东微半导(688261)A股十大股东、高管

东微半导的公司基本信息

公司全称: 苏州东微半导体股份有限公司
上市日期: 2022-02-10
成立日期: 2008-09-12
所属地区: 江苏省
董事长: 龚轶
法人代表: 龚轶
总经理: 龚轶
董事会秘书: 李麟
控股股东: 无
实际控制人: 王鹏飞、龚轶
板块（三级）: 分立器件
会计师事务所: 致同会计师事务所(特殊普通合伙)
法律顾问: 浙江天册律师事务所
组织形式: 中小微民企
币种: CNY
注册资本（万元）: 12,257.4975
员工人数: 207
联系电话: 0512-62668198
邮箱: [email protected]
公司网址: www.orientalsemi.com
办公地址: 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城东南区65栋
注册地址: 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城东南区65栋
公司简介: 专注于工业及汽车相关中大功率应用领域，凭借半导体器件与工艺创新能力，实现了国产化替代。
主营业务: 高性能功率器件研发与销售

东微半导的经营评述

报告期	报告名称
2025-12-31	2025年报

2025-12-31 · 经营评述

公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。

2025年,在人工智能算力芯片、存储芯片、云基础设施建设和先进消费电子产品等领域持续需求的驱动下,全球半导体市场呈现复苏与增长态势。

公司坚持以技术创新为驱动的理念,纵向持续深耕高性能功率半导体领域,横向拓展丰富产品线,持续保持研发投入,积极扩充技术人才队伍,丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系,保障产能的有效供给,持续进行前沿技术的合作。

（一）整体经营业绩情况报告期内,公司实现营业收入12.53亿元,较上年同期增长24.87%；实现归属于上市公司股东的净利润4,621.04万元,较上年同期增长14.85%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润789.71万元,较上年同期增长240.49%。

功率半导体行业下游应用分散、产品品类繁多。

公司产品在汽车、工业、消费等领域广泛应用,通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用,报告期内,车规级、工业级领域营业收入占比约为83%。

受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响,公司营业收入和毛利率有所上升,盈利能力也有所提升。

（二）技术研发情况公司坚持技术创新与研发投入,夯实现有产品的技术升级,加快实现新产品的技术迭代。

2025年度研发费用为9,231.76万元,较上年同期增长21.93%；截至2025年末,公司研发人员数较上年同期增长13.04%；2025年公司研发人员平均薪酬较上年同期增长18.09%。

（1）报告期内,公司持续进行新技术开发工作,遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级,包含了更多的产品规格和更多的制造基地。

超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT等主要产品在完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂扩展的基础上,在12英寸晶圆制造基地无论从技术还是产能上均得到了显著的扩容。

报告期内,功率模块和GaNHEMT领域实现了突破,其中,功率模块已经在算力电源和车载电源领域实现持续稳定交付,GaN产品系列得到扩充,积极推进客户验证。

主要产品进展具体如下：①超级结MOSFET方面：报告期内,公司依托12英寸晶圆制造基地的深度扩展与技术优化,成功构建了丰富且优质的制造资源池。

在与基地的全年通力合作下,超级结MOSFET产能实现跨越式增长,不仅完成了年初设定的产能爬坡目标,更在应对市场高峰需求时展现出卓越的弹性。

报告期内,晶圆测试良率持续稳定在高水平,这种优异的一致性表现,更能适应高端客户对产能和产品一致性的严苛要求。

第四代超级结MOSFET进入全面放量阶段,凭借成熟的工艺和极高的性价比,该系列产品收到多家客户的长期订单,为公司年度销售额增长做出贡献,提升了市场占有率。

第五代超级结MOSFET小批量交付,性能国内领先；第六代超级结MOSFET研发工作进展顺利,器件性能已经接近国际大厂最优系列,性价比优势明显。

目前,第六代超级结MOSFET正在开展严苛的可靠性验证,旨在满足客户日益严格的质量预期。

随着12英寸晶圆代工厂产能的全面扩张以及制造设备性能的持续升级,“供应能力”与“产品性能”的双重优势不仅巩固了超级结产品在高端功率半导体领域的护城河,更为长远发展积蓄了强劲动能。

