上海合晶 688584

2025年全球半导体市场复苏迹象显著,2026年将延续增长态势。

根据2025年12月世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布的全球半导体市场预测报告,2025年全球半导体市场规模达7,720亿美元,同比提升22.5%。

展望2026年,市场预计将继续保持强劲增长,规模有望攀升至9,750亿美元,同比增长超过25%。

公司主营业务为半导体硅外延片的研发、生产和销售,下游主要为功率器件和模拟芯片。

功率器件和模拟芯片经过2023-2024年的需求疲软和库存去化,市场开始回暖,带动外延片需求增长。

报告期内,公司实现营业收入131,134.18万元,较上年同期的110,873.63万元增长18.27%；归属母公司所有者的净利润12,534.97万元,较上年同期的12,078.34万元增长3.78%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润11,668.71万元,较上年同期的10,751.57万元增长8.53%。

业绩增长主要因行业景气度回升,下游客户库存水位回归合理,产品销量增加,产能利用率维持高位,带动收入和净利润的上升。

公司在报告期内,受益于功率器件和模拟芯片下游需求回暖,外延片需求重回增长态势。

一方面,公司积极布局12英寸大尺寸硅片的研发与建厂扩产,12英寸客户需求增加带动销量提升,收入和利润同比增长。

另一方面,公司8英寸产品差异化策略进一步落实,推动功率器件领域外延片高端国产化替代。

公司长期以来专注从长晶开始的一体化外延片的研发、生产和销售,一直致力于成为世界一流的硅材料供应商,为客户提供产品解决方案。

公司2025年经营策略目标为“功率器件8英寸外延片要成为标杆”、“12英寸要尽快做强做大”、“差异化竞争”以及“全面落实降本增效”,加速推进12英寸N型一体化外延片新客户新产品开发和12英寸P型低成本一体化外延片示范线建设,有效提升市场竞争力和盈利能力。

公司除了针对现有的功率、模拟等硅外延产品外,还聚焦车规级SJ、CIS和先进制程逻辑芯片产品的挖掘和研发,未来产品结构有望持续改善。

此外,公司采取分步建设策略,采用迭代发展的模式,从4英寸到6英寸、8英寸再到12英寸,从POWER用到CIS用到P/P-用,逐步扩大产能。

这种分步建设的策略避免了重资本投入带来的风险,同时有利于经验的积累和技术的提升。

公司秉持下列3大发展方向：（1）12英寸产品尽快做强做大,重点突破CIS和Logic：在功率器件领域尽快做强,实现高端国产化替代；在模拟芯片领域尽快做大；在逻辑芯片市场P/P-外延片尽快进入研发。

（2）8英寸产品聚焦超越摩尔定律特色领域,提升差异化竞争力,目标成为标杆。

（3）成本优化,降本增效：将继续全面落实推进国产化替代为主的降本增效,主动回馈客户,争取更多订单。

（一）报告期内生产经营总体情况报告期内,在12英寸产品领域,公司继续推进“12英寸产品加速做强做大,重点突破CIS和Logic”的经营策略。

公司在12英寸产品上具备先发优势,已经向安森美、华虹宏力、芯联集成等客户批量供货,随着越来越多的功率器件和模拟芯片厂商的12英寸晶圆产能落地,公司能够依靠前期供货的成功经验、长期合作的客户关系以及领先的产品性能拓展更多下游。

在功率器件领域尽快做强,实现高端国产化替代；在模拟芯片领域尽快做大；在逻辑芯片市场尽快进入研发。

子公司上海晶盟12英寸外延片产能为48万片/年,其中12英寸P/P+可实现产能1.5万片/月,关键客户已进入中小批量投产,12英寸P/P-首个送样也已突破,成功开辟12英寸P型外延新的领域。

为进一步做大12英寸产品,子公司郑州合晶正建设12英寸半导体大硅片产业化项目,规划新增90万片/年12英寸衬底片产能和72万片/年12英寸外延片产能,郑州合晶二期一体化P型外延生产线争取2026年底全部建成。

