天岳先进 688234

公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。

公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司之一,也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。

2025年,全球能源变革与人工智能（AI）技术加速融合,推动功率半导体和新型半导体材料需求持续演进。

碳化硅材料凭借高耐压、高频、高热导、高温稳定性等综合优势,正在成为绿色低碳与高效算力基础设施的重要材料支撑。

伴随新能源汽车、电网与新能源绿电、储能升级、数据中心能效提升、工业与消费电子能效提升,以及光学与先进封装等新场景的发展,碳化硅下游应用由点到面扩展的趋势进一步清晰。

与此同时,2025年行业竞争格局进一步优化,价格波动、产业规模提升与客户导入周期并存,行业处于从早期无序扩张向大尺寸化、规模化、成本优化和结构升级并行推进的重要阶段。

公司在此背景下,坚持长期主义,围绕“市场份额提升”与“技术持续进步”两条主线推进经营,一方面抓住行业调整窗口,持续巩固与全球头部客户合作关系,另一方面通过大尺寸产品、工艺优化与应用拓展提升长期竞争壁垒。

从产业趋势看,2025年已成为碳化硅进一步扩大规模化应用的重要一年。

随着技术进步、单位成本下降以及头部企业规模增长,碳化硅在新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学之外,以及更加广义的工业、电网、光伏、储能、充电设施、家电及消费电子等领域均表现出相较传统半导体材料的综合优势,应用渗透进入“规模化导入”阶段。

公司围绕这一趋势,持续完善产品矩阵、加强客户共研、推进大尺寸化与多元应用布局,力争在行业新一轮发展中占据更有利位置。

公司也正从半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。

同时,作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业,公司管理层紧紧围绕公司发展战略和年度经营目标,持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率,坚持研发创新和市场拓展；同时,公司积极主动开源节流,合理管控成本费用,推进精益改善等一系列措施实现降本增效。

（一）公司经营情况1、聚焦市场份额提升,逆势巩固行业领先地位。

2025年,公司将抢占市场份额作为核心经营策略之一,在行业承压背景下仍实现了份额提升。

根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算,2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中,天岳先进（SICC）市场份额为27.6%,位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%,8英寸市场份额为51.3%,充分体现了公司战略执行的成果。

从经营逻辑看,行业下行阶段往往更能检验公司的真实竞争力。

公司之所以能在2025年逆势实现份额增长,核心在于：一是前瞻布局8英寸和12英寸,把握了行业尺寸升级方向；二是客户合作深、认证壁垒高,在长周期验证体系下具有较强黏性；三是规模化交付与质量稳定性经过国际头部客户验证,能够在行业竞争中获得更多订单与导入机会。

报告期内,公司持续在产品品质、量产交付、技术迭代与客户协同上的加强投入,保持与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上厂商的业务合作关系,在行业下行周期中进一步扩大了优质客户覆盖范围,并持续开拓新领域、新客户、新应用。

通过前瞻性布局大尺寸产品,在行业从6英寸向8英寸加速切换过程中取得了明显优势,2025年公司持续扩大6英寸市场份额,并在8英寸市场份额上占据头部位置。

同时大尺寸产品占比提升,不仅帮助公司扩大了市场份额,也有助于改善产品结构、强化客户绑定并提升长期竞争壁垒。

2、深化头部客户合作,持续扩大客户版图。

报告期内,公司与各行业头部客户的合作进一步深化,新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学等领域的重点客户合作关系进一步加强,体现出公司在产业链关键材料环节的综合竞争力。

公司长期采取直销模式,依托销售、研发、生产联动机制,能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品定义与工艺优化,从而增强合作深度和客户黏性。

在新能源汽车及功率器件领域,公司持续服务全球领先客户。

公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系,并与国际客户形成长期稳定合作生态。

报告期内,行业大尺寸化的趋势进一步确定,随着公司大尺寸产品经济性持续加强,行业从6英寸向8英寸切换,公司通过大尺寸产品进一步加深与客户的合作关系；同时,由于碳化硅衬底作为器件制造关键材料,需要经过外延、芯片制造、封装测试等复杂验证程序,下游客户一旦完成验证通常不会轻易更换供应商,这使得公司在服务头部客户后具有较强持续供货优势。

报告期内,公司与下游客户持续推进各项技术合作。

如在微纳光学领域,公司于2025年7月与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司达成战略合作,双方将整合碳化硅材料与光学技术优势,推动碳化硅衬底材料在光学领域应用,开拓新的蓝海市场。

