华润微 688396

公司是中国领先的拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业,产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制等领域,为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。

公司产品设计自主、制造全程可控,在功率半导体领域已具备较强的产品技术与制造工艺能力,形成了先进的特色工艺和系列化的产品线,公司主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块。

公司是中国本土领先的以IDM模式为主经营的半导体企业,同时也是中国本土最大的功率半导体企业之一。

（一）报告期内公司经营情况报告期内,公司实现营业收入110.54亿元,较去年同期增长9.24%；实现归属于母公司所有者的净利润6.61亿元；报告期末公司总资产为305.90亿元,归属于母公司所有者权益为229.81亿元。

报告期内,公司积极开拓市场,持续优化产品结构,保持了较高的产能利用率,营业收入有所增长；但公司参股的两条12吋生产线项目,其中重庆12吋处于产能完成爬坡和收入逐步增长的阶段,另外深圳12吋处于产能爬坡的阶段,重资产投资所带来的折旧对公司利润指标造成了一定影响。

（二）报告期内公司业务发展情况1、产品与方案业务板块公司产品聚焦功率半导体、智能传感器和智能控制等领域。

（1）产品与方案板块按照下游终端应用分析报告期内,公司产品与方案板块下游终端应用主要围绕四大领域,其中泛新能源领域（车类及新能源）占比44%,消费电子领域占比34%,工业设备占比12%,通信设备占比10%。

受益于AI应用对终端需求的带动以及公司对新兴领域机遇的把握,公司各领域营收均实现同比增长。

泛新能源领域作为业务基本盘,增长表现突出,其中光储领域随着“算电协同”加速落地,出货量同比大幅增长；汽车电动化与智能化持续深入,公司车载功率器件及控制芯片已广泛应用于车身、智能驾驶、底盘及动力系统等整车场景,单车配套价值量稳步提升。

与此同时,公司围绕数据中心、机器人、智能终端等场景,构建以功率器件、传感器、智能控制为核心的完整产品矩阵,广泛覆盖AI云端与端侧应用。

在AI服务器领域,公司围绕DrMos功率模块、多相电源控制器、板级POL、硅基及第三代半导体器件等产品进行布局,已实现硅基与第三代半导体产品的批量供应,持续拓展算力基础设施市场。

（2）重点产品分析MOSFET产品：报告期内,受益于全球能源转型和智能产业升级,MOSFET产品在汽车电子、工业自动化、AI算力等领域实现市场拓展和价值提升。

整体销售规模特别是SJMOS、SGTMOS等核心品类均实现显著增长,巩固公司在国内功率半导体行业的领先地位。

车规级MOSFET产品已形成全场景覆盖,并在OBC、智能座舱、域控制器等汽车关键领域规模化应用。

同时,依托先进产品平台,成功拓展AI算力、机器人、低空经济等新兴领域。

IGBT产品：报告期内,IGBT在工业（含光储）、汽车电子领域销售占比超过70%。

在充电桩市场,实现头部客户稳定供货,并成功导入多家新客户。

其中,车规级IGBT产品批量供应汽车电子动力总成、热管理、OBC等领域头部客户及Tier1厂商；电动工具市场已完成头部客户批量交付；公司率先推出750V高性能IGBT产品,在光储市场实现稳步上量。

