立昂微 605358

2025年,公司紧抓行业复苏与国产替代机遇,聚焦高端研发、产能释放、成本控制及客户拓展,各业务板块稳健发展,龙头地位持续夯实,技术与产能突破显著。

公司已处于从“产能扩张期”向“业绩释放期”的关键拐点,经营业绩稳步改善。

（一）经营成果概述报告期内,公司实现营业收入359,091.90万元,同比增长16.12%,其中实现主营业务收入355,130.59万元,同比增长15.93%,创出历史新高。

从产品销售金额来看,半导体硅片业务收入267,868.04万元（含对母公司的29,413.74万元）,同比增长19.66%,其中12英寸硅片收入85,937.36万元,同比增长65.63%；半导体功率器件芯片业务收入83,931.83万元,同比略有下降,其中FRD芯片收入17,841.78万元,同比增长96.18%；化合物半导体射频及光电芯片业务收入32,744.47万元,同比增长10.84%,其中VCSEL芯片收入4,635.38万元,同比增长723.30%,pHEMT芯片实现收入4,194.60万元,同比增长18.75%。

从产品销量情况来看,各业务板块呈现差异化增长与突破性发展态势,高端产品迭代升级与新场景应用拓展成为公司增长的核心引擎。

2025年,公司硅片总销量折合6英寸1,939.74万片（含对母公司的248.16万片）,同比增长28.22%,其中12英寸销量178.57万片（折合6英寸714.29万片）,同比增长61.90%；半导体功率器件芯片销量193.37万片,同比增长6.01%,其中FRD销量22.68万片,同比增长87.04%；化合物半导体射频及光电芯片销量4万片,同比基本持平。

报告期内,公司实现EBITDA（息税折旧摊销前利润）111,971.85万元,同比增长75.86%；实现归属于上市公司股东的净利润-14,244.42万元,同比减亏幅度达46.40%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-18,279.28万元,同比减亏幅度达31.27%。

报告期内,公司实现归属于上市公司股东的净利润同比大幅减亏,主要得益于半导体硅片板块盈利能力的复苏。

随着产品结构持续向高端化迭代升级,半导体硅片业务折合6英寸的平均销售单价自2025年第一季度起呈现逐季提升态势,加之产销规模的稳步扩张,尤其是12英寸硅片产销量实现大幅增长,硅片单位成本亦随之同步下降。

在销售价格提升和单位成本下降的双重驱动下,合并口径半导体硅片业务的主营毛利率从2024年度的-1.82%上升至2025年度的5.64%,其中12英寸硅片负毛利率同比收窄显著,主营毛利率从-77.60%大幅收窄至-33.16%。

受此影响,硅片业务特别是12英寸硅片本期计提的存货跌价准备金额也大幅缩减。

2025年度公司净利润续亏的主要原因有：（1）随着公司扩产项目陆续转产,本报告期折旧摊销支出112,787.31万元,同比增加18,880.05万元；（2）基于谨慎性原则,本报告期计提了12,545.81万元的存货跌价准备；（3）报告期内公司计提了13,539.93万元的可转债利息费用；（4）2024年12月控股子公司金瑞泓微电子收购联营企业嘉兴康晶持有的嘉兴金瑞泓41.30%股权导致利润减少4,625.35万元。

报告期内,经营活动产生的现金流量净额为83,864.40万元,与上年同期的81,096.60万元相比,增加2,767.80万元,增长3.41%；投资活动产生的现金净流出84,567.33万元,与上年同期的210,773.48万元相比,减少126,206.15万元,降幅59.88%,主要系本期购建固定资产支付的现金相比上年同期大幅减少所致；筹资活动产生的现金净流出9,374.16万元,较上年同期减少120,164.75万元（上年同期为净流入110,790.59万元）,主要系本期收到的借款减少及偿还的借款增加共同影响所致。

报告期末,公司总资产1,922,470.11万元,较期初下降0.51%；总负债1,107,955.86万元,较期初增长0.82%；归属于上市公司股东的净资产719,862.10万元,较期初下降1.90%。