②中低压屏蔽栅MOSFET方面：公司中低压屏蔽栅产品覆盖25V-250V全电压平台。

报告期内,公司优化了25V-200V全规格段产品性能,量产多颗规格难度较高的产品,助力终端客户完成国产化替代。

FSMOS系列推出了200V电压平台产品,产品性能优越,可用于光伏逆变、储能和电机驱动等相关领域。

公司持续投入车规验证资源,陆续有产品通过第三方车规考核并量产交付。

在大电流高频率领域,25V-200V高频系列单体器件性能国内领先。

公司25V、30V、40V、60V、80V、100V产品完成了高速器件的研制,极低的导通电阻以及极低的寄生电容使之适合服务器以及AI算力电源应用。

目前,相关的SGT器件已经在AI电源,人形机器人等领域实现了销售。

③独创结构的TGBT方面：报告期内,公司完成了基于柔性开关技术的650V高速低功耗TGBT产品的研发,产品具备和目前世界范围内最优IGBT竞品对等的参数能力,在下半年陆续推出基于该技术的产品系列,在相关客户（含汽车领域）已经完成初步评估,性能满足预期,这将为公司赢得更多的订单机会。

使用公司研发的650VTGBT,搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品,已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户,助力TGBT销售量的增长。

在TGBT领域,公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场,以期差异化提升产品价值。

④SiC器件方面：报告期内,公司加速SiC系列产品的研发和量产工作,通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作,已经推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品,形成了丰富的产品规格供客户选择。

报告期内,公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段；公司率先推出了性能优良的1400V系列产品,在充分发挥国内设计公司快速响应的优点的同时,成功解决了客户应用的痛点问题,该系列产品已通过客户的测试并获得订单；公司650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功,推进客户验证中；同时,更高电压的系列产品也在积极研发中。

公司自主研发的SiCMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的补充,同时公司也积极研发其他类型的SiC器件,如硅器件和SiCJFET的组合,沟槽型SiCMOSFET,以及超结型SiCMOSFET,以应对未来市场对第三代半导体产品的应用和性价比需求。

⑤功率模块方面：2025年,依托在功率器件和功率模块上的技术积累,公司模块产品已批量出货,产品聚焦储能、AIDC等大功率密度场景,并针对机器人领域进行小型化低压模块的开发。

高压领域,依托成熟的SMD3平台,产品涵盖SJMOSFET、IGBT及SiCMOSFET等,可广泛应用于新能源汽车OBC/DCDC、光伏逆变器、储能系统及算力服务器AIDC领域,展现出卓越的功率密度与热管理能力。

低压领域,公司于2025年推出了低压SGTMOS半桥/全桥模块,该系列产品显著降低了导通电阻（Rdson）与开关损耗,具备低寄生电感、优异的热阻表现及高功率密度封装等技术亮点。

其核心应用场景广泛,涵盖绿色能源与通信领域的高性能同步整流电源、特种交通工具如电动快艇及四轮低速电动车的驱动系统、无人机飞控电源及四足机器人关节驱动模组,以及汽车热管理系统,可以满足市场对高动态响应和高能效的严苛要求。

（2）公司致力于提升晶圆和器件级的电性测试与可靠性实验能力的构建与完善,推动实验室体系向更高标准迈进,良好的研发实验环境,能为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。

2025年上半年,公司实验室成功通过了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）标准实验室的认定,标志着公司在实验和测试能力、质量管理及测试数据公信力方面达到国际互认水平,进一步提升了公司在产品验证方面的专业性和权威性。

同时,全面导入实验室信息管理系统,实现了测试数据的数字化管理和全流程追溯,进一步提升了实验室的运营效率和管理水平。

在车规级可靠性验证方面,公司实验室已具备完整的测试能力,覆盖关键实验项目,确保产品在严苛环境下的长期可靠性。

实验室的快速检测能力大幅缩短了产品验证周期,使公司能够高效分析器件在不同应力条件下的性能退化规律,并快速反馈至设计与封装工艺优化环节,为产品研发和工艺改进提供了有力支撑。