在AI数据中心供电方案中,公司配合全球头部功率器件厂商,就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。

在先进封装领域,公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时,在芯片散热方向,公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层,并已形成批量出货,验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。

这些合作不仅体现公司在新兴应用方向的前瞻布局,也标志着公司正从单一材料半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。

此外,公司在与重要合作伙伴关系上持续深化。

如公司于2025年10月获得“博世全球供应商奖”,标志双方产业链协同进入深度绑定阶段,与博世的长期战略合作伙伴关系进一步加深。

这类合作关系的持续稳定,有利于公司在行业波动期保持订单韧性,并进一步提升全球影响力。

整体来说,公司深度融入碳化硅行业价值链,与上下游企业建立了紧密的合作生态。

公司以先进的技术能力为核心,精准把握全球客户的最新需求,链接全球顶尖的供应链资源,不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升,并最终实现产业链共赢,持续提升全球影响力。

3、应用场景持续拓宽,碳化硅进入更广泛规模化应用阶段2025年,碳化硅应用从新能源汽车、光伏储能等传统高景气场景,进一步向AI数据中心、智能电网、先进封装、微纳光学、工业、充电设施、家电和更多消费电子场景延展。

这一趋势的底层驱动在于,随着碳化硅材料和器件技术持续进步、尺寸升级、成本下降和规模效应显现,其相较传统硅基材料在低中高压、高频、高效率、高功率密度和热管理上高效性能正在被更多终端应用所接受。

在AI数据中心领域,随着AI算力快速增长,数据中心能耗与供电效率问题日益突出。

根据弗若斯特沙利文的数据,至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW,较2023年净增加244GW,2023年至2030年复合年增长率达到27.4%,数据中心耗电量占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。

碳化硅功率器件在数据中心电源、UPS、服务器电源等场景可实现更高转换效率与功率密度,因此对高品质碳化硅衬底的需求具有明确增量意义。

在AI眼镜-微纳光学领域,碳化硅材料凭借优异光学特性和轻量化潜力,正在成为重要的显示新材料。

资料显示,至2030年全球AI眼镜出货量有望超过6000万副；公司2025年在该领域已形成实质性布局,不仅与舜宇奥来达成战略合作,还凭借“碳化硅光波导片在AI眼镜中的应用”方案入选中国信通院优秀案例,表明公司在碳化硅材料跨界应用方向已具备较强产业化落地能力。

在电网、工业、光伏储能、轨道交通和家电等领域,碳化硅优秀的材料特性带来的性能提升则更为明显。

根据相关预测,2024年至2030年,碳化硅功率半导体器件在光伏储能、电网、轨道交通等领域的复合增长率分别可达27.2%、24.5%、25.3%。

随着使用经济性不断提升,更多原本由传统硅基器件主导的场景开始引入碳化硅方案,推动行业由单一赛道增长向多场景共振演进。

4、引领尺寸升级趋势,推动行业由6英寸向8英寸切换并布局12英寸报告期内,公司继续引领行业向大尺寸衬底升级,目前6英寸导电型衬底仍为主流、8英寸导电型衬底正快速起量、12英寸前瞻布局推进顺利。

尤其是公司在8英寸导电型衬底的质量与批量供应能力处于全球领先位置,是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一,持续推动头部客户向8英寸转型。

8英寸衬底的重要性在于,其更大的可用面积有助于提升单片晶圆产出、改善器件制造经济性并推动下游产线与设备兼容优化。

同时,全球碳化硅功率器件制造商在8英寸项目上的总投资额持续提升,行业向8英寸切换已成为一个清晰的趋势。

在更大尺寸布局方面,公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底,并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。

目前12英寸产品已获得头部客户订单,这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。

12英寸的意义不只是技术展示,更在于12英寸的批量产出将使得诸多新兴领域成功落地,SiC作为先进平台型材料进一步降低诸多领域的单位成本,并打开更大规模商业化空间。

从产业竞争角度看,谁能够率先完成从6英寸到8英寸,再向12英寸延伸的量产与客户导入,谁就更有机会在下一轮行业竞争中掌握主动权。

报告期内公司在8英寸占比提升、12英寸持续推进上的表现,体现了公司在技术路线选择—产能能力建设—客户验证推进等三方面的协调能力,也增强了未来盈利能力与市场份额继续提升的基础。