同时,基于12吋生产线研发的新一代G7平台规模量产,产品性能达到国际一流水平。

第三代宽禁带半导体：报告期内,公司在第三代宽禁带半导体领域取得显著进展,SiC和GaN产品均实现重要突破。

（1）SiC：碳化硅功率器件及模块产品销售收入实现翻倍以上增长。

SiCMOSG3/G4平台Rsp性能达到国际先进水平,已形成650V/750V/1200V系列化产品矩阵,在商用车主驱、大功率快充模块实现批量供货。

SiCJBSG3产品稳定交付,广泛应用于光伏逆变、储能、充电桩等领域。

针对数据中心和光储系统需求,已完成1700V/2200V电压平台产品的开发与量产。

车规级SiCMOS及碳化硅模块研发稳步推进,多款产品实现批量上车应用。

新一代SiCMOSG5、SiCTrenchJFETG1产品研发进展顺利,预计2026年量产上市。

SiCJBS项目荣获中国质量协会奖项,品牌影响力持续提升。

（2）GaN：氮化镓外延中心正式启用,产能扩充有序推进。

D-mode650VG5平台多款产品进入量产阶段,关键技术与客户突破成效显著。

公司推出的第四代D-modeGaN系列新品,该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、机器人关节驱动、高端快充等高增长领域,为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景,提供更高效、更紧凑的能源解决方案。

E-mode40V平台通过超高可靠性验证,获头部客户认证及订单,工艺性能行业领先；同步面向工控大功率电源、数字服务器电源的产品,开发80V/100V/650V平台。

模块产品：报告期内,公司功率产品模块化战略成效显著,形成IGBT模块、SiC模块、IPM模块、TMBS模块等多品类协同发展格局。

（1）IGBT/SiC模块:针对工业变频器、工业电源、OBC等应用场景,系列模块产品实现批量稳定供货。

其中,OBC半桥模块已在多家头部客户批量供货,同时布局小型化模块,为下一代OBC应用储备产品。

商用车主驱领域,IGBT模块、SiC模块已在头部客户实现批量交付；公司在新一代芯片和新型封装方面完成完备布局。

（2）IPM模块:IPM模块在白色家电、工业控制等主流应用领域核心场景销售占比超过80%,在白电市场实现头部客户深度突破,成功导入多家一线品牌主力机型,批量交付规模持续扩大,加速国产替代进程。

同时,新一代混合SiC、二合一高性能IPM产品完成研发与市场推广,凭借高效率、高功率密度、高可靠性获得下游广泛认可,有力支撑高端变频、节能化应用需求。

（3）TMBS模块：核心产品持续上量,工艺与性能位居行业前列,依托与行业标杆客户的紧密合作,持续扩大销售规模。

功率IC、智能传感器及智能控制产品：公司积极拓展汽车电子与新能源市场,车规领域成果突出：多颗车规级芯片通过AEC-Q100车规考核认证；高性能车载全波段无线接收调谐器芯片QX300已通过AEC-Q100全项认证,在高速、隧道、复杂电磁环境及极端温度下,持续为全球车主提供清晰、稳定的收听体验,成功进入10家头部Tier1供应链。

车载超声波雷达驱动及信号处理芯片CS7209荣获《2025中国创新IC-潜力新秀奖》；降压型LED恒流驱动器QPT4115荣获《2025年度汽车电子•金芯奖》创新应用奖。

2、制造与服务业务板块公司具有对外提供规模化掩模制造、晶圆制造与封装测试的能力,通过加快创新步伐,夯实核心能力,持续进行晶圆工艺和封装能力提升,进一步掌握核心技术并建立差异化核心竞争力。

同时通过质量体系完善、推行智能制造等方式提升市场竞争力,为客户提供高质量服务。

（1）制造工艺平台报告期内,公司BCD及特色工艺重点技术持续迭代升级,核心技术竞争力持续增强,工艺特性保持国内领先。

新一代高性能数字BCD、高精度CMOS、1200VHVIC、CMOS-MEMS单芯片集成喷墨打印头等多个技术平台进入规模量产,并发布了0.15um深槽隔离BCD、0.18um700VBCD、0.25umSOIBCD等技术平台。

公司依托特色工艺制造能力在智能家电（含IPM）、工业马达、汽车电子BMS、信创喷墨打印等领域实现了突破,工控汽车电子产品销售额占比提升至27.2%,智能感知MEMS热点应用领域的销售额同比增长21%。

其中,喷墨打印头业务采用单一应用产业链一体化服务的销售模式,成为了国内首家具备提供ASIC+MEMS全流程一站式服务能力的企业,填补了国内技术空白。

（2）封测工艺平台报告期内,封测业务整体销售额同比增长24%,封测业务不断完善封装平台,突破关键工艺,完成先进功率、面板封装领域多个封装平台建立,2.5D封装实现突破,PSiP平台具备量产能力,完成IGBT大模块HPDDTS技术开发,实现了在大功率车规主驱灌封模块零的突破。