一流实验平台的升级与完善,将为公司技术创新、产品可靠性提升及市场拓展提供坚实保障。

综上所述,报告期内,公司主营产品技术迭代和产品升级有序进行。

同时,在持续投入研发,提升测试实验能力的同时,公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术,通过持续的专利布局建立深厚的技术与市场壁垒,为技术创新构筑知识产权护城河,为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。

（三）供应链布局情况报告期内,公司在供应链协同方面持续深化。

在晶圆代工端,公司与华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等上游制造企业保持了稳定的业务与技术合作。

同时,为保障第三代半导体产品系列的研发与产能,公司与多家SiC代工厂展开深入合作。

通过前瞻性的采购策略,公司有效应对了产能的周期性波动,确保了产品交付的及时性。

此外,公司持续关注并协助代工伙伴进行创新工艺流程的开发,并根据其制造能力进行深度定制化的工艺与产品适配,实现了双方技术能力的相互促进与共同提升。

在封测端,公司整合供应链资源,强化了对封装与测试环节的协同管理。

公司与合作伙伴共同开发适用于不同产品特性的先进封装方案与高效测试策略,以此推动代工成本的优化与整体效率的提升,从而不断增强供应链的自主可控能力。

（四）产业链布局情况公司持续追踪优质资产与并购契机,基于业务协同、产业链上下游关系及公司战略规划,对风险收益进行充分评估与审慎决策。

公司在产业链上下游的投资布局,预期将在中长期显著提升协同效应,从而推动公司持续、快速、稳定及健康发展。

（五）股权激励情况报告期内,公司推出2025年限制性股票激励计划,向董事、高级管理人员及核心技术和业务骨干授予1,594,619股限制性股票。

公司致力于构建员工与企业共享发展成果的长期利益共同体,通过完善长效激励机制,激发核心人才的积极性与稳定性,促进核心团队与公司长期价值的协同成长。

2025-12-31 · 未来展望

(一)行业格局和趋势1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》,公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39）,所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。

（1）行业发展情况及市场概况1）随着全球电气化、数字化和智能化水平的持续提升,功率半导体已成为支撑工业自动化、新能源、轨道交通、汽车电子及消费电子等多个关键领域发展的不可替代的基础性产品,是半导体产业的重要组成部分,更是推动能源结构转型和产业升级的核心力量。

功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步,使得电能的利用更加高效、灵活和可靠,因此,功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。

功率半导体行业全球市场集中度高,尤其是高端功率器件领域以美、日、欧等国厂商为主导。

其中,高压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商为主导。

IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱、富士电机等厂商长期占据垄断地位。

功率半导体行业在我国则面临着更为复杂的局面,竞争格局较为分散,市场集中度较低,Fabless(无晶圆厂)和IDM厂商并存,高端产品依赖进口,中低端产品又深陷价格战的泥潭。

近年来,随着社会电气化程度的不断提高以及新技术的迭代与创新,国产功率半导体企业已取得较大进步,国内孕育出一批优秀的功率半导体器件企业,逐步从低端市场向高端应用领域持续渗透。

2）全球半导体市场情况,根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）于2026年3月发布的最终官方数据显示,2025年全球半导体销售额达7,956亿美元,同比增长26.2%,主要由AI和数据中心需求驱动。

从产品结构看,规模增长最大的是存储芯片,增幅达39%；其次为逻辑芯片,增幅38.8%；传感器增幅达10.4%。

同时,该机构预测2026年全球半导体市场将继续保持高速增长态势,销售额达到9,750亿美元,向万亿美元规模迈进。

3)我国半导体/集成电路市场情况,根据美国半导体行业协会（SIA）数据显示,2025年中国半导体销售额首次突破2,000亿美元,超过2,100亿美元,同比增幅超过15%,占全球总额约三成。

海关总署数据（“2025年1至12月部分出口商品主要贸易方式量值表<人民币值>”）显示,2025年中国集成电路出口总额达14,442亿元人民币,同比增长超27%,出口单价首次突破4元/个,双双创下历史新高。