公司在超低阻、极低阻、低压低功耗的差异化技术优势,和国内CIS大厂合作高端CIS项目,公司已开发低功耗、超低功耗智能载具与成像系统用的外延片,以实现CIS领域的高端国产化替代。

报告期内,在8英寸产品领域,公司继续推进“8英寸产品聚焦超越摩尔定律特色领域,提升差异化竞争力,目标成为标杆”的经营策略,加速高端国产化替代。

重点推进8英寸超(极)重掺长晶研发、8英寸多层梯度外延工艺研发、8英寸超阻值均匀性超厚外延工艺研发等项目,制定“8英寸外延片要成为标杆”的中长期目标。

公司8英寸外延片产品具有较好的技术先进性及核心竞争力。

对于公司的主要产品8英寸外延片,在外延层电阻率片内均匀性、外延层厚度片内均匀性、表面颗粒、外延层电阻率和外延层厚度等方面处于国际先进水平,可以与国际知名外延片厂商的同类产品竞争,在位错和表面金属沾污水平方面处于国内领先水平。

报告期内,公司坚持“成本优化,降本增效”的经营策略。

公司外延片一体化制造产能扩张,部分原材料供应逐步实现国产化,单位材料成本持续降低。

公司全面落实推进国产化替代为主的降本增效,主动回馈客户,争取更多订单。

驱动2025年年度公司业绩上升的主要因素有：在半导体行业景气度持续复苏,国产化替代加速以及下游晶圆厂产能扩张的背景下,公司加强市场拓展、落实差异化竞争策略,公司产销规模实现增长。

公司产品折8英寸销量提升22.96%,8英寸和12英寸产品销量同比实现增长,其中12英寸产品销量增幅较大,同比去年报告期增长83.03%。

报告期内,经营活动产生的现金流量净额为40,683.72万元,与上年同期的44,823.20万元相比,减少4,139.48万元,降幅9.24%,主要系本期购买商品支付的现金增加与存货增加所致；投资活动产生的现金流量净额-120,469.10万元,与上年同期的-32,753.02万元相比,减少87,716.08万元,主要系购建固定资产相关资本支出增加所致；筹资活动产生的现金流量净额17,393.48万元,较上年同期减少55,047.02万元（上年同期为净流入72,440.51万元）,主要系公司上年同期取得上市首发募集资金约13.9亿元增加所致。

报告期末,公司总资产491,324.67万元,较期初增长7.48%；总负债78,369.72万元,较期初增长82.18%；归属于上市公司股东的净资产412,954.95万元,较期初下降0.28%。

（二）报告期内重点任务完成情况1、运营管理方面公司采用关键指标管理策略,结合公司发展方向和目标,从质量、成本、效率、安全等维度,制定公司在客户服务、生产管理、采购管理、工厂运行等方面一系列的关键考核指标。

公司关注盈利能力、盈利效率、盈利水平,以及员工对公司的满意度和服务的效率。

2、产品研发方面公司重视新质生产力的建设,整合平台优势、客户优势、市场优势、技术优势及人力优势,推动长晶至外延一体化各个环节生产制造技术的改造和升级,坚持科技创新,推动高质量发展,提升公司核心技术竞争力。

报告期内,公司产品研发符合市场导向、客户需求,与半导体产业的发展及公司聚焦的产品赛道相融合,研发成果得到客户认可,同时加强了公司核心技术竞争力。

3、知识产权方面公司重视知识产权建设,一是对研发人员将科研成果积极转化为国内或国际专利等知识产权进行激励,二是加强员工的知识产权法律观念,建立知识产权法律保护体系,促进公司及员工在技术研发方面的创新活动。