（二）研发创新情况碳化硅衬底属于高度技术密集型行业,制备流程复杂、工艺壁垒高,核心竞争力很大程度上取决于材料基础研究、晶体生长、缺陷控制、加工工艺、设备设计和产业化协同能力。

保持技术领先是公司的长期战略重点。

2025年,公司继续围绕基础研究、产品开发和工程优化开展持续投入,强化自主创新能力,推动技术进步与产业化能力相互促进。

2025年公司研发费用为1.66亿元,较2024年增长16.91%。

研发投入增加主要用12英寸碳化硅衬底、8英寸衬底产业化研发,P型衬底以及光学、先进封装等新兴领域方向的开发。

公司在行业景气承压阶段并未削弱研发投入,而是继续加大前瞻性技术和新应用方向布局,体现出较强的长期投入定力。

从技术方向看,公司持续围绕大尺寸化、低缺陷、低成本、液相法、P型衬底以及新型应用材料等方向推进研发。

公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底,突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时,公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一,这为智能电网、高压大功率器件等场景的拓展提供了技术支撑。

报告期内,公司围绕“销售—研发—生产”联动机制继续强化研发体系。

公司与下游战略客户共同推进研发,痛点及需求开展针对性研发,并基于客户反馈持续优化迭代产品,使研发成果能够更快转化为产业化能力和客户价值。

对于碳化硅这类验证周期长、产业链协同要求高的材料行业而言,这一机制有利于公司在技术创新与市场拓展之间形成正循环。

从知识产权成果看,公司在持续研发投入基础上,已形成较为系统的知识产权积累和技术壁垒。

截至2025年末,公司及下属子公司累计获得发明专利授权203项、实用新型专利授权308项,其中境外发明专利授权14项；报告期内新申请发明专利和实用新型专利等64项,其中发明专利49项、实用新型13项。

从人才与组织能力看,公司持续打造全球碳化硅人才高地。

截至报告期末,公司研发人员中硕士、博士合计67人,占研发人员总数37.43%；公司拥有2名享受国务院特殊津贴专家,并汇聚国家级人才7人、省级人才12人、市级人才6人。

未来三年,我们将持续优化人才矩阵,进一步完善覆盖材料科学、电子工程、物理、化学、机械工程等多学科背景的研发团队,为公司在基础研究、产品开发和工程转化上的持续推进提供支撑。

2025年,公司研发创新成果还在多项外部荣誉中得到体现。

公司于2025年5月凭借“一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底”获得第二十五届中国专利银奖；2025年6月获得日本权威半导体媒体颁发的“半导体电子材料”类金奖；2025年11月因“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”。

这些成果从侧面体现了公司技术创新在国内外产业界的影响力。

总体看,2025年公司持续推进研发创新工作,坚持高强度投入,在行业波动中保持技术进步节奏不变；围绕大尺寸化与新应用方向进行前瞻布局,既服务当前市场份额提升,也服务未来产业升级；同时,公司强化研发成果向量产和客户价值转化,持续推动从技术突破到产业化竞争力的闭环形成。

这些工作将对公司未来在8英寸进一步放量、12英寸持续突破,以及绿色低碳应用、AI数据中心、微纳光学、先进封装等新应用方向的拓展形成有力支撑。

（三）年度成果和荣誉2025年,公司在技术创新、品牌建设、ESG管理、资本市场布局等方面收获多项荣誉,彰显了公司的行业影响力和综合实力,得到了产业界、资本市场和社会各界的广泛认可。

1、技术与品牌荣誉方面公司凭借在衬底技术突破与量产应用上的显著成果,斩获多项高含金量奖项,其中核心荣誉实现重大突破：公司导电型碳化硅衬底获评“国家制造业单项冠军”,继半绝缘型碳化硅衬底已获此项殊荣后再添佳绩,成功成为行业首个“双料单项冠军”,充分彰显公司在碳化硅衬底核心领域的绝对领先地位；凭借“高品质碳化硅单晶衬底产业化制备关键技术及应用”相关成果,荣获山东省科技进步特等奖,该奖项作为山东省科技领域最高荣誉之一,充分肯定了公司在碳化硅技术产业化落地、推动区域半导体产业高质量发展中的突出贡献；荣获国家知识产权局颁发的“中国专利奖（银奖）”,该奖项是中国知识产权领域的最高政府奖项,竞争极为激烈,充分彰显公司雄厚的技术研发实力与高价值专利培育能力；凭借“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”成果,入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”,彰显公司在大尺寸衬底领域的全球引领地位；荣获中国电子材料行业协会半导体材料分会颁发的“半导体材料行业突出贡献奖”,肯定了公司在技术研发、国产化替代方面的突破性贡献；凭借“高品质碳化硅单晶衬底产业化制备关键技术及应用”项目,荣获“国际发明展览会银奖”,体现公司技术创新的国际影响力；同时,公司获评“山东省先进级（省级）智能工厂”,彰显智能制造领域的标杆水平,以及“山东省新材料领军培育企业”“济南市服务产业链发展优质链主企业”,凸显在区域产业发展中的核心引领作用。