从市场情况数据可以反映,随着库存水平的逐步调整和市场需求的有序恢复,功率半导体市场正在逐步回暖,但产品结构的增长差异,反映了市场需求的不均衡性。

2025年,全球半导体市场延续2024年的复苏态势,逐步进入周期性向上通道。

由人工智能（AI）算力爆发和全球能源转型两大核心引擎驱动,行业呈现出技术升级和市场竞争格局分化特征,存量博弈与增量开拓并存。

①市场与需求：需求结构转变,AI服务器的功率需求正迈向兆瓦（MW）级,对功率器件的密度、效率和散热提出极高要求,成为拉动高端功率半导体需求的新增长极。

清洁能源,光伏逆变器、储能系统等领域也持续贡献着稳定需求。

②技术与产品：以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体正加速渗透,以IGBT和MOSFET为代表的传统硅基器件,凭借成熟工艺和成本优势,与第三代半导体形成互补共生的格局。

③竞争格局：行业竞争日趋激烈,一方面,国内厂商在技术、产能和市场占有率上持续突破,国产化率稳步提升。

另一方面,行业内部聚焦不同赛道的企业表现迥异,成功卡位AI服务器等高增长赛道的企业,较容易获得业绩与竞争力的双重溢价。

聚焦于激烈竞争赛道的企业,受价格和产品结构影响,虽然营收增长,但盈利能力承压,呈现“增收不增利”的局面。

（2）行业的主要特点1）技术密集型,依赖特色工艺①功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新功率半导体器件属于特色工艺产品,在制程方面不追求极致的线宽,不遵守摩尔定律。

功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势,目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间,成熟制程主导,对先进工艺依赖较低。

功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。

②产品和材料多世代并存,生命周期长从器件结构看,二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等多代产品的出现并非简单的替代和迭代,而是因各自在功率、频率上的优势而长期共存互补,适应不同应用场景需求；从材料看,成熟的硅基材料与以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体,正共同构建起适应多元化应用场景的多材料并存格局。

③特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器,工艺平台越强大的企业,其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。

功率半导体行业应用领域的多样化,导致功率半导体产品根据客户定制要求所产生的细分需求也日益多元。

功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域,可交叉组合形成数千种产品型号,因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力,对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。

2）显著的周期性波动功率半导体行业具有强周期性特征,其发展与宏观经济和下游需求紧密相关。

①供需错配：产能扩张需要经历“晶圆厂建设-设备安装-工艺调试-良率爬坡”等漫长过程。

当下游需求快速增长时,供给难以迅速跟上,导致供不应求；反之,则可能引发产能过剩和价格战。

②库存周期：行业会经历“被动去库存”到“主动补库存”的循环。

在需求预期乐观时,厂商会主动增加库存以应对订单,推动行业上行；而在需求疲软时,则会降价去库存,加速行业降温。

3）产业链高度协同与特定经营模式功率半导体产业链条长,涵盖原材料、设备制造、芯片设计、晶圆制造、封装测试等多个环节,各环节紧密相连。

①IDM与Fabless模式的并存,Fablite模式的崛起半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。

IDM模式为垂直整合元件制造模式,系早期半导体企业广泛采用的模式,采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节,IDM模式具有技术的内部整合优势,有利于积累工艺经验,形成核心竞争力,但由于半导体行业的周期性,IDM公司容易受制于原有固定产能,从而陷入被动局面。

Fabless模式指无晶圆厂模式,采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售,将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。

随着芯片终端产品和应用的日益繁杂,芯片设计难度快速提升,研发所需的资源和成本持续增加,促使全球半导体产业分工细化,Fabless模式也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。

近年来,一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角,即在保留部分内部制造能力的同时,将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂,兼具IDM与Fabless优势的混合模式,旨在降低投资风险,提升企业的灵活性,有效控制成本。