（二）具体经营情况介绍报告期内,公司聚焦核心目标,攻坚克难、精准发力,重点推进以下经营工作,各项工作取得明显成效,核心成绩突出、领先优势凸显。

1、聚焦高端产品研发,技术突破成果斐然,筑牢核心技术壁垒公司坚持创新驱动,持续优化研发体系,聚焦三大业务开展高端技术攻关,推动研发成果高效转化,为业务扩张与产品升级提供了坚实支撑。

（1）半导体硅片业务：以重掺晶体生长配套外延沉积技术为核心根基,全速推进12英寸轻掺硅片的快速上量和新客户拓展。

公司12英寸轻掺硅片产品线坚持高端化、差异化发展路线,充分发挥深厚的外延工艺技术积淀,着力构建多元化的产品矩阵,区别于传统轻掺硅片过度集中于特定应用领域的市场格局,已在逻辑电路、BCD工艺、PMIC电源管理等非存储类应用领域形成全系列覆盖。

其中,逻辑电路用轻掺硼外延片,BCD工艺、PMIC电源用轻掺硼硅片等相较于常规轻掺硅片具有更高议价能力的核心产品已在客户端快速上量；成功实现CIS器件应用领域28nm制程标志性突破,应用于安防监控、手机摄像及医疗检测的CIS外延产品快速上量,特别是适配下一代更高像素CIS器件的渐变外延产品研发成功,国内外头部客户积极验证中。

在重掺硅片领域,公司持续巩固领先地位,同步加快重掺磷、重掺砷超低阻产品的迭代开发。

其中12英寸重掺砷、12英寸重掺磷衬底外延片等多款产品采用了全球领先的超重掺杂单晶生长技术,实现了极高浓度及高均匀性掺杂,衬底电阻率可低至0.001Ωcm量级,可显著降低功率器件的导通电阻和开关损耗,满足AI服务器电源对高效率、高功率密度的苛刻工况要求。

具有独创性的特色砷烷外延产品获得客户全方位认可,出货量及市场占有率强势攀升；12英寸MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量,广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域；全尺寸系列高质量埋层外延产品在客户端验证通过,应用于高频滤波器的超高阻抛光片持续增量。

报告期内,公司面向多元化应用场景共开发21类具有差异化的新产品,其中：12英寸新产品131款,进入量产112款；8英寸新产品124款,进入量产96款；6英寸新产品156款,进入量产136款。

通过对晶体生长、切片、抛光、外延全流程工艺的持续优化与流程再造,产品良率与生产效率实现倍增。

以差异化的技术路径和卓越的定制化产品性能,避开同质化竞争,不断夯实在高端硅片市场的领先地位。

（2）半导体功率器件芯片业务：全面启动车规级产品对标国际标杆工程,建立动态技术对标机制,集中突破FRD结构优化、SJMOS导通损耗、IGBT开关特性等关键技术瓶颈,新一代高频低损耗、高可靠性FRD芯片在新能源汽车与工业控制领域实现国产替代。

自主搭建的设计代工开发平台获得产业链主流厂商认可,为工业通信、电源管理芯片自主可控提供重要支撑。

全年完成225款新品开发,其中FRD产品占比20%左右,某重点客户应用于大型风光储能1200V项目的产品顺利实现量产；SBD、TVS、MOS各品类新品完成梯度开发与客户验证,其中新能源控制芯片迭代款实现VR提升10%、VF下降2mV的性能优化,产品竞争力显著提升。

（3）化合物半导体射频及光电芯片业务：公司聚焦高频高增益技术路线,持续深化异质结外延等核心工艺研发,同步推进低成本工艺与材料国产化替代。

在pHEMT芯片领域,公司攻克了器件跨导线性度与功率附加效率的耦合难题,开发的“多功能应用双0.15μmGaAspHEMT工艺（LP09-10）”已应用于千帆星座系统；优化后的LP09-20工艺击穿电压达15V以上,E-mode击穿性能提升两倍,并完成多轮迭代与材料国产化定型,公司pHEMT技术已覆盖卫星通信领域从低轨到高轨不同应用场景的多元化器件,可满足不同轨道卫星通信对射频芯片的多样化需求。