此外,公司此前获得的“2025行家极光奖”之“全球SiC衬底影响力企业”及“2025年度优秀产品奖”,进一步巩固了其行业引领地位。

2、ESG与规范经营方面公司凭借系统化的ESG管理体系与扎实的可持续发展实践,荣获2025年度上市公司最佳ESG实践奖,体现了公司在环境、社会和治理方面的卓越表现；公司始终保持高水平的信息披露质量,持续提升规范运作水平和投资者关系管理质量,不仅树立了科创板上市公司规范经营的良好标杆,更以符合国际资本市场的合规运营标准,为本次港股成功上市奠定了坚实基础,也为国产碳化硅企业对接全球资本树立了合规典范。

同时,公司获评“济南市工业节水示范企业”,积极践行黄河流域生态保护战略,彰显绿色发展理念。

3、产业影响力与国际认可度方面公司碳化硅材料成功入选中国制造“十四五”成就展,登陆国家博物馆,彰显了公司的硬核科技实力,也体现了国家对碳化硅产业及公司发展的高度认可；公司作为国内碳化硅衬底行业的领军企业,积极协办全国半导体材料标准化分技术委员会相关会议,助力行业标准完善,推动产业高质量发展。

在国际领域,公司斩获德国博世集团“卓越供应商”奖项,成为其全球约3.5万家供应商中获评的49家企业之一,彰显产品品质与供应能力的国际认可；同时,作为31年来首家荣获日本器件产业新闻第31届半导体年度奖“半导体电子材料”类金奖的中国企业,跻身全球顶尖半导体材料企业行列,标志着中国碳化硅产业整体实力的跃升。

4、资本市场方面公司8月成功实现港股上市,成为国内碳化硅衬底领域首家“A+H”两地上市企业,这一资本布局的重大突破,不仅让公司迈入“A+H”双资本平台发展的全新阶段,更成为国产第三代半导体硬科技企业对接全球资本、实现国际化发展的标杆案例,充分印证了公司核心技术实力与全球化发展潜力获得国际资本市场的高度认可；同时公司凭借突出的科技创新实力与全球化发展布局,荣获“金牛上市公司科创奖（新材料）”“2025年度科技创新金牛奖（港股）”“2025硬科硬客科技突破奖”,资本市场认可度持续攀升。