4）全球寡头竞争与国产替代加速全球功率半导体市场集中度较高,呈现寡头竞争格局,尤其在高端领域集中于少数几家头部企业,国内企业仍处于充分竞争阶段。

①国际巨头主导：以英飞凌、意法半导体、安森美等为代表的欧美日企业,凭借先发优势、技术积累和齐全的产品线,长期占据全球中高端市场的主导地位。

②国产替代加速：中国是全球最大的功率半导体消费国。

在政策扶持和市场需求的双重驱动下,本土企业快速崛起,在关键领域不断取得技术突破,市场份额持续提升,国产替代进程深化。

（3）主要技术门槛功率半导体行业属于技术密集型行业,技术壁垒较高。

功率器件的性能不仅取决于电路设计,更与制造工艺深度绑定。

功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术,需要具备“特色工艺”平台的定制化能力,针对不同的电压、电流和应用场景,开发特定的工艺平台,这对企业的工艺开发经验和技术积累提出了极高要求。

在功率半导体器件中,超级结MOSFET、SGTMOSFET、IGBT、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高,上述这些功率器件中,器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升,另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。

研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法,另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。

功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作,还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡,这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。

此外,下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求,还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求,研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。

因此,企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力,而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品,才能持续保持市场竞争优势地位。

新进入者若缺乏上述的条件,则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。

2、公司所处的行业地位分析及其变化情况基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力,公司不断深耕市场,已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。

公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉。

2025年,公司超级结MOSFET/OSG65R038HZF产品,荣膺第二十届中国芯“优秀市场表现产品”奖,这也是公司第三次斩获“中国芯”系列荣誉。

公司功率器件产品技术领先,体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。

公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。

在超级结MOSFET领域,公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术,产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。

在中低压屏蔽栅MOSFET领域,公司积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制造中的核心技术,产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。

在IGBT领域,公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新,该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段,性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。

在第三代半导体领域,公司的SiCMOSFET、SiCMOSFET、SiCSBD已经实现量产,性能指标和同类型竞品对比优势明显。

公司持续在第三代半导体领域投入研发,同步推进高性能SiCJFET、GaNHEMT等器件的开发工作。

在功率模块领域,公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队,报告期内,公司模块产品线实现了关键性的技术跨越,形成了覆盖全电压等级的完整解决方案,并在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控以及车载热管理系统等应用领域逐步量产。

公司将会持续在功率模块领域投入研发,为客户提供更高功率密度电源的模块解决方案。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势（1）新技术的发展情况及未来发展趋势1）持续追求高效能与低功耗目标为应对全球能源危机与日益提升的环保要求,半导体功率器件需要不断提升电能转换效率,降低功耗,以满足节能减排与绿色低碳发展需求。

这要求半导体功率器件在设计和制造环节中不断优化器件结构、材料体系和工艺技术,实现更高转换效率与更低导通、开关损耗。

同时,下游应用场景的多元化与精细化,也将进一步推动功率器件向高性能、定制化、差异化方向发展。

2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的,作为电能转换与电路控制的核心,随着传统硅基材料逐渐逼近其物理极限,性能提升空间收窄,新型材料可以突破传统材料的固有局限,提升器件耐压、开关频率与高温稳定性,满足高压、高频、高效的严苛应用场景需求。

3）功率器件模块和分立化的各施所长,相互渗透低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺来提升性能,同时低压大电流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。

一方面,在传统的中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。

由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂,制造难度更大,这使得芯片+模块的整体价值变高；在小功率应用场景中,功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积,以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。

另一方面,无论是以特斯拉为代表的造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司,都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度,不断推出散热能力更佳的封装形式,通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。

如特斯拉公司推出的顶部散热T2PAK,英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。

这类封装的优势体现在更易实现的高可靠性、可评测性,更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。

所以,未来几年功率器件的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长,相互渗透。

4）国产化进程加速半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。

晶闸管、MOSFET和IGBT等关键技术在其各自的应用领域内持续突破,而新型宽禁带半导体功率器件如碳化硅和氮化镓等也正在加速渗透,其应用边界不断拓展。

我国在半导体功率器件领域的研发投入正在不断加大,通过自主创新与引进先进技术的结合,在MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上均取得了显著进展。