报告期内,公司共申请专利50项,其中发明专利7项,实用新型专利43项。

截至报告期末,公司拥有境内外发明专利34项、实用新型专利221项、软件著作权5项。

4、供应链保障方面公司加强与供应商协同机制,顺应市场变化,加强销售预期分析,采用采购管理和库存管理系统对物料的采买、使用、库存、寿命进行动态监控和分析,及时调整安全库存容量及协调物料采购在途订单,使得生产工艺及设备所需物料、配件等物品能够及时交付。

与关键及重要原物料供应商签订中长期合同,约定供应商数量、价格及应急响应机制；同时与部分原物料供应商达成寄售模式,保障安全供应。

5、人才团队建设方面报告期末公司总人数达1031人,公司一直认为人才团队建设是支撑公司创新发展和高效运营的关键,需要不断完善培育机制、优化人才培养环境、营造良好的人才发展生态。

建立管理人员绩效考核机制以及基层员工辅导员机制,通过引导和实践让员工既有公司归属感又有实干技能。

6、内部控制方面报告期内,公司持续完善内控体系,严格执行《企业内部控制基本规范》及配套指引,对募集资金管理、关联交易等关键环节实施重点管控。

持续对公司及各子公司部门进行内部稽核,未发现重大内控缺陷,现有制度能有效保障财务报告真实性及合规经营,全面保障公司及股东合法权益。

（三）募投项目进展1、低阻单晶成长及优质外延研发项目本项目总投资规模为77,500.00万元,实施主体为郑州合晶。

本项目建设内容主要包括厂房及厂务配套设施、购置12英寸外延生长及晶体成长相关研发设备及检测设备等,主要针对公司现有8英寸及12英寸外延技术进行持续优化,并针对CIS相关产品所需外延技术,尤其是65nm-28nm外延相关技术进行研究开发。

此外,本项目针对12英寸低阻单晶成长工艺技术进行研究开发,建成投产后,将进一步增强在12英寸外延领域的技术水平,提升产品工艺技术。

报告期内,按土建及机电合同计划,房屋土建、无尘室机电及消防、厂务设施等,完成生产设备入厂条件,生产设备及配套设施等已陆续进厂进行安装调试作业。

2、优质外延片研发及产业化项目本项目总投资规模为18,856.26万元,实施主体为上海晶盟。

本项目建设内容主要包括各尺寸外延片生产相关设备购置及安装等。

本项目建成投产后,上海晶盟将新增各尺寸外延片年产能。

报告期内,募投项目所有的外延片生产相关的设备及配套设施均已完成到厂安装调试,通过“过程控制审查委员会”评审已投入制造部门量产使用,达成优质外延片研发及产业化项目既定目标。

(一)行业格局和趋势半导体硅片作为芯片制造的关键原材料,技术门槛较高。

目前,海外硅片企业在12英寸硅片制造领域的技术已较为成熟,形成了以信越化学、日本胜高、德国世创、SKSiltron、环球晶圆等国际硅片厂商主导的国际行业格局。

国内半导体硅片企业的研发与产品应用时间相对较短,在技术和市场方面正处于奋力追赶的进程之中。

当前国内半导体硅片企业的12英寸硅片产销规模占全球市场的比重较低,亟需加强技术研发投入,扩大产能供应能力。

公司通过募投项目的建设实施,将进一步增强公司在12英寸半导体硅外延领域的技术能力及核心竞争力。

(二)公司发展战略半导体硅外延片是生产MOSFET、IGBT等功率器件和PMIC、CMOS等模拟器件的关键材料,下游需求持续增长,市场空间广阔。

与此同时,半导体硅片行业是半导体产业链基础性的一环,也是我国半导体产业链与国际先进水平差距较大的环节,中国半导体硅外延片,尤其是12英寸半导体硅外延片,依赖进口程度较高,严重制约了中国半导体产业的发展。