同时,可适配宇航级芯片、高端专用通信等高可靠应用场景,满足特殊领域小批量、多批次、定制化的配套需求,积累了众多航天领域的优质客户,形成较高技术壁垒和准入优势。

在HBT芯片领域,自主开发的第三代LH0Z新工艺采用ICP干法结合湿法刻蚀,实现0.5μmT-Base与Ledge结构,显著降低寄生电容、提升性能与可靠性,可覆盖2GHz-10GHz的多频段应用,是目前全球最先进的HBT工艺之一,已进入新一代通信/WiFi7手机射频前端及基站功放等高端市场；InGaPDHBT工艺亦达国际先进水平,进入全球部分手机头部客户供应链。

在光电芯片领域,背发光透镜VCSEL工艺已完成开发并实现客户送样；二维可寻址大功率VCSEL技术达全球领先水平；相关产品深度赋能车载激光雷达、智能视觉传感领域；同时前瞻性布局高速光通信技术,搭建起850nm-1060nm波段的高速VCSEL技术能力,可支撑10Gbps-100Gbps的数通市场,同时微矩阵、背发光技术也积累了深厚技术基础,具备向数据中心光互联、前沿硅光应用领域延伸拓展的技术实力。

在GaN-on-SiC领域,6英寸GaN-on-SiCHEMT工艺已完成开发并进入客户验证阶段。

整体而言,公司形成了多种类化合物射频芯片与高性能光电芯片双轮驱动的平台化能力,应用边界持续拓宽,多项工艺具备客户送样与规模量产条件,为下一阶段增长储备了关键技术。

2、推进产能精准释放,规模效应凸显,成本控制成效显著公司聚焦产能释放、效率提升与成本优化,通过精准排产与精益管理,推动既有产能充分释放,实现产能向产出的高效转化。

（1）产能爬坡成效显著：各业务板块产能持续爬坡,其中12英寸重掺硅片产能爬坡迅速,目前稼动率已超80%,接近满产。

通过持续的设备改造、技术改进与工艺优化,12英寸及8英寸产线的关键环节在生产效率和产品良率上均取得显著进步,各产线已逐步进入稳定、高效运转阶段。

海宁基地砷化镓产线建成了年产6万片生产能力,实现了商业化量产,为后续产能释放奠定坚实基础。

（2）生产效率持续提升：硅片板块引入BLM业务领先模型,助力硅片业务实现年销售额20%左右的增长,其中12英寸重掺外延片年度销量翻倍,各类产品市场占有率稳步提升,产能转化效率显著提高。

功率器件芯片板块人均产出效率持续提升。

射频及光电芯片板块对杭州基地的生产运营与管理体系进行系统性调整,组建年轻化管理团队,推动晶圆入库与产品出货量在11月双双创下历史新高,顺利迈入稳定量产阶段,同时工艺良率大幅提升。

（3）国产化与成本控制：公司通过订单全生命周期可视化管理与跨职能协同响应机制,贯通三大业务链生产调度,提升产能利用率。

依托全产业链优势,优化生产流程、推进精益生产,降低单位生产成本,各业务板块成本管控亮点突出。

硅片板块供应链持续推进多品类原辅料国产化替代及二供体系建设,针对石墨件、石英坩埚、金刚线、研磨液等关键物料,通过招投标及国产化替代等举措有效降低成本,降本效果突出。

功率芯片板块在光刻胶等重要材料上完成了高比例的国产化切换,并通过技术改造与产能整合,有效降低了特定工艺环节的物料消耗,提升了设备综合利用率。

射频及光电芯片板块建立贵金属全流程管控体系,MES系统实现蒸发加金监控、点检片加工量追溯,有效降低贵金属损耗。

3、深化高端客户合作,客户结构持续优化,订单储备充足公司深化高端客户战略合作,增强客户粘性,推动核心客户订单稳健增长,为业务可持续发展提供坚实基础。

（1）半导体硅片业务：与中芯国际、华虹公司等头部晶圆厂深入合作,产品覆盖14nm以上技术节点,批量供应高端硅片产品；与格科微建立深度战略合作关系,成为其CIS领域核心材料供应商,协同研发高像素产品并实现技术赋能；拓展合肥晶合、无锡华虹等CIS领域客户,士兰集科、深圳润鹏等BCD领域客户,成都比亚迪、青岛物元Logic领域客户,客户结构持续多元化。

（2）半导体功率器件芯片业务：公司立足自身特色工艺路线,持续聚焦车规级市场,已形成显著的差异化竞争优势。

车规级产品出货占比稳步提升,是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商,是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商,推动新能源相关业务订单占功率器件整体业务比重达40%。