尽管与国际先进水平相比,我国在产业规模、技术水平和产业集中度上仍存在一定的差距,但这一差距正在逐渐缩小。

（2）新的市场应用领域及未来发展趋势1）服务器市场及人工智能数据中心建设在人工智能应用需求的持续驱动下,服务器产业正步入长周期高速增长阶段。

数据中心作为人工智能发展的关键基础设施,伴随海量数据的产生、传输与计算处理需求,迎来新一轮建设热潮,并推动传统数据中心（IDC）向人工智能数据中心（AIDC）加速演进与转型。

尽管全球经济呈现增长动能不足的态势和地缘政治紧张局势带来不确定性,但AI基础设施的加速推进,已成为超越传统经济周期的核心力量,成为定义全球科技市场走向的首要力量。

根据IDC数据,2025年全球服务器市场规模达到创纪录的4,441亿美元,同比增幅达到80.4%。

第四季度单季营收更是突破1,253亿美元,同比激增52.4%。

IDC发布的《中国半年度加速计算市场（2025上半年）跟踪》报告显示,2025上半年中国加速服务器市场规模达到160亿美元,同比增长超过一倍。

IDC预测,到2029年,中国加速服务器市场规模将超过1,400亿美元。

加速服务器专为AI训练与推理、高性能计算等复杂任务设计,正在人工智能、科学研究等领域成为不可或缺的基础设施。

IDC还在报告中指出：超大规模数据中心和云服务供应商继续引领投资需求,而传统的本地部署领域在支出方面仍然保持谨慎；GPU、DRAM、SSD等关键组件价格的剧烈波动,需求在短期内持续碾压供应能力,成本压力很可能在2026年更加猛烈地冲击整个产业链,导致对长期合同的需求增加,整个行业也在适应新的形势。

为满足AI算力场景下高效率、高功率密度及高精度供电的严苛要求,服务器电源系统、CPU与GPU主板供电模块广泛采用多种功率半导体器件及电源拓扑技术,包括SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、高密度功率模块、栅极驱动芯片（GateDriver）及DrMOS等核心功率器件,同时结合PFC、LLC谐振变换、同步整流等拓扑结构与高效散热方案。

上述功率半导体器件与配套技术,是保障服务器电源系统实现高效能、高功率密度及稳定精准供电的关键支撑。

2）新能源汽车及充电桩领域①新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间,电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平,高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。

为实现能量转换及传输,新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件,其中的功率半导体含量大大增加。

从半导体种类上看,汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。

随着汽车智能化发展,ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。

在器件层面,高效的IGBT、SiC或GaN器件,通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性,最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。

在系统层面,随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合,通过智能化可将参数优化程度提升,利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。

在整车层面,可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接,实现能效互补。

根据中国汽车工业协会最新发布数据显示,2025年,我国汽车产销累计完成3,453.1万辆和3,440万辆,同比分别增长10.4%和9.4%。

其中,乘用车年度产销首次双超3,000万辆,商用车回到400万辆以上景气区间；新能源汽车产销量分别完成1,662.6万辆和1,649万辆,同比分别增长29%和28.2%,国内销量1,387.5万辆。

新能源汽车全年新车销量占比达47.9%,较上年同期提升了7个百分点,显示出强劲的市场替代效应。

数据来源：中国汽车工业协会同时,中国汽车工业协会预测,2026年新能源汽车销量有望达到1,900万辆,同比增长15.2%；汽车出口预计达到740万辆,同比增长4.3%,主要终端应用的稳定增长,将为功率半导体等核心部件奠定稳固的基本需求。

尽管市场前景广阔,但国内新能源车行业“内卷”现象显著。

一方面,产能快速扩张,另一方面,企业间价格竞争激烈,“增产不增利”的局面导致行业经营压力巨大。

2025年,我国汽车行业销售利润率已降至4.1%,低于下游工业企业平均水平,这表明从整车生产到终端销售的整条产业链都在承压,企业需要在技术创新与成本控制之间积极平衡。

国内自主品牌新能源车型的加速出海,将有望推动全球新能源车的转型进程和渗透率提升。

②根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布的数据,截至2025年12月底,我国电动汽车充电设施数量达到2,009.2万个,正式突破2,000万大关。