此外,公司研发团队获评“团省委在青春建功高质量发展工作中表现突出青年集体”,彰显了人才队伍建设的显著成效。

(一)行业格局和趋势1、行业由粗放增长进入注重质量及效率时代,行业发展波动中龙头地位愈发凸显。

2025年是碳化硅（SiC）产业发展的分水岭。

技术进步进一步有效降低了单位生产成本,驱动行业渗透率增加,出货量持续攀升；同时市场在剧烈波动中加速出清,行业竞争由规模扩张转向效率与质量的比拼。

2025年,具备核心技术与客户资源优势的龙头厂商份额明显提升,全球格局逐渐呈现出由海外巨头主导转向由中国领先企业突围的方向发展。

（1）技术驱动成本中枢系统性下移。

报告期内,衬底大尺寸化与工艺改良成为行业降本的核心动能。

同时,公司8英寸衬底工艺进一步优化,单位综合成本较6英寸显著降低。

2025年,随着天岳先进等龙头企业良率逐步提升,带动衬底生产成本优化。

此外,12英寸（300mm）衬底的研发攻关进一步打开了降本空间,行业正式进入更高维度的质量+效率竞争阶段。

（2）出货量逆势激增,国产份额提高。

尽管行业承压,但碳化硅成本下行刺激出更多的市场应用,新能源汽车、工业、光储充、智能电网的强劲需求驱动出货量显著增长。

以本公司为例,2024年产量已达41.02万片,2025年产量达到69.04万片,继续保持增长态势。

价减量增的背后,是国产产业链凭借规模效应和良率突破,正成为全球碳化硅行业的大增长极。

（3）行业加速出清,头部阵营呈现剧烈分化。

在长达两年的行业调整期后,行业进入优胜劣汰的深水区。

一方面,由于缺乏成本优势和客户黏性,大量腰部及尾部中小厂商面临严重的产能利用率不足,行业在波动中逐渐出清。

另一方面,全球龙头企业的表现出现分化：部分海外厂商面临巨大的运营挑战,中国等本土龙头企业通过大尺寸衬底优势、良率工艺改进跃升、下游终端客户大市场的孵化正逐步建立行业新发展秩序,市场份额稳步提高。

根据相关测算,2025年天岳先进全球市占率进一步增长,体现了强大的经营韧性。

（4）行业由粗放扩张转向追求质量与系统化能力。

站在2026年初的时间点回望,单纯的产能规模已无法建立构筑有效的经营能力,行业竞争重心已全面向稳定交付、品质保障、及客户生态圈迁移。

头部企业正在凭借多年积累的大规模、稳定、高质量交付的绩效,与全球头部客户建立更加紧密的合作关系。

碳化硅产业已告别草莽式的粗放增长阶段,正式步入以​”先进品质、极致成本、稳定供应​”为特征的高质量发展时代。

2、尺寸升级：6英寸仍为现实主流,8英寸快速起量,12英寸开启下一代赛道2025-2026年初,衬底尺寸升级依然是行业最重要的结构性趋势之一：6英寸是行业目前最为主流出货品类,同时8英寸正快速起量,并成为盈利与成本博弈的胜负手,12英寸是下一代技术和话语权的高地。

6英寸方面,由于工艺成熟、良率相对稳定且设备体系完善,6英寸导电型衬底仍是当前出货的主流,在全球衬底出货中占比超过九成,尤其在国内应用中仍承担着大部分量产需求。

但6英寸器件市场已经进入“红海时代”,竞争最为激烈。

8英寸方面,2025年头部企业转向快速起量阶段,天岳先进在8英寸出货方面断代领先全球市场。

8英寸的经济性逐步被验证,单片芯片产出量约为6英寸的2倍左右,且在晶体生长技术进步和良率提升配合下,单位综合成本有望进一步下降,并能够与部分硅基产线设备协同使用。

下游各器件龙头企业在8英寸上的资本开支极为积极,已然成为全行业的主战场与卡位点。

12英寸方面,2024-2025年是从实验室阶段迈向工程样片与小批供货的关键窗口期。

报告期内,公司已经完成12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关,并在国际展会上展示样品,部分头部客户已启动验证或下达订单。

8英寸的稳定量产及12英寸的前瞻布局使得公司在下一个时代的竞争中掌握先机。

与此同时,部分下游国际龙头企业在200mm（8英寸）产线及后续更大尺寸产线上加速投入,12英寸衬底已明确代表未来成本结构与竞争格局的重要方向。

在这一路径中,中国市场的重要性显著提升。

报告期内,中国碳化硅市场占全球份额显著提升,未来有望成为全球最大单一市场；国内厂商在6英寸替代、8英寸突破和12英寸探索上同步推进,形成了与海外龙头之间从“追赶”迈向“局部并跑乃至领先”的新格局。

3、需求结构从“新能源单核”走向“新能源+AI多核”,应用场景持续外溢​​2025年碳化硅下游需求从新能源汽车这一领域加速迈向更多领域,包括新能源、AI、工业、消费等更多场景,行业抗周期能力和中长期成长确定性在行业波动年中进一步增强。

新能源仍是最大基本盘,并于2025年尾开始出现加速增长的迹象。

电动汽车的碳化硅功率器件正逐步从高价位段向中低价位段延伸,光伏、储能、充电桩、电网、轨交等领域的渗透率亦随着碳化硅器件单位成本的下降而快速提升。

在AI数据中心方面,弗若斯特沙利文预计2030年全球AI数据中心容量将达299GW,较2023年净增244GW,2023-2030年复合增速达27.4%,届时数据中心耗电占全球电力消费比重或由1.4%升至10%；800VHVDC架构、SST、PSU等环节,碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度优势,被视为降低能耗、提升机柜功率密度和优化散热设计的关键材料。