公司作为国内较早开展半导体硅外延片产业化的公司,也是我国少数具备一体化半导体硅外延片制造能力的公司,坚持以成为世界领先的一体化半导体硅外延片制造商为发展战略。

公司将继续加大对晶体成长、衬底成型及外延生长工艺的研发投入并持续扩充产能,进一步巩固在大尺寸半导体硅外延片领域的领先优势,本着功率器件8英寸外延片要成为标杆、12英寸要尽快做强做大、差异化竞争、全面落实降本增效的战略方向,切实提升我国半导体硅外延片的自给程度以及行业技术水平,增强我国半导体行业发展所需原材料的自主可控水平,促进我国半导体行业的发展。

一体化外延战略实施方面,为更好发挥公司技术优势、满足下游市场日益增长的需求,公司实施12英寸长晶、切片、研磨、抛光、外延技术提升及产能扩建项目,持续扩充外延片生产能力。

与此同时,公司通过投资建设衬底片相关产线,实现自主供应外延衬底片,使得公司外延一体化程度逐年提升。

技术研发方面,公司持续加大技术研发投入,围绕晶体成长、衬底成型及外延生长等环节进行产品及技术创新,取得了多项关键核心技术及专利知识产权,同时带动报告期内公司研发投入占营业收入比例逐年提升。

客户市场方面,公司凭借自身行业领先的核心技术、优异的产品性能和可靠的产品质量,主要产品覆盖全球知名晶圆代工厂及功率器件IDM厂,包括华虹宏力、芯联集成、华润微、台积电、力积电、威世半导体、达尔、德州仪器、意法半导体、安森美等行业领先企业。

(三)经营计划未来,公司将继续聚焦于发展半导体硅外延片业务,积极开展技术研发,秉承“功率器件8英寸外延片要成为标杆、12英寸要尽快做强做大”的经营战略,不断推出适应客户需求的产品,扩充半导体硅外延片产能,提升公司市场地位和竞争优势。

1、持续加大产品开发,扩充半导体硅外延片产能公司将持续以市场需求为导向,密切追踪所在行业及细分领域最新的技术及发展趋势,结合下游应用领域的行业演变情况,根据客户定制化的需求,持续加大开发不同规格、不同参数的半导体硅外延片产品,精准满足客户需求。

此外,公司将持续扩充12英寸一体化半导体硅外延片产能,进一步提升公司业绩规模、丰富半导体硅外延片产品布局、增强公司产品品质,从而有效提升公司的行业地位及核心竞争力。

2、持续加大研发投入,提升核心技术能力技术水平是公司核心竞争力与市场领先地位的重要依托,公司将继续加大8英寸和12英寸长晶、衬底成型及外延技术的研发投入,购置研发设备,扩大研发团队,紧跟市场需求,不断提升半导体硅外延片生产技术水平。

通过持续的研发投入,公司将不断提升外延片研发、生产全流程的技术水平,进一步巩固公司在半导体硅外延片领域的行业领先地位,提高产品竞争力。

3、持续加强市场拓展公司将继续深耕重点客户,巩固与重点客户长期稳定的良好合作关系,并进一步完善客户沟通渠道,加强为重点客户提供定制化产品及解决方案的服务能力,持续提升公司在半导体硅外延片领域的市场地位及品牌度。

此外,公司将积极开拓国内外主要晶圆代工厂、功率器件IDM厂等客户资源,进一步提升公司营销服务能力。

4、持续引入和培养高端人才,打造一流团队半导体硅片行业属于技术密集型行业,优秀人才是持续保持公司的创新能力和竞争实力的核心要素。

半导体硅外延片的研发、生产及销售对于公司员工的技术积累、研发能力、生产经验及业务能力均有较高要求。

为增强公司的竞争优势,进一步巩固公司的行业领先地位,公司将积极引进生产、管理及销售等方面的人才,大力引入具备丰富半导体硅外延片研发经验的高端科研人才,进一步壮大公司的研发人员队伍,加强对现有员工的培训,完善公司员工考核激励机制,为公司的长期发展打下坚实基础。