其中,公共充电设施（枪）471.7万个,私人充电设施（枪）1,537.5万个。

目前,我国已建成全球最大的电动汽车充电网络,支撑了超4,000万辆新能源汽车的充电需求。

为推动充电设施的高质量发展,国家层面密集出台了相关政策。

2025年7月,国家发改委等四部门印发《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》,明确定义大功率充电设施为单枪充电功率达到250kW以上的设施,并在规划、应用场景、要素保障、技术标准等方面给予了指引。

同年9月,国家发展改革委、国家能源局等六部门联合印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案（2025—2027年）》,进一步明确了今后一段时期充电设施发展的目标和行动路径,为行业的持续扩张提供了顶层设计和政策保障。

在政策的引导和市场的驱动下,快充技术实现了快速突破。

液冷、油冷、兆瓦超充、超静音、V2G（车网互动）、光储充一体化等新技术不断涌现,其中充电效率的质变是近年最显著的技术升级。

2025年,充电设施的功率结构显著上移。

根据国家充电设施监测服务平台数据,全国公共充电桩额定总功率达到2.20亿千瓦,平均功率约为46.53千瓦,同比提升33%。

在结构上,大功率充电设施也在加速布局,其中250kW以上的大功率充电枪保有量已达202,752个,尽管目前占比尚不高,但已成为未来发展的重要趋势。

充电桩的核心部件是充电模块,而功率器件（如IGBT、MOSFET）和功率模块作为高速电子开关,通过精确、快速地导通和关断,完成电能的形态转换。

如SiC器件具有更高的效率、更快的开关速度和更强的耐高温能力,它能让充电模块体积更小、功率密度更高,是实现大功率超级快充（如250kW以上）的关键技术。

功率器件和模块的性能直接决定了充电桩的充电速度、安全性、效率和可靠性,是支撑新能源汽车快充体验背后的核心技术。

3）光伏逆变及储能领域根据国家能源局发布2025年光伏发电建设情况：2025年全国光伏新增并网容量3.17亿千瓦,同比增长14%,其中集中式光伏新增1.64亿千瓦,分布式光伏新增1.53亿千瓦；截至2025年底累计并网容量12亿千瓦,同比增长35%,其中集中式光伏6.7亿千瓦,分布式光伏5.3亿千瓦。

随着全球能源结构的转型和可再生能源比例的提升,光伏行业的市场需求将有望持续增长。

分布式光伏和BIPV（建筑一体化光伏）等新兴应用场景将成为市场增长的重要动力。

光储市场的爆发将直接拉动功率器件的需求增长,并倒逼其向高效、高压、高可靠性演进；而功率器件的技术进步又成为光储系统降本增效的关键支撑。

两者形成相互驱动、协同发展的闭环关系。

2025年,全球储能市场继续保持高速发展态势,根据CNESADataLink全球储能数据库不完全统计,全年新增投运电力储能项目装机规模首次突破100GW,达到123.9GW,同比增长49.3%,新型储能新增装机占比超过90%,达到113.3GW/305.8GWh,同比增长52.9%/72.0%。

其中,中国新型储能新增装机连续四年位居全球首位,2025年新增投运新型储能项目规模达到66.4GW/189.5GWh,同比增长51.9%/72.6%,在全球市场的占比达到58.6%。

截至2025年底,我国已投运电力储能项目累计装机规模213.3GW,占全球市场总规模的43.0%,同比增长54%。

新型储能累计装机规模达到144.7GW,占国内电力储能总规模的2/3以上,较“十三五”期末实现45倍增长,在全球新型储能市场中的占比首次过半,达到51.9%。

中国新型储能累计装机规模（单位：GW）,数据来源：CNESADataLink全球储能数据库CNESA还对2026年—2030年中国新型储能市场规模进行了预测：在保守场景（政策执行、成本下降、技术改进等因素未达预期）下,预计2030年新型储能累计规模将达到371.2GW,2026年—2030年复合年均增长率（CAGR）为20.7%；在理想场景（未来几年中国新能源加速发展）下,预计2030年新型储能累计规模将达到450.7GW,2026-2030年复合年均增长率（CAGR）为25.5%。