在AI终端与光学领域,碳化硅材料凭借高折射率及优异光学性能,在AI眼镜/AR眼镜光波导中的应用逐步从概念验证走向生态共建。

多方预计2030年全球AI/AR眼镜出货量将超过6000万副,以碳化硅为基底的光波导片可带来更大视场角、更简化的全彩显示结构并降低重量和成本,公司已与全球光学领域应用龙头建立联合开发关系,推动这一新兴场景的产业化落地。

此外,在先进封装、高端散热、滤波器、智能电网、家电与工控等方向,碳化硅的高热导、高频、耐高压与耐高温等多重特性不断被挖掘,例如用于AI芯片封装的散热中介层、TF-SAW滤波器基底、特高压电网P型衬底等,需求端的多元化趋势日益显著。

4、国产化与全球化并行碳化硅衬底的长验证周期和高切换成本决定了客户资源即是壁垒。

具备全球Tier1客户认证、签订长期供货协议（LTA）、并在EV、AI数据中心、工业、光学先进封装等多场景深度协同的企业,将在价格战与景气波动中展现出更强韧性。

公司通过“A+H”双融资平台进一步增强海外品牌认知与资本实力,配合在东南亚等地布局海外产能,应对地缘政治与贸易壁垒的能力更加扎实,逐步建立起更加稳定的“Chinaforglobal”和“ChinaforChina”双循环​的供应体系。

同时,国内碳化硅产业链在衬底、外延、器件与装备等环节加速突破,2025年国产碳化硅产品加速发展,国内下游企业竞争力边际加强,国产厂商成为碳化硅行业愈来愈重要的玩家；同时,海外IDM与国内厂商之间的合作亦在深化。

2025年,公司与诸多国内下游客户亦建立起更加深厚的合作绑定关系,为下一步发展做好了充分准备。

2025-2026年是碳化硅行业发展的关键阶段：低端、无差异化能力的产能以及缺乏自研能力、无头部客户绑定的厂商将加速出清或边缘化；具备​技术领先、成本优势、多场景应用理解和系统解决方案能力​的企业,将在AI与新能源双轮驱动下获得更大的成长空间和行业话语权。

(二)公司发展战略1、保持创新领先性,引领碳化硅材料的渗透应用作为全球碳化硅行业的领导者和创新者,我们计划通过我们在全球半导体市场深耕多年所形成的技术优势,引领碳化硅材料在下游应用市场的普及,建立稳定的碳化硅生态系统。

凭借我们领先的技术、产能及高效的生产优势,我们将继续努力降低碳化硅衬底的整体成本,推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化,提高其在功率半导体市场的渗透率。

我们致力于推动碳化硅材料在可再生能源及AI领域的整合应用,并认识到其于引领未来技术进步中的关键作用。

我们持续推进碳化硅材料在新能源汽车、电网、轨道交通及家电等现有应用领域的持续渗透,同时,我们也致力于实现碳化硅材料在AI数据中心、AI眼镜及先进散热部件等新应用场景的技术突破。

2、加强研发能力,完善前沿技术布局,丰富产品组合我们将持续加强研发能力,丰富专利组合,以巩固我们在碳化硅行业的技术领先地位。

具体而言,我们计划(i)聚焦材料性能、晶体生长热动力学、晶体生长方法、晶体缺陷生成及演化机理的研究；（ii）在材料性能、晶体生长和缺陷控制等核心技术领域开展密集试验,不断突破技术瓶颈,持续优化碳化硅材料的制备工艺；(iii)加强我们对不同类型,以及不同尺寸的碳化硅衬底的研发能力,强化在大尺寸化生产技术、零缺陷技术、P型衬底技术、液相技术等领域的技术领先优势,带动材料性能提升和产品更新换代；(iv)研发下一代变革性技术,推动碳化硅衬底在多种新兴领域的应用。

我们将坚持自主研发,持续招募顶尖人才,给予研发人员充足的资源支持,并通过我们强大的技术平台及不断积累的专业知识,确保研发人员始终关注最先进技术,从而巩固我们的行业领先地位。

