锴威特 688693

2025年是公司全面深化“锴威特强基2.0”战略的关键之年。

面对宏观经济承压、半导体行业产能过剩、价格竞争加剧及下游需求结构性调整等复杂外部环境,公司坚定贯彻以“赋能、保质、控本、增效”的经营目标,确立“以应用牵引产品技术迭代”的发展路径,聚焦BLDC电机驱动、工业及车用电源、新能源与智能电网、高可靠电源及电机驱动四大核心应用场景,系统性重构产品体系,打造面向客户的一体化芯片解决方案,有效助力客户提升性能、降低系统成本,显著增强市场竞争力。

2025年,公司实现营业总收入25,456.78万元,较上年同期增长95.62%；实现归属于母公司所有者的净利润为-9,078.26万元,较上年同期亏损收窄640.67万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-10,332.05万元,较上年同期亏损收窄493.79万元,经营基本面持续改善,发展韧性不断增强。

报告期内,公司主要经营管理工作如下：(一)坚持创新驱动,强化技术核心优势2025年度,研发费用为8,379.59万元,同比增长42.85%。

报告期内,公司聚焦功率半导体领域的核心技术突破,紧密围绕市场发展趋势与下游客户需求,持续加大研发投入,强化研发人才培育,稳步推进产品研发与迭代升级,不断拓展产品系列,完善产品布局,全面提升自主研发能力和产品竞争力。

电源管理IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品,完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化,其中移相全桥控制IC完成AEC-Q100车规级认证,产品已通过部分终端客户验证,同时针对工业电源领域,开展研发集成SiCMOSFET的专用电源管理IC以及小型化的隔离电源专用芯片,广泛应用于数字隔离器、隔离接口电路、隔离驱动的供电；公司加大Buck、Boost等非隔离拓扑的研发工作,推出了输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品系列,同时展开1-8A同步buck转换器的研发以及采用SiP封装进行电源模块的研发,并推出公司首颗电源模块产品。

为了提高电源系统的转换功率及可靠性,公司相继推出理想二极管控制IC、浪涌抑制控制IC和高边开关控制IC三个产品子系列,其中理想二极管控制IC将耐压提升至+/-150V,为目前国内外耐压等级最高的产品,可以更好的满足72V、96V等电池系统的应用,浪涌抑制控制IC已完成多家客户端的验证,逐步进入量产阶段,高边开关控制IC推出100V智能高边开关控制器,具备完善的保护功能以及预充电功能；公司同时结合器件和IC的自身优势,展开研发100V和150V的理想二极管模块。

电机驱动IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品,推出针对电动工具领域专用的65V三相半桥驱动IC和针对工业伺服、慢速车市场的250V三相半桥驱动IC产品,同时展开SiCMOSFET专用的驱动IC产品研发。

针对公司拥有功率器件及驱动IC的基础上,公司推出了电机驱动用IPM模块系列,包括500V~600V集成2A-6AFRMOS的IPM模块、650V集成10ASiCMOS的IPM模块、100V集成10ASGTMOS的IPM模块。

在功率MOSFET方面：公司开发完善了沟槽MOSFET及SGTMOSFET的工艺平台优化和产品布局,开发了40V、60V、80V、100V、120VSGT工艺平台并完成了12寸晶圆产线的工艺开发。

SiCMOSFET方面：公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,与国内晶圆代工厂合作开发了750V、900V、1200V、1700V、2600V、3300VSiCMOSFET的生产工艺平台,并进行了优化与升级,其中1200VSiCMOSFET工艺平台已成功进入中试阶段,新推出2600V和3300VSiCMOSFET产品,目前产品进入小批验证阶段。

在知识产权方面,公司本期新获授权发明专利22项,集成电路布图设计专有权18项；截至2025年12月31日,公司累计共已获授权专利149项(其中发明专利103项、实用新型专利46项),集成电路布图设计专有权130项。

(二)深耕市场布局,推动营收稳步增长2025年度,公司销售费用2,230.99万元,同比增长14.55%。

报告期内,公司销售体系紧密围绕核心应用场景,深入推进客户结构优化与市场纵深布局,精准发力重点领域与高增长赛道。

公司深耕高可靠领域,成功实现多家重点客户导入与批量供货,持续强化在该领域的配套能力,夯实核心领域市场根基；同时积极拓展工业控制、消费电子及新兴市场,重点推动光伏、储能等新能源高增长赛道产品规模提升,带动整体销售额稳步增长。

公司同步重点强化应收账款管理,保障回款质量。

针对超期库存制定专项消化方案,加速资产周转,提升资金使用效率。

公司销售部门有效协同研发与运营等部门,快速响应客户差异化需求,为全年营收增长和客户生态建设提供了坚实支撑。

(三)坚守质量初心,筑牢品质竞争壁垒报告期内,公司持续完善覆盖产品全生命周期的质量管理体系,强化从设计开发、供应链协同、生产制造到交付服务的全过程质量管控,将质量要求贯穿每一个业务环节。