从全球储能供需格局看,地缘政治、政策、刚需等驱动因素下,储能战略地位有望持续提升,需求端保持高增速。

从应用模式来看,储能技术的不断创新将推动产业升级,中国储能市场正呈现大型化、规模化、多元化并行的趋势。

《储能产业研究白皮书2026》显示,独立储能已成为主要发展模式,伴随AI算力需求的爆发,人工智能数据中心场景的储能项目正在加速布局。

应用场景从传统的发电侧、电网侧和用户侧,向交通、工业、建筑等多领域渗透。

4）5G基站和通信电源领域根据工业和信息化部发布的数据显示,2025年,我国通信业电信业务量收保持平稳增长,优势领域不断巩固,顺利完成各项发展目标任务。

其中,截至2025年底,我国5G基站数达483.8万个,平均每万人拥有5G基站34.4个,高于“十四五”信息通信行业发展规划建设目标8.4个。

5G基站采用MassiveMIMO等技术,单扇区输出功率从4G的40-80W提升至200W以上,同时基带处理单元（BBU）功率超过1000W,这种高功率需求推动5G通信基站建设需要大量的功率半导体器件,尤其是氮化镓（GaN）等新型器件,凭借其高功率密度、高频特性和高效能,成为5G基站射频功率放大的核心选择,其耐高压、耐高温特性,又能使基站模块实现小型化设计,降低部署成本。

5G网络的建设和运营需要大量的通信电源设备来支持,这将直接推动通信电源市场规模的增长。

随着5G通信技术的逐步普及和应用,通信电源市场有望进一步扩大。

据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）调研团队最新报告“全球通信电源系统市场报告2025-2031”显示,预计2031年全球通信电源系统市场规模将达到88.9亿美元,未来几年年复合增长率CAGR为6.0%。

通信电源系统,按市场规模和产品应用而言,通信基站是最大的下游市场和最主要的需求来源。

功率器件不仅是基站电源和通信电源的必要组成部分,更是支撑5G高效率、高功率密度、高可靠性需求的关键技术要素,随着5G基站、数据中心、物联网设备的普及,对通信电源产品的需求呈现出多样化特征,不同应用场景对电源系统的要求各不相同,行业从业者需要不断创新以满足这些需求。

5）机器人领域2025年被广泛认为是人形机器人发展的关键元年,“具身智能”和“智能机器人”首次写入2025年政府工作报告,标志着国家层面的战略支持升级；2026年2月,人形机器人与具身智能标准化（HEIS）年会在北京召开,会上正式发布《人形机器人与具身智能标准体系（2026版）》,该体系由工信部标委会组织编制,是我国首个覆盖全产业链、全生命周期的国家级标准顶层设计,标志着国内人形机器人产业迈入标准化发展新阶段。

根据IDC《全球人形机器人市场分析》报告数据显示,2025年全球人形机器人出货量约1.8万台,同比增长约508%,中国厂商主导行业规模化商用,占据核心市场份额。

根据中国信通院《人形机器人产业发展白皮书(2025)》数据显示,2025年中国人形机器人市场规模突破85亿元,占全球比重超50%。

高工机器人产业研究所（GGII）预测,2025年全球人形机器人市场销量有望达到1.24万台,市场规模63.39亿元；到2030年全球人形机器人市场销量将接近34万台,市场规模将超过640亿元；到2035年,全球人形机器人市场销量将超过500万台,市场规模将超过4,000亿元。

人形机器人对功率器件选择主要围绕两大核心需求,强大的运动控制能力和高效的能源管理能力。

关节电机驱动作为核心应用,是功率器件用量最大、技术要求最高的部分,一台人形机器人通常有30-40个甚至更多的关节（执行器）,每个关节都需要功率器件来驱动电机；电源管理系统中,功率器件负责电压的升降转换,以及充放电保护,确保机器人各模块获得稳定电力,并提高能源利用效率,延长续航时间。

二、经营情况讨论与分析公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。