我们将不断完善研发激励机制和研发管理体系,激发研发人员的创新活力。

我们将加强高校合作,为技术突破和产品创新提供坚实基础。

3、保持并持续提升产能,提高生产效率和交付质量为有效满足下游客户不断变化的需求,我们将持续强化有效产能,特别聚焦于大尺寸碳化硅衬底,从而巩固我们的行业领先地位。

我们将持续投资于现有生产基地并进行技术升级,从而优化我们的整体产能及效率。

我们致力于(i)提升供应链的稳定性；(ii)开发具备技术领先性的设备；(iii)改进生产流程,提高设备利用率,提升物料使用效率,降低生产环节浪费；(iv)加强数字化运营系统,提高我们智慧工厂的自动化水平；(v)持续优化工程参数,应用晶体快速生长和厚度提升等核心技术,提升生产效率、降低生产成本,实现规模化精益生产。

同时,我们将继续落实Z计划,提升产品交付质量和交付效率。

一方面,我们将通过专注且广泛的沟通,全力提供满足客户不断变化需求的碳化硅衬底。

另一方面,我们将在制造过程的各个阶段制定严格的质量把控标准,以确保碳化硅衬底的高质量和高一致性,并保持我们及时高效交付的优势。

4、加强全球合作生态系统建设,扩大客户群并深化客户关系通过与业内上游供应商及下游客户的合作,我们致力于建立共赢的碳化硅生态系统。

我们旨在在技术及应用层面扩大碳化硅材料市场规模和渗透率,引领碳化硅行业的发展。

我们致力于加强与上游供应商及下游客户的长期战略合作关系。

同时,我们将扩大国内外市场的客户群,进一步扩大我们的业务规模,提升全球市场占有率。

通过深化与全球领先公司的合作,我们持续引领行业趋势,巩固我们的市场地位。

与全球tier1客户的广泛合作将使我们能够共同定义产品工艺和供应链标准,加速新技术的商业化,并提高现有产品的性能和促进成本优化,最终提升我们的市场渗透率。

同时,不断拓展新客户,拓宽新应用领域的客户覆盖广度,对我们的可持续发展及市场扩张极为重要。

此外,我们将持续完善全球化销售及服务系统,进一步深挖海内外客户需求、提升客户响应速度及满意度、优化交付成本。

秉持合作共赢理念,我们将在深化产业链战略协作的同时,持续强化客户导向型服务体系和全球技术领先优势,巩固作为技术领先的全球碳化硅衬底公司地位。

我们将继续加强与全球领先的原材料及设备供应商的合作,保证我们的稳定供应及成本优势,并积极通过合作共创不断提升材料及设备性能、优化生产成本。

此外,我们将通过多渠道、多层次的供应商资源池,进一步深化我们的多元化的全球原材料采购网络,提高供应链的弹性及灵活性。

5、持续吸引顶尖人才,提升管理能力我们高度重视人才队伍的培养,计划打造一支具备创新能力、强大团队合作精神并能灵活应对市场变动的专业团队,以提升技术创新能力、增强整体竞争力,并支持我们的长期持续发展。

我们将持续加大人才战略的投入。

一方面,根据研发、生产、销售和管理等战略重点,我们将实施全面的人才引进、培养及发展计划,强化人才梯队建设。

另一方面,我们将积极拓宽人才引进渠道,与知名高校建立合作。

我们将强化战略人才发展机制,建立与角色需求相适应的差异化培训体系,为跨领域关键人员培养赋能。

我们也将维持积极的工作环境,实施全面的绩效评估,并提供具竞争力的激励措施,以鼓励持续的价值创造并促进业务创新,从而进一步提升我们的技术实力及创新活力。

我们将不断完善和优化组织管理体系,建设适应公司发展战略、匹配快速发展的业务规模的组织,提升服务全球客户所需的管理能力,为科学高效的运营管理提供有力保障。

我们将持续提升在采购管理、库存管理、销售管理、数字化运营方面的运营效率。

6、寻求战略投资、合作或收购为增强技术能力、拓展业务布局,未来我们计划对与我们形成互补或协同效应的半导体行业的技术、团队、资产或公司进行战略性投资、合作或收购。

通过战略性投资、合作或收购,我们计划完善我们的技术组合、提高生产工艺、提升产品品质、拓展销售网络,并扩大我们的可触达市场,从而驱动我们的未来增长。

(三)经营计划2026年天岳先进将继续以“成为国际著名的半导体材料公司”为战略目标,立足新能源和AI引领未来科技革命的契机,始终秉持“先进品质持续”的经营理念,引领行业和技术发展,以高品质产品为客户创造更大的价值。