聚焦关键工艺瓶颈与客户关切问题,系统开展质量改进专项行动,有效攻克多项影响产品可靠性的技术难题,推动高难度产品的良率稳步提升。

公司深化供应商质量管理,建立现场审核、联合改进与责任闭环机制,对供应商进行全方位管控,不断提升来料与外协环节的一致性与稳定性,从源头保障产品质量。

同时,持续增强检验检测能力,广泛应用自动化检测手段,进一步拓展可靠性验证与认证资源,为车规级及高可靠领域产品的研发与交付提供了有力保障,全面支撑公司产品品质升级与市场竞争力提升。

(四)优化运营管理,强化交付保障能力2025年,公司运营体系围绕保障交付、提升效率为目标,全面强化产供销协同能力,推动运营管理提质增效。

建立重点产品保供机制与专项项目管理团队,精准对接FRMOS、TRENCH等产品线快速上量需求,高效统筹生产资源。

同步推进供应链资源整合,成功开发多家关键FAB及封测供应商,丰富供应链资源储备,并在成本优化方面取得显著成效。

公司着力打通新品工程批管理堵点,优化ERP系统逻辑,实现从需求提交到生产交付的全流程可视化管控,提升运营管控效率。

此外,公司持续提升仓储物流效率,进一步优化库存结构,为销售增长和客户交付提供了坚实、敏捷的运营保障。

(五)夯实治理根基,强化组织人才保障报告期内,公司持续完善法人治理结构,全面深化合规体系建设,健全覆盖资金运作、投资决策、信息披露、信息安全等关键环节的制度机制,推动合规管控向流程嵌入。

在ERP等核心系统建设中,前置合规控制节点,强化对高风险领域的全过程管理。

通过动态更新内控制度、开展多层次合规培训,持续提升董监高及关键岗位人员的合规意识,切实筑牢依法合规经营底线,为公司稳健发展和资本市场信誉提供了坚实保障。

2025年,公司系统推进组织能力建设与人才梯队培养,公司全年员工总数新增54人,同比增加28.42%,其中,因合并报表范围变化纳入子公司员工28人,通过内生外延共同发力,为公司高质量发展提供坚实人才支撑。

公司通过优化招聘渠道与流程,精准对接关键岗位人才需求；全面升级培训体系,上线“锴威特学堂”,重点强化产品类、专业技能类课程开发,精准匹配各岗位员工能力提升需求,支撑员工快速成长。

同时,深化绩效与试用期目标管理,严把人才入口关与转正关,确保人才质量；成功实施管培生定向培养计划,储备青年骨干人才,完善人才梯队建设。

在组织文化方面,积极开展员工关怀与品牌宣传活动,营造积极向上、协同奋进的团队氛围,持续激发团队活力。

综上,尽管2025年公司在经营管理、市场拓展和技术研发等方面取得了阶段性成效,但受行业价格竞争持续加剧及产品结构转型等因素影响,公司尚未实现盈利,整体盈利水平仍有待提升；同时,宏观经济波动与半导体行业周期性调整带来的不确定性,仍对公司经营发展构成一定挑战。

展望2026年,公司将立足2025年工作成果与经验反思,持续深化“管理赋能、执行保质、质量控本、协同增效”经营方针,聚焦核心赛道,加快优化盈利结构,强化股东回报机制,坚定不移推进高质量、可持续发展,努力实现经济效益与社会价值的双赢。

非企业会计准则财务指标的变动情况分析及展望。

(一)行业格局和趋势近年来,国际政治经济形势不确定性持续存在,国际贸易摩擦频发,外国对我国半导体产业的限制措施仍在延续,核心技术、设备及原材料进口面临一定制约。

在此背景下,国家持续出台多项产业扶持政策,推动半导体产业链自主可控进程深化,功率半导体作为半导体产业的核心细分领域,国产化替代进入加速推进的深水区,为国内功率半导体厂商提供了广阔的发展机遇。

我国功率半导体行业较西方国家起步较晚,虽在中低端领域已形成一定规模,但受企业规模、技术水平及产业链配套能力的制约,在高端功率半导体产品领域仍未形成整体规模效应,与国际龙头存在一定差距。

目前,功率半导体行业格局呈现“国际龙头主导、国内企业加速追赶”的态势：美、日、欧龙头公司如英飞凌、意法半导体、安森美等,凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和深厚技术积累,仍在高端领域占据主导地位；国内主流功率半导体厂商包括华润微、华微电子、士兰微、安世半导体、新洁能、东微半导等,在芯片设计或制造工艺方面积累日益深厚,市场份额稳步提升,其中士兰微、华润微等IDM模式企业凭借全产业链优势,在成本传导和产能保障上具备显著竞争力,新洁能等设计龙头则在技术迭代与客户拓展上表现突出。