报告期内,封装品类业务产能利用率同比实现较大幅度提升。

先进封装（PLP）业务营收同比增长14%,主要客户及工艺门类均有较大幅度提升,其中SiP模块封装实现了大规模量产。

先进封测基地润安项目功率封装业务营收同比增长63%,其中IPM模块封装实现了大规模量产。

（3）掩模业务报告期内,掩模业务营业总收入同比增长40%,技术研发持续突破,90nm技术节点稳步推进客户验证；40nm技术节点已实现研发量产,为产品迭代奠定基础；下一技术节点的研发按计划启动。

高端掩模新线运营成效显著,产能利用率超90%,新品良率稳定在98%以上,准时交付率接近100%,有力支撑了业务增长。

(一)行业格局和趋势主流机构预测2026年全球半导体营收增长区间为26%-30.7%。

WSTS预测2026年全球半导体营收同比将增长26.3%,达到9,750亿美元。

按细分品类看,2026年增速最快的前三名是存储和逻辑IC,分别增长39.4%、32.1%。

受汽车和工业需求影响,微处理器/控制器、分立器件分别增长13.9%、8.2%。

模拟芯片触底回升明显,同比增长7.5%。

根据SIA预测,2026年全球半导体收入将增长至1万亿美元,同比增长26%。

市场调研机构Omdia预测,在人工智能、高性能计算需求增长的推动下,2026年全球半导体市场将达到1.03万亿美元,同比增长30.7%。

其中,存储领域增幅有望超过90%,非存储领域预计增长41.4%。

(二)公司发展战略公司是中国领先的拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业,产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制等领域,为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。

公司产品设计自主、制造全程可控,在分立器件及集成电路领域均已具备较强的产品技术与制造工艺能力,形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。

未来公司将围绕自身的核心优势、提升核心技术及结合内外部资源,不断推动企业发展,进一步向综合一体化的产品公司转型,矢志成为世界领先的功率半导体和智能传感器产品与方案供应商。

公司将立足功率半导体的核心主业,紧密围绕“双碳”目标下的能源结构转型与智能化升级浪潮,深耕新能源汽车、光伏储能、工控、数据中心及高端消费电子等高速增长的市场。

通过持续的技术创新与产能扩张,巩固并提升在进口替代市场中的领先地位,不断推出更具竞争力的技术与产品解决方案。

鉴于半导体行业是技术、资本与人才高度密集的行业,其发展由技术创新能力、先进制造能力、供应链保障能力及市场应用能力共同驱动。

公司顺应行业趋势,从产品进阶、技术突破、产能保障、生态构建及人才建设等多维度制定发展战略,以确保长期可持续发展。

具体实施的措施如下：1、锚定高增长赛道,深化产品与客户结构升级公司战略聚焦硅基功率产品、第三代半导体、传感器及光芯片三条业务增长曲线。

在新能源汽车领域,持续扩大IGBT、MOSFET等硅基产品的市场份额,并重点推进碳化硅（SiC）主驱逆变器模块等高端产品的客户导入与量产。

在光伏储能领域,提升模块及单管产品的渗透率与定制化解决方案能力。

同时,积极布局AI数据中心、机器人等增量市场,推动产品结构向高效率、高可靠性、高集成度的方向演进,并持续优化客户结构,深化与行业头部客户的战略合作。

2、加码前沿技术研发,构筑第三代半导体先发优势公司将持续加大研发投入,以构建长期技术护城河。

核心是以6吋、8吋成熟工艺平台为基础,充分发挥12吋先进产线的技术优势,进行基础工艺与特色工艺的深度开发。

重点包括：第三代半导体方面,全力推进碳化硅（SiC）MOSFET、二极管及模块的全产业链技术攻关与规模化生产,加速氮化镓（GaN）器件在AI数据中心等领域的产业化进程,形成差异化的竞争优势。