在工业与新能源市场,应用于新能源电控系统的FRD产品成功进入国内某重点逆变器制造厂商的供应链,实现了对其原海外主流供应商的替代升级,成长为该客户的核心供应商。

凭借在超结MOSFET领域的关键技术突破,公司成为韩国功率半导体领域的头部IDM厂商KEC的合格供应商。

技术与市场的双重突破,持续提升公司在功率半导体领域的核心竞争力与市场份额。

（3）化合物半导体射频及光电芯片业务：与速腾聚创、禾赛科技、瑞识智能等达成战略合作,车规级VCSEL芯片大批量出货；pHEMT芯片用于低轨卫星,已进入航空航天与卫星通信领域,应用于“千帆星座”、“星网”等项目,通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货；HBT芯片通过昂瑞微、唯捷创芯、康希通信、慧智微等进入手机供应链。

4、深化运营体系变革,系统提升组织效能公司以“经营回报”为核心,系统推进管理升级与内部强化,全面提升运营效率与经营质量。

（1）组织架构与效能优化。

在“以客户为中心”的导向下,各业务板块优化组织架构,明确权责,强化跨部门协同,有效提升了决策与执行效率。

公司建立了分层分类考核体系,推行职能部门月度绩效与销售季度奖金考核,将人均效率、产能利用率、产品结构等关键指标纳入核心考核范畴。

针对重点项目成立跨职能攻坚团队,实现了高效协同作战,组织整体效能稳步提升。

（2）生产管理与质量攻坚。

公司完成了集团一体化数字运营基座建设,取消了45%的冗余流程,IT维护成本大幅降低,推动EHS、人事、客诉等核心流程全面线上化、标准化。

通过持续推进智能化改造与引入先进生产管理系统,实现了对生产过程的精准管控,有效提升了生产效率与产品良率。

质量管控体系持续完善,搭建了质量数据（SPC/FDC）管控平台,优化供应商管理,新增合格供应商超30家,客户投诉次数同比下降明显。

针对新能源、车规级产品实施精细化生产管理,通过流程优化实现降本,全流程质量管控得到强化,产品质量稳定性获客户高度认可。

同时,建立的贵金属全流程监控体系与MES系统追溯预警机制,进一步增强了生产端的内控水平。

（3）人才发展与激励创新。

公司建立并完善了“研发项目制+绩效考核”的创新激励机制,加大核心技术及管理人才的引进与培养力度。

截至2025年末,公司研发人员达519人,占总人数比例约13.56%。

通过优化人才结构、引进专家型人才、构建多元化薪酬体系、完善中层管理人员考核机制,并强化生产端技能人才培养,人均生产效率持续提升。

公司强化研发队伍建设,围绕GaN、VCSEL等核心工艺成立专项攻关小组,为技术创新与业务发展提供了坚实的人才支撑。

（4）财务优化与资源保障。

公司强化资金统筹与成本管控,优化融资结构,降低融资成本,严控费用支出,资金使用效率显著提高。

2025年,公司经营活动现金流量净额逐季改善。

通过严格控制非生产性支出,优先保障研发与核心业务投入,确保了现金流安全与资产稳健,为年度目标达成及战略实施筑牢了财务基础。

5、推进产业链协同发展,深化合作共赢,保障供应链安全公司作为产业链链主,积极发挥核心带动作用,深化上下游协同与合作,构建共赢生态,有力保障了供应链的安全与稳定。

（1）供应链国产化：全面推进原材料与设备国产化替代,海宁基地设备国产化率达95%以上、原辅料基本实现国产化,杭州基地完善设备零部件以及光刻胶、化学品等二供开发与国产化替代,降低供应链风险,不受外部制约,构建起坚实的产能护城河；硅片事业部完成多品类原辅料国产化与二供开发,减少单一供方依赖,保障供应链稳定。

（2）产业链合作：深化与下游客户、科研机构、高校的合作,与下游客户开展协同研发、产品开发,实现共享资源、优势互补。

与有关高校及上下游合作申请并获得省市科研攻关项目立项,获得资金补助。

积极参与行业协会与产业联盟活动,推动行业标准制定,提升公司在行业内的话语权与影响力。

6、践行股东回报理念,强化投资者关系管理,提升市场认可度始终践行“以投资者为本”的发展理念,高度重视股东回报与投资者关系管理工作,努力提升公司经营业绩,增强股东回报能力。