同时,长三角、珠三角与成渝地区已形成功率半导体产业集聚带,逐步构建设计—制造—封测—应用的本地化闭环,进一步提升国内产业竞争力。

技术演进方面,第三代半导体加速渗透,SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）产品凭借高效能优势,在新能源汽车、AIDC数据中心等高端场景的应用逐步扩大。

行业普遍预测,未来几年国内新能源汽车SiC渗透率将显著提升,随着其与硅基器件的成本差距持续缩小,正推动行业产品结构向高端化升级。

此外,在功率IC领域,电机驱动IC市场规模持续扩张,近年来保持高速增长态势。

产品形态向高集成、智能化演进,BCD工艺成为主流,应用占比稳步提升,国产厂商在BLDC、工业伺服等领域取得突破,但高端车规级产品仍依赖进口。

(二)公司发展战略公司专注于功率器件与功率IC的设计、研发与销售,并提供相关技术服务。

公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,紧扣行业涨价周期与国产替代趋势,助力高性能功率器件、功率IC的国产化替代以及自主可控,将公司打造成高品质功率器件及智能功率IC的优秀供应商。

针对未来发展,公司制定的战略规划如下：1、功率器件方面公司将顺应市场需求,优化细分产品领域,重点扩大在高可靠领域、工业控制领域及新能源汽车等相关领域的销售规模,进一步提升总体收入规模和市场占有率；在SiC产品方面,加大产品系列布局,加快实现规模化销售,缩小与行业龙头的差距,重点布局1200V、1700V、2500V等主流电压段产品,适配新能源汽车、储能、智能电网等高端应用场景。

公司力争成为具有自主品牌影响力、规模稳定增长、技术专精、产品结构合理,且能有效应对成本波动的高品质功率器件半导体供应商。

2、功率IC方面公司将把握电机驱动IC、电源管理IC市场的增长机遇,拓展相关产品的客户范围和细分应用领域,重点发力新能源汽车、工业自动化、智能家电等下游高需求场景；深挖高可靠领域和工业级客户的市场潜力,聚焦BCD工艺升级与智能集成产品研发,丰富IP积累,推动更多功率IC产品实现国产化替代和自主可控,重点突破中高端车规级产品技术壁垒,不断扩大经营规模,实现作为专注于高可靠领域和工艺控制领域的智能功率IC优秀供应商的发展战略。

3、技术服务方面公司将在为客户提供更多的技术服务的同时,持续增强公司定义自主产品的能力,依托募投项目打造的测试与可靠性考核平台,提升服务质量与时效性,助力公司实现功率半导体产品和技术服务协同发展的战略,从而成为更多客户的首选供应商。

4、其他产品方面公司将加大对IPM、光继电器（PhotoMOS）等产品的人员与资金投入,强化研发与市场开拓力度,丰富公司的产品品类和技术积累,扩大此类产品的收入规模,形成新的利润来源,提升公司整体抗风险能力。

(三)经营计划1、各业务板块采取的具体措施（1）功率器件方面在功率器件领域,将基于现有产品与业务基础,持续深化技术迭代与产品布局。

通过丰富产品品类、强化技术优势,更好匹配不同客户需求,全面提升公司在功率器件领域的核心竞争力与市场份额。

延伸超高压平面MOSFET产品线开发与工艺迭代,持续优化设计与制造平台,进一步提升产品性能与市场竞争力。

拓展中低压大电流沟槽MOSFET及高压超结MOSFET的产品矩阵,完善工艺平台与系列化布局,满足工控、新能源、消费电子等多场景需求。

完成中低压器件SGT工艺平台固化,夯实技术基础,支撑后续产品迭代与批量交付。

优化完善SiCMOSFET工艺及设计平台,持续提升产品可靠性与性能,推进高压系列产品的客户验证与量产落地,支撑工商业储能、新能源汽车等新兴领域应用。

（2）功率IC方面围绕高可靠领域对功率IC需求的多样化及对功率密度、高可靠及智能化的要求,丰富公司产品谱系,构建完整的产品生态。

聚焦电源管理与电机驱动两大方向,推进PFC控制器、隔离PWM控制器、栅极驱动器、理想二极管控制器、浪涌抑制控制器、隔离驱动/反馈、非隔离DC-DC、LDO、基准源等电源管理类产品的系列化研发与客户验证；同时完善单相半桥、H桥、三相全桥及智能功率驱动等电机驱动类产品布局,覆盖更多电压与应用场景；同时利用高可靠领域的技术积累,积极向消费电子、工业控制领域拓展功率IC产品,与功率器件形成技术和市场协同,优化系统性能,降低客户端的系统成本。