先进封装方面,加强功率模块的先进封装技术研发与产能配置,提升系统级解决方案的价值。

对外合作方面,积极探索与国内外顶尖科研机构、高校及拥有核心技术的团队合作,加速前沿技术的成果转化与产业落地。

3、强化全产业链一体化能力,保障供应链安全与产能弹性为巩固IDM（垂直整合制造）模式的优势,公司持续优化“两江三地”（成渝双城、长三角、粤港澳大湾区）的战略布局,确保重大项目建设按计划推进,为中长期增长提供可靠的产能保障。

深化“四链融合”：持续推进以创新链、产业链、生态链、改革链为核心的发展体系,将其作为实现战略目标的主要抓手。

保障供应链安全：通过与国内领先的设备及材料厂商深化合作,共建国产化验证平台,在推动国产供应链技术升级的同时,增强自身供应链的韧性与安全。

积极外延发展：在强化内生增长的同时,密切关注市场机遇,审慎寻求对具备核心技术与产品优势的标的进行并购整合,以实现业务的协同与跨越。

4、完善人才发展机制,建设国际化一流团队人才是公司发展的基石。

公司将持续完善“引、育、用、留”的全周期人才管理体系。

精准引进：围绕功率IC、第三代半导体、智能传感等战略方向,大力引进全球范围内的领军人才与高端技术专家。

系统培养：建立健全技术与管理双通道发展路径,通过项目实践、校企联合培养（如共建实验室、实训基地）、海外培训等多种方式,加速核心人才的成长与梯队建设。

激发活力：持续深化市场化经营机制改革,优化激励与评价体系,营造鼓励创新、包容进取的文化氛围,打造支撑公司全球化发展的一流团队。

(三)经营计划1、以科技创新为引领,提升产品技术能力公司坚持长期价值导向,整合资源与技术优势,持续加大研发投入,优化产业结构,抢抓市场机遇,积极布局前瞻性研发项目,攻克关键核心技术,为科技创新多元化应用筑牢基础,提升产品技术能力。

MOSFET产品：依托12吋晶圆生产线技术优势,加速MOSFET技术平台迭代与产品系列化,重点推进中低压分裂栅G5/G6、高压超结G4/T4/T5等平台研发及量产。

深耕汽车电子、工业控制、数据中心（AI算力）、机器人等应用领域,推动营收稳健增长,持续提升国际市场地位。

IGBT产品：充分发挥8吋和12吋晶圆生产线产能与技术优势,加速IGBT、FRD技术平台升级,丰富汽车电子、工业控制、新能源等领域的产品组合第三代宽禁带半导体：依托IDM全产业链优势及功率器件产品配套能力,加速SiC、GaN技术平台迭代升级与产品系列化布局。

面向汽车电子、数据中心、充电桩、光储逆变、高端消费等核心市场,输出高性价比的产品解决方案,拓宽客户覆盖,带动营收规模快速增长。

模块产品：IGBT模块依托重庆先进封测基地,加速车规级产品的研发、送样、验证和市场推广,驱动产品快速上量；SiC模块持续提升研发、制造、测试全流程能力,实现从商用车到乘用车主驱模块的技术跨越,拉动主驱模块营收快速增长。

同时,基于领先的SJMOS平台和自有MSOP8/9封装产线,迭代并拓展SJMOS半桥模块,通过封装技术升级降本,围绕车载充电器(OBC)及各类电源产品精准推广,扩大市场销量；IPM模块加速HVIC、IGBT、FRD技术平台迭代,优化产品结构,提升核心竞争力。

深耕白色、工控等核心赛道,拓展中大功率工业控制和新能源应用,提升头部客户渗透率。

加速混合碳化硅、二合一IPM产品上量,积极推进1200V、三代半导体等高密度IPM新品研发落地；TMBS模块持续迭代技术,保持TMBS产品领先优势,深化光伏头部客户合作,拓宽客户圈层。