2026年,公司将继续围绕以下重点工作,推动天岳先进高质量发展,提升公司长期投资价值。

1、坚持主业聚焦,稳步提升大尺寸产能与有效利用率公司将继续以碳化硅衬底主业为核心,围绕济南与上海临港两大基地,系统梳理并优化现有6/8英寸产线的产能结构与排产节奏,并审慎推进资本开支,稳步提升有效产能利用率与交付能力,并通过工艺优化、瓶颈环节扩能与智能排产等方式,提升整体产出效率,保障客户供货稳定性。

2、深化8英寸主流化应用,前瞻推进12英寸全系列产业化公司将继续以“8英寸绝对领先、全球头部客户首选供应商、大尺寸高质量衬底量产标杆”作为年度经营重点。

在8英寸方面,公司计划在2026年继续推进8英寸产品占比：一方面通过进一步提升8英寸良率和稳定性,巩固其在公司收入中的主力地位,另一方面加快更多车规级及工业客户的量产导入节奏。

在12英寸方面,将围绕已完成的导电N型、P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关,重点推进与头部客户的合作,为即将到来的具备规模化交付条件时的快速产业化奠定基础。

3、构筑基于高品质和高质量服务的品牌力,维护行业健康利润率2026年,公司计划以高品质产品和高质量服务为基底构筑品牌力,构筑以技术和服务质量为锚的盈利修复路径,维护行业健康利润率。

公司将坚持价值定价,综合产品尺寸、质量、服务内容与长期战略保供能力,与客户建立以性能与可靠性为基础的长期合作关系,杜绝内卷式的价格博弈,重视客户满意度、良率与交付时效,并通过工艺进步和精益制造确保降本增效工作的顺利展开,并以内生性盈利支撑持续研发和智能工厂迭代投入,有力提升经营质量。

4、围绕“AI+新能源”双轮驱动,系统优化产品与市场结构公司将围绕“新能源+AI”双主线下优化资源配置。

一方面,继续深耕新能源汽车、光伏储能、电网及工业等传统高景气赛道,保障车规级6/8英寸导电型衬底稳定供货,支撑下游xEV领域碳化硅渗透率快速提升。

另一方面,重点面向AI数据中心电源、先进封装散热与AI/AR眼镜光波导片等新应用领域,完善导电性衬底、光学级衬底及先进封装材料等产品线布局,强化与电力电子、AI智算、光学头部客户的联合开发,提升非车载业务在收入中的占比,以多场景、高门槛应用提升整体毛利和品牌高度,提升盈利弹性。

5、强化降本增效与精益制造,夯实成本优势在行业竞争走向新阶段的背景下,公司计划进一步加强成本与效率管理。

2026年,公司将继续围绕长晶质量提升、低缺陷生产、智能排产等环节深挖潜力,有效降低单位成本；同时,依托AI+智能制造管理体系,对长晶、切片、磨抛、清洗全流程进行更细颗粒度的监控和参数优化,减少人力成本、提高良率与一致性；此外,公司将在采购端推进多元化供应体系,平滑原材料价格波动。

经营层面将围绕单位成本、单位能耗、单位人效等核心指标设定阶段性目标,以在竞争中保持合理毛利。

6、巩固并拓展全球头部客户生态,提升“A+H”平台下的国际化运营能力公司将继续绑定关键客户,服务多元终端赛道。

一方面,稳固与全球头部功率半导体龙头厂商的长期合作,通过满足其连续迭代的产品规格要求,确保在其全球供应链中的核心地位；另一方面,加快与AI数据中心、电网、微纳光学、先进封装等领域头部客户的联合开发与产业化推进节奏,推动更多新应用项目进入批量出货阶段。

依托2025年H股上市形成的“A+H”双融资与双品牌平台,公司将同步完善境外销售和技术支持网络,提升跨区域交付、结算与合规能力,为后续海外产能布局和更大规模出海打好基础。

7、持续加大研发投入与人才建设,强化“技术+知识产权”双重护城河在2025年研发费用已达1.66亿元、同比增长16.91%的基础上,公司计划继续保持研发投入强度,将资金重点用于12英寸、液相法P型衬底、面向电力电子领域新应用方向的各类导电性衬底、光学衬底、先进封装散热材料与射频等新材料方向。

同时,继续推进在研项目落地,提升从基础研究,到产品开发、工程化试验,再到规模量产的转化效率。

人才方面,公司将通过激励措施、科研平台与国际合作吸引和稳定高层次人才,为公司在未来行业技术拐点与应用切换中保持长期竞争力提供保障。