市场拓展方面,推动已量产产品的市场渗透,加快在研与验证阶段产品的落地,进一步提升公司在高可靠及工业控制等领域的市场份额与品牌影响力。

（3）功率器件+功率IC融合方面凭借公司拥有功率器件及功率IC核心研发能力的优势,重点打造智能功率模块与固态继电器两大产品线,实现从高可靠领域向工控、新能源及智能家电等市场的拓展。

智能功率模块方面,充分发挥功率器件与功率IC的协同能力,研发适配集成OCP、OTP及LDO的半桥驱动IC与功率MOSFET,完成匹配封装,为客户提供高性价比的智能功率模块方案,简化客户使用流程、缩短其研发周期。

固态继电器方面：随着第三代半导体SiC和GaN器件的成熟,推进固态继电器从小电流向大电流产品渗透。

在已成功研发SiCMOSFET专用光电转换驱动IC的基础上,布局新一代驱动IC产品,强化大电流SiCMOSFET驱动能力,提升固态继电器电流承载水平,满足大电流应用场景需求。

重点攻坚固态继电器封装技术,解决关键工艺瓶颈,提升产品可靠性与性能指标。

（4）技术服务方面为了进一步提升技术服务能力及服务质量,持续增强公司定义自主产品的能力,公司已采取以下措施：利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠性考核平台,进一步提升服务质量及服务时效性；进一步对研发领域分工,专注细分领域的精细开发；建立市场调研队伍,深入市场了解客户未来需求,以争取到更多的项目机会。

2、聚焦募投项目落地,强化研发与测试能力双提升公司持续对战略性产品进行研发投入,加强对核心技术的积累；在注重基础研究的同时,深度拓展前沿技术的应用,推动产品的技术高效升级与产业化进程；通过与高校合作,打造良性循环的高端人才梯队,并将通过持续优化激励制度,增强团队的凝聚力和创造力,提升公司的自主创新能力。

在维持高比例研发投入的同时,公司将继续依据中长期发展战略,采取了审慎的投资策略,稳步推进募投项目建设。

公司将重点聚焦智能功率半导体、SiC功率器件及模块的研发升级,通过新增实施地点与优化布局,高标准建设符合CNAS认可标准的可靠性实验室、器件试验室及失效分析实验室,并购置FT测试、IPM模块考核及IC可靠性测试等先进设备,以全面满足车规级（AEC-Q101）、工业级及SiC产品的专项测试需求,显著提升产品可靠性检测能力。

在此基础上,募投项目将加速推进高压半桥栅极驱动IC、光继电器（PhotoMOS）、智能功率模块（IPM）的量产,并推动SiCMOSFET及SBD产品产线升级,开发基于SiCSKMOS的智能功率模块,以卡位宽禁带半导体赛道。

同时,公司将优化募投资金配置,优先保障关键软硬件投入,依托升级后的研发平台补充专业工程技术人才,从而缩短研发迭代周期,提升设计成功率与成果转化效率,实现可持续发展。

3、构建“纵向贯通、横向协同”的运营体系为积极应对瞬息万变的市场环境,公司在巩固原有纵向职能架构优势的基础上,创新性地引入横向协同布局,通过打破部门壁垒,实现资源配置的最优效能与协同作战,重塑驱动市场响应速度,着力构建“纵向贯通、横向协同”的高效运营体系。

公司坚持“应用牵引技术迭代”的战略导向,围绕BLDC电机驱动、工业及车用电源、新能源及智能电网、高可靠应用等四大核心产品线进行深度重组与横向布局。

通过对现有产品进行重新组合、强化产品线的全生命周期管理以及深化研发与市场的联动机制,推动公司从单一芯片供应商向整套芯片解决方案提供商转型。

目前,依托完善的产品谱系及产品生态优势,结合行业发展机遇,围绕这四条核心产品线的相关工作已全面铺开并取得阶段性突破,电机驱动IPM产品成功进入头部家电客户中试阶段,关键功率IC技术在工控领域实现突破性转化并全面试产,新能源及智能电网相关产品顺利导入市场,高可靠领域产品生态持续完善。

上述在相关应用领域成功实现技术转化、产品导入或客户认证方面的成果,充分展现出公司强大的技术实力与市场适应性。

通过此次构建的纵横交织的协同网络,公司不仅有效提升了市场响应速度,更以系统级解决方案切实助力客户降本增效。

通过联合研发、优先保供、定制化服务等手段,提升客户依赖度,扩大市场占有率,此举也将全方位驱动公司业务高质量发展,为未来可持续发展奠定坚实基础。