制定并实施2025年度“提质增效重回报”行动方案,聚焦主营业务发展,提升盈利能力,为股东创造更多价值；严格按照法律法规与公司章程的要求,规范信息披露行为,确保信息披露的真实性、准确性、完整性和及时性,保障投资者的知情权；加强与投资者的沟通与交流,通过业绩说明会、投资者调研、e互动等多种形式,及时向投资者传递公司经营情况、发展战略与核心优势,倾听投资者意见与建议,提升投资者对公司的了解与认可；合理规划股东回报方案,努力提升股东回报水平,增强公司市场吸引力与投资者信心。

(一)行业格局和趋势1、行业竞争格局2026年及未来,半导体行业将进入在周期波动中孕育结构性机遇、在地缘博弈中重构全球格局、在技术创新中重塑竞争规则的关键变革期。

在人工智能算力浪潮与全球数字化经济的双重驱动下,全球半导体产业正站在历史性变革的临界点。

根据WSTS（世界半导体贸易统计组织）预测,2026年全球半导体市场销售额将达到9,750亿美元,同比增长26.30%；SEMI（国际半导体产业协会）近期在SEMICONChina2026更是预测,原定2030年才会达到的万亿美金市场规模,有望于2026年底提前到来。

面对行业变革,市场参与者需以更宏观的视野审视发展趋势,在技术演进、市场布局和供应链韧性之间寻求动态平衡,方能在新一轮产业变革中行稳致远。

国际层面,信越、SUMCO、台积电、英飞凌、稳懋等国际巨头,凭借长期的技术积累、庞大的产能规模、完善的全球供应链体系及强大的品牌影响力,在高端半导体硅片、先进制程芯片、高附加值功率器件及化合物半导体高端产品领域依然占据主导地位,牢牢掌控着行业核心技术话语权和主要市场份额,形成了较高的行业竞争壁垒。

国内层面,随着国家半导体产业支持政策的持续落地、国产替代需求的不断释放,国内半导体企业快速崛起,逐步突破核心技术瓶颈,在中低端产品领域已实现全面进口替代,在中高端产品领域的市场份额持续提升,行业内孕育着多重发展机遇。

当前,行业竞争已从单纯的价格竞争,向技术工艺升级、产品高端化、场景定制化及全产业链协同的综合竞争转变,具备全产业链垂直整合能力、核心技术实力和优质客户资源的企业,将在行业集中度持续提升的过程中脱颖而出,进一步巩固行业地位,同时也能更好地把握国产替代带来的发展红利。

各细分领域格局各具特色,且均蕴含显著发展机遇：半导体硅片行业,国际巨头仍占据全球主要市场份额,国内企业已实现中低端硅片进口替代,高端12英寸硅片逐步打破海外垄断,尤其AI相关硅片的出货量将迎来大幅增长。

据行业资料显示,AI服务器对12英寸硅片的需求量约为通用型服务器的3.8倍,同等存储容量的HBM对12英寸硅片需求量是主流DRAM产品的2倍。

SEMI（国际半导体产业协会）预计,2030年全球半导体硅片市场规模有望超过200亿美元,行业增长空间广阔。

功率半导体行业,国内企业数量较多、市场竞争充分,但具备车规级认证、掌握新能源大功率器件核心技术的企业较少,行业集中度正逐步提升。

行业国产替代已从“中低端替代”向“高端突破”转型,新能源汽车、储能将持续拉动功率器件需求。

据行业测算,车规级功率器件市场规模预计2026年达150亿美元,同比增长25%,增长潜力显著。

化合物半导体行业,国际巨头主导高端市场并占据主要市场份额,国内企业凭借在VCSEL、卫星射频芯片、碳化硅基GaN等特定细分领域的技术突破,逐步实现进口替代,供应链全面国产化成为国内企业的差异化竞争优势。

根据Yole报告,全球化合物半导体器件市场正以近13%的复合年增长率快速增长,增速约为整体半导体市场的两倍,市场规模预计将从2024年的120亿美元增长至2030年的250亿美元。

