNX工艺、TOPCon电池正面Al2O3工艺均已实现产业化应用。 |
微导纳米的个股研报
| 标题 | 研究机构 | 分析师 | 评级 | 评级变动 | 东财评级 | 机构评级 | 报告类型 | 发布日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
卡位薄膜沉积高端工艺,受益存储扩产与国产替代 | 国金证券 | 樊志远, 周焕博 | A | 2 | 买入 | 买入 | 0 | 2026-07-06 |
2025年报&2026一季报点评:半导体设备业务加速放量,看好半导体&新兴业务领域持续突破 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2026-04-30 |
半导体薄膜沉积技术引领者,新品量产加速 | 华源证券 | 葛星甫, 刘晓宁 | BB | 2 | 增持 | 增持 | 0 | 2026-03-08 |
ALD、CVD助力3D存储技术迭代 | 中邮证券 | 吴文吉, 翟一梦 | CCC | 3 | 买入 | 买入 | 0 | 2025-12-05 |
2025年三季报点评:业绩持续增长,半导体设备放量超预期 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2025-10-31 |
发布2025年股权激励草案,半导体设备加速放量 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2025-09-28 |
业绩高增,半导体新品布局与市场拓展并举 | 华安证券 | 徒月婷, 张志邦 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2025-09-15 |
2025年中报点评:业绩超预期,半导体设备加速放量 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2025-08-30 |
半导体产品及市场布局积极拓展,光伏业务承压韧性展现 | 华安证券 | 张帆, 徒月婷, 张志邦 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2025-05-27 |
2024年报点评:营收保持增长,看好半导体设备加速放量 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2025-04-28 |
半导体高增长 | 中邮证券 | 吴文吉, 翟一梦 | CCC | 2 | 买入 | 买入 | 0 | 2024-11-19 |
2024Q3业绩符合预期,半导体及新兴应用领域设备持续推进 | 华安证券 | 张帆, 徒月婷, 张志邦 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-11-11 |
2024年三季报点评:Q3业绩稳步增长,看好半导体业务持续放量 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-11-01 |
2024H1在手订单保持增长,半导体设备持续突破 | 华安证券 | 张帆, 徒月婷, 张志邦 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-09-05 |
2024年半年报点评:研发投入增加业绩短期承压,看好半导体业务持续放量 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-09-02 |
发布先进封装低温薄膜沉积系统,看好公司ALD&CVD设备快速放量 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-07-17 |
23年年报&24Q1点评:业绩&订单高增,光伏及半导体设备持续拓展 | 华安证券 | 张帆, 徒月婷 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-05-08 |
2023年报&2024年一季报点评:业绩高增,光伏&半导体ALD设备快速放量 | 东吴证券 | 周尔双, 李文意 | A | 3 | 增持 | 增持 | 0 | 2024-04-30 |
微导纳米的涨停记录
| 交易日 | 首次涨停 | 涨停原因 | 涨跌幅(%) | 换手率(%) | 所属板块 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026-07-21 | 2026-07-21 14:56:02 | 面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商 | 0.2 | 0.0244 | 国产芯片 |
| 2025-09-08 | 2025-09-08 13:34:27 | 面向半导体的高端微纳装备制造商,公司形成了以原子层沉积(ALD)技术为核心,化学气相沉积(CVD)等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系 | 0.1999 | 0.2059 | 国产芯片 |
| 2024-11-11 | 2024-11-11 13:07:47 | 1、面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商;公司形成了以原子层沉积(ALD)技术为核心,化学气相沉积(CVD)等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研产销,向下游客户提供先进薄膜设备、配套产品及服务;
2、在半导体领域内,公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积(ALD)设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备厂商,已与国内多家厂商建立了深度合作关系,相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域,多项设备关键指标达到国际先 | 0.2001 | 0.1749 | 国产芯片 |
| 2023-02-02 | 2023-02-02 10:07:08 | 公司用于TOPCon电池的设备均已实现产业化应用,并已完成GW级别产线验证,已取得XBC电池、钙钛矿异质结叠层电池订单 | 0.2 | 0 | 光伏 |
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