依托产品升级与深度绑定核心客户,TMBS模块光伏领域市占率稳居行业第一梯队,技术对标国际一流,成为国内TMBS细分领域龙头企业。

功率IC、智能传感器及智能控制产品：MCU业务立足8吋与12吋组合系列化产品,针对消费、家电、工业及AI新兴市场,打造方案定制化产品矩阵；PMIC业务持续完善消费类产品布局,巩固细分赛道优势,围绕智能家居场景,系列开发电源管理、电机驱动产品,提供全系统解决方案,聚焦工控、光储充及AI服务器电源,研发高可靠性电源管理及栅极驱动产品。

同时,针对汽车电子ECU、车用照明、锂电管理及前瞻车载应用,全域布局系列化产品。

2、以高质量发展为中心,提升工艺和制造能力（1）参股的重庆12吋功率半导体晶圆生产线项目充分发挥12吋晶圆产线技术优势和产能规模,产品聚焦MOSFET（SJ/SGT）、IGBT高价值品类,市场聚焦新能源、工控、AI算力、汽车电子等高端场景,形成国内领先的车规级功率半导体平台,在2025年度达成3万片/月产能的基础上,2026全年保持较高的产能利用率,积极挖掘产能并按照投资计划进一步做产能扩充。

（2）参股的深圳12吋集成电路生产线项目加快深圳12吋集成电路生产线项目产品线开发进度,着力突破55-40nm以上BCD、HV、RF、Flash等模拟特色工艺,重点聚焦MCU、电源管理、Driver、逻辑运算、存储、RF射频等产品,加速推进客户产品导入验证工作,预计2026年末产线产能将爬坡超3万片/月,并同步开展下一技术节点的工艺研发工作。

（3）先进封测基地项目公司将持续推动先进功率封测基地全面覆盖功率半导体产品模块封装、晶圆中道生产线、面板级封装、第三代半导体封装等技术领先门类,加快模块、功率器件新品开发及上量,稳定生产工艺,进一步增加模块产出及产值。

（4）高端掩模项目高端掩模技术研发将紧密围绕市场需求与量产目标展开。

2026年的核心任务聚焦实现40nm技术节点量产导入,并推动下一技术节点的研发取得关键进展。

公司将集中掩模业务的研发资源,优先攻克高端制程CD控制等核心工艺难题,完善产研销协同机制,精准响应客户需求,加速研发成果市场化转化。

3、以战略目标为指引,加强外延并购整合能力公司已完成投资团队的组建,建立了“无战略不投资,无研究不投资、无管理不投资”策略,编写产业链图谱,形成了并购/投资项目库,选定重点项目深化投资方案,储备细分行业内有独特优势及较高市场占有率的项目。

2026年将服务国家“十五五”规划纲要中“做精做细成熟制程,打好关键核心技术攻坚战”的战略部署,围绕公司“十五五”战略发展方向及供应链安全需求开展投研工作。

重点围绕深圳和重庆两条12吋生产线,力争通过外延并购加速布局功率半导体和智能传感器产品,全链条推动集成电路关键核心技术取得决定性突破,力求提升公司高端芯片产业水平。

4、以客户为中心,提升组织和管理能力公司为提升组织效能与管理能力,稳步推进组织重塑工作落地,构建以中央研究院为技术牵引,市场、运营、制造三大中心协同支撑的全新架构。

同时,重组功率集成事业群,新设智能传感器事业群。

在此基础上,坚持以客户为中心,成立面向特定终端场景的新兴行业事业部和海外业务发展部等敏捷型组织,优化大客户管理机制,增强对客户需求的系统化、精准化把握,提升大客户业务贡献,强化对新兴行业的前瞻洞察与规划,加大海外市场研究及拓展力度。

同时,公司将深化短中长期机制完善与优化,通过完善分类考核与激励、深化业绩导向与战略导向,进一步加大对科技创新人才的倾斜力度,全面推动科技人员收益与项目成果挂钩的激励机制。

持续深化短中长期激励机制的完善与优化,员工利益与公司发展深度捆绑,激发员工干事热情、创造长期价值。