行业增长核心驱动清晰：新一代通信与卫星直连技术普及,带动HBT、pHEMT、BiHEMT等射频器件需求快速提升；AI数据中心与算力爆发,拉动VCSEL、InP激光器等光互联核心器件规模增长；高阶自动驾驶与智能驾驶普及,推动VCSEL、GaN-on-SiCHEMT等关键器件广泛落地；低轨卫星与太空经济加速发展,使GaN-on-SiCHEMT成为星载通信与功率系统的理想选择。

智能驾驶、低轨卫星、AI机器人等新兴场景将推动化合物半导体需求持续爆发,其中VCSEL芯片市场规模预计2026年达27亿美元,同比增长50%,为国内相关企业带来核心发展机遇。

2、行业发展趋势在AI算力以及全球数字化经济驱动下,全球半导体产业迎来了历史性时刻,市场增长动力正从传统的消费电子单一驱动,转向人工智能、汽车电动化与智能化、能源转型等多重引擎共同拉动的新趋势。

（1）AI算力成为核心增长引擎,产业增长逻辑发生根本性转变人工智能正推动半导体行业实现史无前例的增长,传统周期性波动规律被打破,行业进入由技术驱动的结构性增长新纪元。

2026年全球AI基础设施支出预计将达到4,500亿美元,其中推理算力占比首次超过70%,由此拉动GPU、HBM及高速网络芯片的强劲需求,而这最终都转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。

（2）存储产业战略地位跃升,技术迭代重塑供应链格局存储器已成为AI基础设施的核心战略资源,2026年全球存储产值预计突破5,500亿美元,成为半导体第一增长极。

高带宽存储（HBM）市场呈现爆发式增长,2026年HBM市场规模预计增长58%至546亿美元,占DRAM市场近四成。

然而,需求的激增导致严重的供需失衡,供需紧张引发的涨价将成为2026年市场常态,对整个半导体产业链的议价能力和资源配置产生深远影响。

（3）先进制程与先进封装双轮驱动,技术创新进入深水区随着2nm及以下制程逼近物理极限,行业面临量子隧穿与栅极控制难题,GAA（全环绕栅极）晶体管架构边际效益递减,单座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元,逼近7nm时代的3倍。

在此背景下,先进封装的战略地位凸显,“先进制程+先进封装”的双轮驱动,从系统层面推动产业升级。

SEMI数据显示,2020年至2030年间,中国晶圆产能将从490万片增至1,410万片,增长近两倍,全球市场份额从20%升至32%。

2028年全球将新建108座晶圆厂,其中亚洲占84座,中国独占47座,超过亚洲新增产能的一半。

（4）国产替代进程持续深化,全供应链国产化成为核心导向国家持续加大对半导体产业的政策支持力度,国内晶圆厂本土化采购需求迫切,国内半导体企业在核心材料、器件、芯片等领域的替代空间巨大,将持续受益于国产替代红利,逐步实现从“中低端替代”向“高端突破”的跨越,这为国内龙头企业扩大市场份额、提升行业地位提供了重要机遇。

(二)公司发展战略半导体产业作为技术、资本、人才高度密集的高端制造领域,是支撑国民经济高质量发展、保障国家科技安全的核心战略支柱,亦是全球科技竞争与合作的核心阵地。

立昂微作为行业内少数实现硅片到芯片一站式制造的平台型企业,拥有全链条核心技术与制造能力,始终秉持“国之大者”的使命担当,依托自身全产业链优势,确立“创新驱动、全链引领、高端突破、国产替代”的核心发展战略,锚定“全球领先的半导体全产业链企业”长期目标,推动三大板块协同发展、向高端领域突破,深度融入国家半导体产业战略规划,在新兴高景气赛道实现全链条产品覆盖,构建差异化核心竞争力,争做全球半导体细分领域的核心供应商。

三大业务板块作为公司发展的重要支撑,定位清晰、互补赋能,精准契合行业发展趋势：半导体硅片作为算力基石,受益于AI服务器、高性能计算对高端硅片的刚性需求,以及汽车电动化带动下车规级硅片的爆发式增长,市场空间持续拓宽；功率器件芯片作为能源心脏,直接推动新能源汽车、储能、智能电网等绿色能源产业普及,是达成“双碳”目标的重要保障；射频及光电芯片作为连接未来的关键,是新一代通信、智能驾驶、光通信、无人机等未来无线连接和感知领域的核心硬件,成长空间广阔。

未来,公司将聚焦三大板块,精准发力、梯次推进,筑牢全产业链发展根基：硅片板块,持续稳固重掺领域的绝对领先地位,凭借技术研发、品牌口碑、销售渠道及专业服务的深厚积累,加快12英寸轻掺硅片量产商业化步伐,推动全尺寸硅片向高端化、规模化转型,进一步提升市场占比,增强行业话语权；功率器件芯片板块,持续提升车规级产品比重,加速SGT、SJMOS、FRD等高端产品研发量产,优化产品矩阵,巩固并扩大在新能源与工业控制领域的市场份额及影响力,打造细分领域标杆；化合物半导体射频及光电芯片板块,加快产能释放,全力拓展高速VCSEL、GaN-on-SiC等高端产品市场,聚焦核心技术突破与产品迭代,抢占高端市场发展先机。

与此同时,公司将深化三大板块协同价值,以上游硅片为核心起点,构建可同步为客户提供高效能功率芯片与先进射频及光电芯片的垂直整合平台。

依托独特的平台化优势,充分发挥全链条协同的综合效能,精准捕捉三大细分行业交叉领域机遇（如智能汽车领域的全品类核心产品需求,同时覆盖硅片、功率器件、射频及光电芯片）,最大化释放协同潜力；同时推进技术、产能、供应链深度融合,凭借清晰的产品定位与精准的市场布局,构建稳定高效的营销体系,实现营收与利润稳步增长,强化抗风险能力与长期发展动力。

此外,公司将通过资本化运作、规模扩张等多元方式优化产业布局,快速提升综合竞争力,为国家半导体产业自主化发展注入核心力量,力争成为行业公认的、兼具稀缺性与成长性的半导体全产业链核心企业。

(三)经营计划围绕公司整体发展战略,2026年公司将聚焦核心技术突破、产能高效释放与市场纵深拓展,通过持续的管理优化与系统协同,推动高质量发展。

1、聚焦研发攻坚,巩固技术领先优势公司将保持高强度研发投入,聚力突破关键领域技术瓶颈。

在半导体硅片业务方面,重点推进12英寸轻掺产品产能爬坡与更先进制程突破,加大超低阻单晶等核心工艺研发。

在功率器件芯片业务方面,着力攻克SGT、IGBT、碳化硅基功率芯片、车规级模块及新一代新能源器件的关键技术。

在射频及光电芯片业务方面,全力推动VCSEL、GaN-on-SiC等高端工艺的客户导入与量产,优化现有射频工艺平台。

公司将完善研发项目制与激励机制,加速技术成果向量产与市场转化。

2、推动产能释放,提升规模效应公司将科学推动重点产线（衢州、嘉兴12英寸硅片产线,海宁射频产线）的产能建设与达产增效,确保产能精准匹配市场需求。

通过深化精益生产、智能化改造与供应链协同,持续优化核心设备效率、降低单位生产成本、提升产品良率与综合盈利能力。

3、深化客户合作,拓展高端市场份额公司将进一步深化与现有战略客户的绑定,从供应链合作升级为联合创新。

同时,全力开拓AI服务器电源、卫星互联网、人形机器人、低空经济等新兴高端市场。

通过优化销售策略、强化大客户服务模式,提升高附加值产品的市场份额与客户黏性,优化全球市场布局。

4、强化内部治理,提升组织效能公司将通过持续的组织与流程优化,提升跨部门协同效率。

强化全面预算与成本精细化管控,提升资金使用效益。

全面推进数字化、智能化建设,赋能质量管控、生产追溯与科学决策。

完善人才引育留用机制,构建多元化激励体系,激发组织创新活力。

5、保障供应链安全,构建产业生态公司将持续推进关键设备、原材料的国产化验证与导入,优化供应商结构,深化与核心伙伴的战略合作。

通过上下游协同研发与标准共建,提升产业链话语权,构建自主可控、富有韧性的供应链体系。

6、提升投资者回报,强化市场沟通公司将以稳健的业绩增长为基础,合理制定股东回报计划。

严格执行信息披露规定,丰富投资者沟通渠道,积极传递公司价值,增进市场认同,并持续完善治理结构,保障公司规范、透明、高效运作。